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マスク説明書 (CAST-T3マスク)

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Page 1: マスク説明書 (CAST-T3マスク) - JSR株式会社 PRO B 0.5 PRO 12 AL A 10 13 PV B 100 種類 : KrF用(i線兼用)バイナリ FEOL マスク BEOL マスク (03) マスク仕様(2)

マスク説明書

(CAST-T3マスク)

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内容

1.

マスク概要

2.

各素子の詳細

マスク仕様(1)(2)

(03)-(04)

ショット・レイアウト

(1)(2)

(05)-(06)

パッドブロック

(07)

コンタクトパッドとその周辺

(08)

測定PADの構造

(09)

SUBPADの構造

(10)

スクライブラインの構造

(11)

ウェハアライメントマーク

(12)-(13)

CMPダミー

(14)

MOSトランジスタ

(16)-(26)

PN接合

(27)-(40)

MOS容量

(41)-(53)

FEOL抵抗

(54)-(57)

コンタクト抵抗

(58)-(60)

シート抵抗

(61)-(64)

リングオシレータ/コンタクトチェーン

(65)-(73)

櫛/つづら付リングオシレータ

(74)-(76)

アンテナTEG

(77)-(80)

腐食TEG

(81)-(84)

BEOLつづら/櫛/ビアチェーン

(85)-(91)

SEM観察用トランジスタ

(92)

SEM観察用ライン

(93)

(01)

頁番号

頁番号

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1.マスク概要

(02)

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マスク仕様(1)

マスク名:

CAST-T3用途:

FEOL素子を用いたBEOL材料の評価

マスク数:13枚 BEOLマスクはペリクル無し

ショット寸法:

21.5mm x 26.9mm

レチクル寸法:6 inch

レチクル合せマーク:Canon露光機用(SFRAマーク)

倍率:4倍

No. 層名 パターン 最小

(um)最大

(um)目的

1 L A 0.5 100 素子分離

2 FG A 0.2 100 ゲート

Poly-Si抵抗

3 N1 B 0.5 N型拡散層(LDD)

4 N2 B 0.5 N型拡散層(S/D)

5 P B 0.5 SUB引き上げ

6 SP A 0.5 Silicide無し領域

7 CNT B 0.4 1 コンタクトプラグ

8 M1 B 0.2 100 Cu1層配線

9 Via B 0.18 0.25 接続孔

10 M2 B 0.2 100 Cu2層配線

11 PRO B 0.5 PRO

12 AL A 10

13 PV B 100

種類:

KrF用(i線兼用)バイナリ

FEO

Lマス

クB

EO

Lマス

(03)

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マスク仕様(2)

合わせツリー

L FG CNT M1 M2 PRO ALN1 Via PVN2 P SP

層名 露光機 ウェハ合わせマーク

プリ ファイン

L KrF ○ ○

FG KrF ○ ○

N1 KrF × ×

N2 KrF × ×

P KrF × ×

SP KrF × ×

CNT KrF ○ ○

M1 ArF ○ ○

Via ArF ○ ○

M2 ArF ○ ○

PRO i線 ○ ○

AL i線 × ×

PV i線 × ×

各層のウェハ合わせマークの有無

(04)

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ショット・レイアウト

(1)

8.44mm 4.14mm 8.44mm21.5mm

8.44

mm

8.44

mm

5.34

mm

4.14

mm

26.9

mm

スク

ライ

ブラ

イン

幅16

0um

(05)

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X-cord (パッドブロックX座標)

Y-cord

(パッ

ドブ

ロッ

クY座

標)

ショット・レイアウト

(2)

04008001200160020002400280032003600400044004800520056006000640068007200

84008800920096001000010400108001120011600120001240012800

138001420014600150001540015800162001660017000

17400

17800182001860019000194001980020200206002100021400

MOSTrs.① MOSTrs.②

MOSTrs.③ MOSTrs.④

Gate容量FG型①

Gate容量FG型②

Gate容量FG型③

224502285023250236502405024450248502525025650

0 1860 3720 5580 8310 10170 12900 14760 16620 18480

PN接合L型α

PN接合L型β

PN接合L型α

PN接合L型β

PN接合L型α③

PN接合L型β③PN接

合N1型α

PN接

合N1型α

PN接

合N1型β

PN接

合N1型β

リングオシレータ&CNTチェーン

櫛/つづら抵抗付リングオシレータ

ビアチェーン

FEOL抵抗②

CNT抵抗① CNT抵抗②

シート抵抗① シート抵抗②

SEM観察MOSTrs.

SEM観察

ライン

アンテナ小

アンテナ大櫛

つづら

コンタクト

+X

+Y

(06)

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パッドブロック

測定パッドはPAD番号とパッドブロック座標の組み合わせ

で指定する。パッドブロック座標はパッドブロックの原点か

らの位置で、左上のパッドブロックを原点、下方向を+Y軸、

右方向を+X軸とした座標系

100um 55um

150um

1

PAD番号

測定パッドはオートプローバのプローブカード用にパッド

の集合(パッドブロック)を構成しており、ショット内に規則

的に配置

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

12

13

14

15

16

17

18

19

20

21

22

23

24

(07)

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コンタクトパッドとその周辺

オートプローバ用アライメントマーク

(M1とM2)プロセス進捗確認用マーク

ショット左上にあるオートプローバ位置合わ

せ用パッドブロック

パッドブロック座標は(0,0)

上行と下行のパッドがそれぞれつながって

いて針のショートチェックに利用可能

コンタクトパッドの下のパッドブロックは素

子がなく針のオープンチェックに利用可能

(08)

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測定PADの構造

p-sub

SiO

Low-k

SiO(PRO膜)Al SiN(PV膜)

Cu(M2) Cu(Via) Cu(M1)

100u

m

120u

m

Via径0.2umLOCOS

パッド開口部の寸法は100um

(09)

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SUBPADの構造

p-sub

SiO

Low-k

SiO(PRO膜)Al SiN(PV膜)

100u

m

120u

m

LOCOS

SUB引き上げ用

W(CNT)CNT径1um

P+ Silicide

(10)

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p-sub

SiO

Al

LOCOS

W(CNT)CNT径1um

160um

P+Silicide

SiO(PRO膜)

SiN(PV膜)

Low-k

スクライブラインの構造

CNT径

0.4um

(11)

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ウェハ合わせプリアライメントマーク

線幅 6um 長さ

40um

60umCanon露光機用

X方向、Y方向に1ヶ所づつあ

るが使用するのは1ヶ所のみ

層名 X方向 Y方向

X(mm) Y(mm) X(mm) Y(mm)

L -1.75 13.15 -10.5 8.55FG -1.35 13.15 -10.5 8.15CNT -0.95 13.15 -10.5 7.75M1 -0.55 13.15 -10.5 7.35Via -0.15 13.15 -10.5 6.95M2 0.25 13.15 -10.5 6.55PRO 1.55 13.15 -10.5 4.35

ショット中心からの距離

(12)

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ウェハ合わせファインアライメントマーク

Canon露光機用

X方向、Y方向に1ヶ所づつあ

るが両方使用する

層名 X方向 Y方向

X(mm) Y(mm) X(mm) Y(mm)

L -7.15 13.15 -10.5 10.55FG -6.95 13.15 -10.5 10.35CNT -6.75 13.15 -10.5 10.15M1 -6.55 13.15 -10.5 9.95Via -6.35 13.15 -10.5 9.75M2 -6.15 13.15 -10.5 9.55PRO -5.55 13.15 -10.5 8.95

線幅 4um

20um

30um

34um

ショット中心からの距離

(13)

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CMPダミー

M2

M110um

10um

1um

0.25um

CMPダミーの断面図0.8um

0.8u

m

0.8um

CMPダミーはM1またはM2配

線から10um先に配置。断面

形状はダンベル型にM1、Via、

M2が接続

Via

M1

M2

(14)

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2.各素子の詳細

(15)

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Diode 付1x1

Diode 付1x3

Diode 付1x10

FG奇2.6x3FG0.6

M1奇

2.6x3 M10.8

M2奇

2.6x3 M20.8

GS短絡0.2x3

GS短絡0.2x10

GS短絡0.5x3

GS短絡0.5x10

GS短絡1x3

GS短絡1x10

M1奇

2.6x3 M1 3.4

M1奇

3.6x3 M1 4.4

M2奇

2.6x3M23.4

M2奇

3.6x3 M24.4

Diode 付0.5x1

Diode 付0.5x10

M1奇

1.6x3 M10.8

M1奇

1.6x10 M1 0.6

M2奇

0.6x3 M20.5

M2奇

0.6x10 M20.3

M2奇

1.6x3 M20.8

M2奇

1.6x10 M20.6

10x10 10x30 10x100

FG奇3.6x3FG0.6

M1奇

3.6x3 M10.8

M2奇

3.6x3 M20.8

FG奇0.6x3FG0.3

FG奇0.6x10FG0.3

FG奇1.6x3FG0.6

FG奇1.6x10FG0.6

M1奇

0.6x3 M1 0.5

M1奇

0.6x10 M1 0.3

1x1 1x3 1x10 3x3 3x10 3x30 並列10.5x10

並列100.5x10

並列

1000.5x10

並列11x10

並列101x10

並列

1001x10

0.5x1 0.5x3 0.5x10 0.6x1 0.6x3 0.6x10 並列10.2x10

並列10 0.2x10

並列

1000.2x10

並列10.3x10

並列10 0.3x10

並列

1000.3x10

0.2x1 0.2x3 0.2x10 0.3x1 0.3x3 0.3x10 Ring 3x3 5x5

Ring 3x3 6x6

30x100

並列1ダミー

並列

10ダミー

並列

100ダミー

MOSトランジスタ①②③④配置図赤字は詳細説明無

(16)

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MOSトランジスタ(その1)

No. 素子名 Pad番号 gate長

(um)gate幅

(um)X-cord (um)

Y-cord (um)

1-1 MOSTrs_0.2x1_1 1 3 2 4 0.2 1 0 25650

1-2 MOSTrs_0.2x3_1 5 7 6 8 0.2 3 0 25650

1-3 MOSTrs_0.2x10_1 9 11 10 12 0.2 10 0 25650

1-4 MOSTrs_0.3x1_1 13 15 14 16 0.3 1 0 25650

1-5 MOSTrs_0.3x3_1 17 19 18 20 0.3 3 0 25650

1-6 MOSTrs_0.3x10_1 21 23 22 24 0.3 10 0 25650

1-7 MOSTrs_0.5x1_1 1 3 2 4 0.5 1 0 25250

1-8 MOSTrs_0.5x3_1 5 7 6 8 0.5 3 0 25250

1-9 MOSTrs_0.5x10_1 9 11 10 12 0.5 10 0 25250

gate drain source sub

p-sub

Poly-Si

N+N+

M1

CNT LOCOS

M1

L(Active)

CNT1um□※1 FG(Poly-Si)CNT

0.4um□N2(N+)

N1(N-)

gate drain

source sub

CNT-M1 合わせ余裕 0.4um以上

L-CNT 合わせ余裕 0.3um以上 FG-CNT 合わせ余裕 0.4um以上

gate長gate幅

gate幅 1um当たりCNT1個配置

gate長

Silicide

※1 gate長が1um以下の場合はCNT0.4um□を使用

subへ

(17)

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No. 素子名 Pad番号 gate長

(um)gate幅

(um)X-cord (um)

Y-cord (um)

1-10 MOSTrs_0.6x1_1 13 15 14 16 0.6 3 0 25250

1-11 MOSTrs_0.6x3_1 17 19 18 20 0.6 3 0 25250

1-12 MOSTrs_0.6x10_1 21 23 22 24 0.6 10 0 25250

1-13 MOSTrs_1x1_1 1 3 2 4 1 1 0 24850

1-14 MOSTrs_1x3_1 5 7 6 8 1 3 0 24850

1-15 MOSTrs_1x10_1 9 11 10 12 1 10 0 24850

1-16 MOSTrs_3x3_1 13 15 14 16 3 3 0 24850

1-17 MOSTrs_3x10_1 17 19 18 20 3 10 0 24850

1-18 MOSTrs_3x30_1 21 23 22 24 3 30 0 24850

1-19 MOSTrs_10x10_1 1 3 2 4 10 10 0 24450

1-20 MOSTrs_10x30_1 5 7 6 8 10 30 0 24450

1-21 MOSTrs_10x100_1 9 11 10 12 10 100 0 24450

1-22 MOSTrs_30x100_1 9 11 10 12 30 100 1860 25650

2-1 MOSTrs_0.2x1_2 1 3 2 4 0.2 1 12900 25650

2-2 MOSTrs_0.2x3_2 5 7 6 8 0.2 3 12900 25650

2-3 MOSTrs_0.2x10_2 9 11 10 12 0.2 10 12900 25650

2-4 MOSTrs_0.3x1_2 13 15 14 16 0.3 1 12900 25650

2-5 MOSTrs_0.3x3_2 17 19 18 20 0.3 3 12900 25650

2-6 MOSTrs_0.3x10_2 21 23 22 24 0.3 10 12900 25650

2-7 MOSTrs_0.5x1_2 1 3 2 4 0.5 1 12900 25250

2-8 MOSTrs_0.5x3_2 5 7 6 8 0.5 3 12900 25250

2-9 MOSTrs_0.5x10_2 9 11 10 12 0.5 10 12900 25250

2-10 MOSTrs_0.6x1_2 13 15 14 16 0.6 3 12900 25250

2-11 MOSTrs_0.6x3_2 17 19 18 20 0.6 3 12900 25250

2-12 MOSTrs_0.6x10_2 21 23 22 24 0.6 10 12900 25250

2-13 MOSTrs_1x1_2 1 3 2 4 1 1 12900 24850

2-14 MOSTrs_1x3_2 5 7 6 8 1 3 12900 24850

2-15 MOSTrs_1x10_2 9 11 10 12 1 10 12900 24850

2-16 MOSTrs_3x3_2 13 15 14 16 3 3 12900 24850

2-17 MOSTrs_3x10_2 17 19 18 20 3 10 12900 24850

2-18 MOSTrs_3x30_2 21 23 22 24 3 30 12900 24850

gate drain source sub

MOSトランジスタ(その2)

(18)

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MOSトランジスタ(その3)

No. 素子名 Pad番号 gate長

(um)gate幅

(um)X-cord (um)

Y-cord (um)

2-19 MOSTrs_10x10_2 1 3 2 4 10 10 12900 24450

2-20 MOSTrs_10x30_2 5 7 6 8 10 30 12900 24450

2-21 MOSTrs_10x100_2 9 11 10 12 10 100 12900 24450

2-22 MOSTrs_30x100_2 9 11 10 12 30 100 14760 25650

3-1 MOSTrs_0.2x1_3 1 3 2 4 0.2 1 3720 19400

3-2 MOSTrs_0.2x3_3 5 7 6 8 0.2 3 3720 19400

3-3 MOSTrs_0.2x10_3 9 11 10 12 0.2 10 3720 19400

3-4 MOSTrs_0.3x1_3 13 15 14 16 0.3 1 3720 19400

3-5 MOSTrs_0.3x3_3 17 19 18 20 0.3 3 3720 19400

3-6 MOSTrs_0.3x10_3 21 23 22 24 0.3 10 3720 19400

3-7 MOSTrs_0.5x1_3 1 3 2 4 0.5 1 3720 19000

3-8 MOSTrs_0.5x3_3 5 7 6 8 0.5 3 3720 19000

3-9 MOSTrs_0.5x10_3 9 11 10 12 0.5 10 3720 19000

3-10 MOSTrs_0.6x1_3 13 15 14 16 0.6 3 3720 19000

3-11 MOSTrs_0.6x3_3 17 19 18 20 0.6 3 3720 19000

3-12 MOSTrs_0.6x10_3 21 23 22 24 0.6 10 3720 19000

3-13 MOSTrs_1x1_3 1 3 2 4 1 1 3720 18600

3-14 MOSTrs_1x3_3 5 7 6 8 1 3 3720 18600

3-15 MOSTrs_1x10_3 9 11 10 12 1 10 3720 18600

3-16 MOSTrs_3x3_3 13 15 14 16 3 3 3720 18600

3-17 MOSTrs_3x10_3 17 19 18 20 3 10 3720 18600

3-18 MOSTrs_3x30_3 21 23 22 24 3 30 3720 18600

3-19 MOSTrs_10x10_3 1 3 2 4 10 10 3720 18200

3-20 MOSTrs_10x30_3 5 7 6 8 10 30 3720 18200

3-21 MOSTrs_10x100_3 9 11 10 12 10 100 3720 18200

3-22 MOSTrs_30x100_3 9 11 10 12 30 100 5580 19400

4-1 MOSTrs_0.2x1_4 1 3 2 4 0.2 1 16620 19400

4-2 MOSTrs_0.2x3_4 5 7 6 8 0.2 3 16620 19400

4-3 MOSTrs_0.2x10_4 9 11 10 12 0.2 10 16620 19400

4-4 MOSTrs_0.3x1_4 13 15 14 16 0.3 1 16620 19400

4-5 MOSTrs_0.3x3_4 17 19 18 20 0.3 3 16620 19400

4-6 MOSTrs_0.3x10_4 21 23 22 24 0.3 10 16620 19400

gate drain source sub

(19)

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MOSトランジスタ(その4)

No. 素子名 Pad番号 gate長

(um)gate幅

(um)X-cord (um)

Y-cord (um)

4-7 MOSTrs_0.5x1_4 1 3 2 4 0.5 1 16620 19000

4-8 MOSTrs_0.5x3_4 5 7 6 8 0.5 3 16620 19000

4-9 MOSTrs_0.5x10_4 9 11 10 12 0.5 10 16620 19000

4-10 MOSTrs_0.6x1_4 13 15 14 16 0.6 3 16620 19000

4-11 MOSTrs_0.6x3_4 17 19 18 20 0.6 3 16620 19000

4-12 MOSTrs_0.6x10_4 21 23 22 24 0.6 10 16620 19000

4-13 MOSTrs_1x1_4 1 3 2 4 1 1 16620 18600

4-14 MOSTrs_1x3_4 5 7 6 8 1 3 16620 18600

4-15 MOSTrs_1x10_4 9 11 10 12 1 10 16620 18600

4-16 MOSTrs_3x3_4 13 15 14 16 3 3 16620 18600

4-17 MOSTrs_3x10_4 17 19 18 20 3 10 16620 18600

4-18 MOSTrs_3x30_4 21 23 22 24 3 30 16620 18600

4-19 MOSTrs_10x10_4 1 3 2 4 10 10 16620 18200

4-20 MOSTrs_10x30_4 5 7 6 8 10 30 16620 18200

4-21 MOSTrs_10x100_4 9 11 10 12 10 100 16620 18200

4-22 MOSTrs_30x100_4 9 11 10 12 30 100 18480 19400

gate drain source sub

(20)

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MOSトランジスタ(その5)

No. 素子名 Pad番号 gate長

(um)gate幅

(um)FG長

(um)X-cord

(um)Y-cord (um)

1-1 FGkisei_0.6x3_FG0.3_1 1 3 2 4 0.6 3 0.3 1860 24450

1-2 FGkisei_0.6x10_FG0.3_1 5 7 6 8 0.6 10 0.3 1860 24450

1-3 FGkisei_1.6x3_FG0.6_1 9 11 10 12 1.6 3 0.6 1860 24450

1-4 FGkisei_1.6x10_FG0.6_1 13 15 14 16 1.6 10 0.6 1860 24450

1-5 FGkisei_2.6x3_FG0.6_1 13 15 14 16 2.6 3 0.6 0 23650

1-6 FGkisei_3.6x3_FG0.6_1 13 15 14 16 3.6 3 0.6 0 24450

gate drain source sub

p-sub

N+

M1CNT

M1L(Active)

CNT0.4um□ N2(N+)N1(N-)

gate drain

source sub

CNT-M1 合わせ余裕 0.4um以上

L-CNT 合わせ余裕 0.3um以上

gate長

gate幅

gate幅 1um当たりCNT1個配置

gate長 Silicide

LOCOS N+

FG(Poly-Si)

FG寄生MOS

FG

FG長

FG-CNT 合わせ余裕 0.4um以上

(21)

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MOSトランジスタ(その6)

No. 素子名 Pad番号 gate長

(um)gate幅

(um)FG長

(um)X-cord

(um)Y-cord (um)

2-1 FGkisei_0.6x3_FG0.3_2 1 3 2 4 0.6 3 0.3 5580 18200

2-2 FGkisei_0.6x10_FG0.3_2 5 7 6 8 0.6 10 0.3 5580 18200

2-3 FGkisei_1.6x3_FG0.6_2 9 11 10 12 1.6 3 0.6 5580 18200

2-4 FGkisei_1.6x10_FG0.6_2 13 15 14 16 1.6 10 0.6 5580 18200

2-5 FGkisei_2.6x3_FG0.6_2 13 15 14 16 2.6 3 0.6 3720 17400

2-6 FGkisei_3.6x3_FG0.6_2 13 15 14 16 3.6 3 0.6 3720 18200

3-1 FGkisei_0.6x3_FG0.3_3 1 3 2 4 0.6 3 0.3 14760 24450

3-2 FGkisei_0.6x10_FG0.3_3 5 7 6 8 0.6 10 0.3 14760 24450

3-3 FGkisei_1.6x3_FG0.6_3 9 11 10 12 1.6 3 0.6 14760 24450

3-4 FGkisei_1.6x10_FG0.6_3 13 15 14 16 1.6 10 0.6 14760 24450

3-5 FGkisei_2.6x3_FG0.6_3 13 15 14 16 2.6 3 0.6 12900 23650

3-6 FGkisei_3.6x3_FG0.6_3 13 15 14 16 3.6 3 0.6 12900 24450

4-1 FGkisei_0.6x3_FG0.3_4 1 3 2 4 0.6 3 0.3 18480 18200

4-2 FGkisei_0.6x10_FG0.3_4 5 7 6 8 0.6 10 0.3 18480 18200

4-3 FGkisei_1.6x3_FG0.6_4 9 11 10 12 1.6 3 0.6 18480 18200

4-4 FGkisei_1.6x10_FG0.6_4 13 15 14 16 1.6 10 0.6 18480 18200

4-5 FGkisei_2.6x3_FG0.6_4 13 15 14 16 2.6 3 0.6 16620 17400

4-6 FGkisei_3.6x3_FG0.6_4 13 15 14 16 3.6 3 0.6 18480 18200

gate drain source sub

(22)

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No. 素子名 Pad番号 gate長

(um)gate幅

(um)M1長

(um)X-cord

(um)Y-cord (um)

1-1 M1kisei_0.6x3_M1_0.5_1 17 19 18 20 0.6 3 0.5 1860 24450

1-2 M1kisei_0.6x10_M1_0.3_1 21 23 22 24 0.6 10 0.3 1860 24450

1-3 M1kisei_1.6x3_M1_0.8_1 1 3 2 4 1.6 3 0.8 1860 24050

1-4 M1kisei_1.6x10_M1_0.6_1 5 7 6 8 1.6 10 0.6 1860 24050

1-5 M1kisei_2.6x3_M1_0.8_1 17 19 18 20 2.6 3 0.8 0 23650

1-6 M1kisei_2.6x3_M1_3.4_1 1 3 2 4 2.6 3 3.4 0 24050

1-7 M1kisei_3.6x3_M1_0.8_1 17 19 18 20 3.6 3 0.8 0 24450

1-8 M1kisei_3.6x3_M1_4.4_1 5 7 6 8 3.6 3 4.4 0 24050

MOSトランジスタ(その7)

gate drain source sub

p-sub

N+

M1CNT

M1L(Active)

CNT0.4um□

N2(N+)N1(N-)

gate drain

source sub

gate長

gate幅

gate長

Silicide

LOCOS N+

M1

M1寄生MOS

M1長

CNT-M1 合わせ余裕 0.3um以上L-CNT 合わせ余裕 0.3um以上

gate幅 1um当たりCNT1個配置

(23)

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No. 素子名 Pad番号 gate長

(um)gate幅

(um)M1長

(um)X-cord

(um)Y-cord (um)

2-1 M1kisei_0.6x3_M1_0.5_2 17 19 18 20 0.6 3 0.5 14760 24450

2-2 M1kisei_0.6x10_M1_0.3_2 21 23 22 24 0.6 10 0.3 14760 24450

2-3 M1kisei_1.6x3_M1_0.8_2 1 3 2 4 1.6 3 0.8 14760 24050

2-4 M1kisei_1.6x10_M1_0.6_2 5 7 6 8 1.6 10 0.6 14760 24050

2-5 M1kisei_2.6x3_M1_0.8_2 17 19 18 20 2.6 3 0.8 12900 23650

2-6 M1kisei_2.6x3_M1_3.4_2 1 3 2 4 2.6 3 3.4 12900 24050

2-7 M1kisei_3.6x3_M1_0.8_2 17 19 18 20 3.6 3 0.8 12900 24450

2-8 M1kisei_3.6x3_M1_4.4_2 5 7 6 8 3.6 3 4.4 12900 24050

3-1 M1kisei_0.6x3_M1_0.5_3 17 19 18 20 0.6 3 0.5 5580 18200

3-2 M1kisei_0.6x10_M1_0.3_3 21 23 22 24 0.6 10 0.3 5580 18200

3-3 M1kisei_1.6x3_M1_0.8_3 1 3 2 4 1.6 3 0.8 5580 17800

3-4 M1kisei_1.6x10_M1_0.6_3 5 7 6 8 1.6 10 0.6 5580 17800

3-5 M1kisei_2.6x3_M1_0.8_3 17 19 18 20 2.6 3 0.8 3720 17400

3-6 M1kisei_2.6x3_M1_3.4_3 1 3 2 4 2.6 3 3.4 3720 17800

3-7 M1kisei_3.6x3_M1_0.8_3 17 19 18 20 3.6 3 0.8 3720 18200

3-8 M1kisei_3.6x3_M1_4.4_3 5 7 6 8 3.6 3 4.4 3720 17800

4-1 M1kisei_0.6x3_M1_0.5_4 17 19 18 20 0.6 3 0.5 18480 18200

4-2 M1kisei_0.6x10_M1_0.3_4 21 23 22 24 0.6 10 0.3 18480 18200

4-3 M1kisei_1.6x3_M1_0.8_4 1 3 2 4 1.6 3 0.8 18480 17800

4-4 M1kisei_1.6x10_M1_0.6_4 5 7 6 8 1.6 10 0.6 18480 17800

4-5 M1kisei_2.6x3_M1_0.8_4 17 19 18 20 2.6 3 0.8 16620 17400

4-6 M1kisei_2.6x3_M1_3.4_4 1 3 2 4 2.6 3 3.4 16620 17800

4-7 M1kisei_3.6x3_M1_0.8_4 17 19 18 20 3.6 3 0.8 16620 18200

4-8 M1kisei_3.6x3_M1_4.4_4 5 7 6 8 3.6 3 4.4 16620 17800

gate drain source sub

MOSトランジスタ(その8)

(24)

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MOSトランジスタ(その9)

p-sub

N+

M1

CNT

M1L(Active)

CNT0.4um□

N2(N+)

N1(N-)

gate drain

source sub

gate長

gate幅

gate長

Silicide

LOCOS N+

M2M2寄生MOS

M2

No. 素子名 Pad番号 gate長

(um)gate幅

(um)M2長

(um)X-cord

(um)Y-cord (um)

1-1 M2kisei_0.6x3_M2_0.5_1 9 11 10 12 0.6 3 0.5 1860 24450

1-2 M2kisei_0.6x10_M2_0.3_1 13 15 14 16 0.6 10 0.3 1860 24450

1-3 M2kisei_1.6x3_M2_0.8_1 17 19 18 20 1.6 3 0.8 1860 24050

1-4 M2kisei_1.6x10_M2_0.6_1 21 23 22 24 1.6 10 0.6 1860 24050

1-5 M2kisei_2.6x3_M2_0.8_1 21 23 22 24 2.6 3 0.8 0 23650

1-6 M2kisei_2.6x3_M2_3.4_1 9 11 10 12 2.6 3 3.4 0 24050

1-7 M2kisei_3.6x3_M2_0.8_1 21 23 22 24 3.6 3 0.8 0 24450

1-8 M2kisei_3.6x3_M2_4.4_1 13 15 14 16 3.6 3 4.4 0 24050

gate drain source sub

CNT-M1 合わせ余裕 0.3um以上L-CNT 合わせ余裕 0.3um以上

gate幅 1um当たりCNT1個配置

M2長

(25)

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No. 素子名 Pad番号 gate長

(um)gate幅

(um)M1長

(um)X-cord

(um)Y-cord (um)

2-1 M2kisei_0.6x3_M2_0.5_2 9 11 10 12 0.6 3 0.5 14760 24450

2-2 M2kisei_0.6x10_M2_0.3_2 13 15 14 16 0.6 10 0.3 14760 24450

2-3 M2kisei_1.6x3_M2_0.8_2 17 19 18 20 1.6 3 0.8 14760 24050

2-4 M2kisei_1.6x10_M2_0.6_2 21 23 22 24 1.6 10 0.6 14760 24050

2-5 M2kisei_2.6x3_M2_0.8_2 21 23 22 24 2.6 3 0.8 12900 23650

2-6 M2kisei_2.6x3_M2_3.4_2 9 11 10 12 2.6 3 3.4 12900 24050

2-7 M2kisei_3.6x3_M2_0.8_2 21 23 22 24 3.6 3 0.8 12900 24450

2-8 M2kisei_3.6x3_M2_4.4_2 13 15 14 16 3.6 3 4.4 12900 24050

3-1 M2kisei_0.6x3_M2_0.5_3 9 11 10 12 0.6 3 0.5 5580 17800

3-2 M2kisei_0.6x10_M2_0.3_3 13 15 14 16 0.6 10 0.3 5580 17800

3-3 M2kisei_1.6x3_M2_0.8_3 17 19 18 20 1.6 3 0.8 5580 17800

3-4 M2kisei_1.6x10_M2_0.6_3 21 23 22 24 1.6 10 0.6 5580 17800

3-5 M2kisei_2.6x3_M2_0.8_3 21 23 22 24 2.6 3 0.8 3720 17400

3-6 M2kisei_2.6x3_M2_3.4_3 9 11 10 12 2.6 3 3.4 3720 17800

3-7 M2kisei_3.6x3_M2_0.8_3 21 23 22 24 3.6 3 0.8 3720 18200

3-8 M2kisei_3.6x3_M2_4.4_3 13 15 14 16 3.6 3 4.4 3720 17800

4-1 M2kisei_0.6x3_M2_0.5_4 9 11 10 12 0.6 3 0.5 18480 17800

4-2 M2kisei_0.6x10_M2_0.3_4 13 15 14 16 0.6 10 0.3 18480 17800

4-3 M2kisei_1.6x3_M2_0.8_4 17 19 18 20 1.6 3 0.8 18480 17800

4-4 M2kisei_1.6x10_M2_0.6_4 21 23 22 24 1.6 10 0.6 18480 17800

4-5 M2kisei_2.6x3_M2_0.8_4 21 23 22 24 2.6 3 0.8 16620 17400

4-6 M2kisei_2.6x3_M2_3.4_4 9 11 10 12 2.6 3 3.4 16620 17800

4-7 M2kisei_3.6x3_M2_0.8_4 21 23 22 24 3.6 3 0.8 16620 18200

4-8 M2kisei_3.6x3_M2_4.4_4 13 15 14 16 3.6 3 4.4 16620 17800

gate drain source sub

MOSトランジスタ(その10)

(26)

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M1>L1.2x1.2

M1>L1.2x1.2

M1ガードリング付2x2

M1ガードリング付10x10

2x10x10

3x30x10

10x100x10

M1=L1.2x1.2

M1>L1.2x1.2

M1>L2x2

M1>L2x2

M1>L10x10

M1>L100x100

M1>L2x10

M1>L10x100

2x2 3x3 10x10

30x30

100x100

100x100x9

2x10 2x30 3x10 3x30 10x10 10x100

PN接合L型α①②③配置図赤字は詳細説明無

L型αはM1ガードリング

M1>LとはCNT上のM1面積が接

合領域より大きい場合を指す

(27)

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M1>L1.2x1.2

M1>L1.2x1.2

M2ガードリング付2x2

M2ガードリング付10x10

2x10x10

3x30x10

10x100x10

M1=L1.2x1.2

M1>L1.2x1.2

M1>L2x2

M1>L2x2

M1>L10x10

M1>L100x100

M1>L2x10

M1>L10x100

2x2 3x3 10x10

30x30

100x100

100x100x9

2x10 2x30 3x10 3x30 10x10 10x100

PN接合L型β①②③配置図赤字は詳細説明無

L型βはM2ガードリング

M1>LとはCNT上のM1面積が接

合領域より大きい場合を指す

(28)

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PN接合L型(その1)

No. 素子名 Pad番号 L(um)

W(um)

X-cord (um)

Y-cord (um)

1-1 PNJC_L_2x2_α1 1 2 2 2 8310 25650

1-2 PNJC_L_3x3_α1 3 4 3 3 8310 25650

1-3 PNJC_L_10x10_α1 5 6 10 10 8310 25650

1-4 PNJC_L_30x30_α1 7 8 30 30 8310 25650

1-5 PNJC_L_100x100_α

19 10 100 100 8310 25650

1-6 PNJC_L_2x10_α1 13 14 2 10 8310 25650

1-7 PNJC_L_2x30_α1 15 16 2 30 8310 25650

1-8 PNJC_L_3x10_α1 17 18 3 10 8310 25650

1-9 PNJC_L_3x30_α1 19 20 3 30 8310 25650

1-10 PNJC_L_10x100_α1 23 24 10 100 8310 25650

cath ano

P(P+)

CNT LOCOS

M1

L(Active) CNT1um□※1

N1(N-)cathode

anode

CNT-M1 合わせ余裕 0.4um以上L-CNT 合わせ余裕 0.8um以上

※1 接合領域2x2um、2x10um、2x30umはCNT0.4um□それ以外は1um□

L

W

接合領域2x2um、3x3umはCNT1個。10x10umは9個配置。2x10umならば

2x2umが5個あると考えてCNT5個

p-sub

N+

M1

N2(N+)

Silicide

接合領域がLマスクで決まる

接合領域 Nー

(29)

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No. 素子名 Pad番号 L(um)

W(um)

X-cord (um)

Y-cord (um)

2-1 PNJC_L_2x2_α2 1 2 2 2 8310 24050

2-2 PNJC_L_3x3_α2 3 4 3 3 8310 24050

2-3 PNJC_L_10x10_α2 5 6 10 10 8310 24050

2-4 PNJC_L_30x30_α2 7 8 30 30 8310 24050

2-5 PNJC_L_100x100_α

29 10 100 100 8310 24050

2-6 PNJC_L_2x10_α2 13 14 2 10 8310 24050

2-7 PNJC_L_2x30_α2 15 16 2 30 8310 24050

2-8 PNJC_L_3x10_α2 17 18 3 10 8310 24050

2-9 PNJC_L_3x30_α2 19 20 3 30 8310 24050

2-10 PNJC_L_10x100_α2 23 24 10 100 8310 24050

3-1 PNJC_L_2x2_α3 1 2 2 2 1860 15400

3-2 PNJC_L_3x3_α3 3 4 3 3 1860 15400

3-3 PNJC_L_10x10_α3 5 6 10 10 1860 15400

3-4 PNJC_L_30x30_α3 7 8 30 30 1860 15400

3-5 PNJC_L_100x100_α

39 10 100 100 1860 15400

3-6 PNJC_L_2x10_α3 13 14 2 10 1860 15400

3-7 PNJC_L_2x30_α3 15 16 2 30 1860 15400

3-8 PNJC_L_3x10_α3 17 18 3 10 1860 15400

3-9 PNJC_L_3x30_α3 19 20 3 30 1860 15400

3-10 PNJC_L_10x100_α3 23 24 10 100 1860 15400

4-1 PNJC_L_2x2_β1 1 2 2 2 10170 25650

4-2 PNJC_L_3x3_β1 3 4 3 3 10170 25650

4-3 PNJC_L_10x10_β1 5 6 10 10 10170 25650

4-4 PNJC_L_30x30_β1 7 8 30 30 10170 25650

4-5 PNJC_L_100x100_β

19 10 100 100 10170 25650

4-6 PNJC_L_2x10_β1 13 14 2 10 10170 25650

4-7 PNJC_L_2x30_β1 15 16 2 30 10170 25650

4-8 PNJC_L_3x10_β1 17 18 3 10 10170 25650

4-9 PNJC_L_3x30_β1 19 20 3 30 10170 25650

4-10 PNJC_L_10x100_β1 23 24 10 100 10170 25650

cath ano

PN接合L型(その2)

(30)

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No. 素子名 Pad番号 L(um)

W(um)

X-cord (um)

Y-cord (um)

5-1 PNJC_L_2x2_β2 1 2 2 2 10170 24050

5-2 PNJC_L_3x3_β2 3 4 3 3 10170 24050

5-3 PNJC_L_10x10_β2 5 6 10 10 10170 24050

5-4 PNJC_L_30x30_β2 7 8 30 30 10170 24050

5-5 PNJC_L_100x100_β2 9 10 100 100 10170 24050

5-6 PNJC_L_2x10_β2 13 14 2 10 10170 24050

5-7 PNJC_L_2x30_β2 15 16 2 30 10170 24050

5-8 PNJC_L_3x10_β2 17 18 3 10 10170 24050

5-9 PNJC_L_3x30_β2 19 20 3 30 10170 24050

5-10 PNJC_L_10x100_β2 23 24 10 100 10170 24050

6-1 PNJC_L_2x2_β3 1 2 2 2 14760 15400

6-2 PNJC_L_3x3_β3 3 4 3 3 14760 15400

6-3 PNJC_L_10x10_β3 5 6 10 10 14760 15400

6-4 PNJC_L_30x30_β3 7 8 30 30 14760 15400

6-5 PNJC_L_100x100_β3 9 10 100 100 14760 15400

6-6 PNJC_L_2x10_β3 13 14 2 10 14760 15400

6-7 PNJC_L_2x30_β3 15 16 2 30 14760 15400

6-8 PNJC_L_3x10_β3 17 18 3 10 14760 15400

6-9 PNJC_L_3x30_β3 19 20 3 30 14760 15400

6-10 PNJC_L_10x100_β3 23 24 10 100 14760 15400

cath ano

PN接合L型(その3)

(31)

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PN接合L型(その4)

No. 素子名 Pad番号 L(um)

W(um)

並列数 X-cord (um)

Y-cord (um)

1-1 PNJC_L_2x10x10_α1 1 2 2 10 10 8310 25250

1-2 PNJC_L_3x30x10_α1 3 4 3 30 10 8310 25250

1-3 PNJC_L_10x100x10_α1 5 6 10 100 10 8310 25250

2-1 PNJC_L_2x10x10_α2 1 2 2 10 10 8310 23650

2-2 PNJC_L_3x30x10_α2 3 4 3 30 10 8310 23650

2-3 PNJC_L_10x100x10_α2 5 6 10 100 10 8310 23650

3-1 PNJC_L_2x10x10_α3 1 2 2 10 10 1860 15000

3-2 PNJC_L_3x30x10_α3 3 4 3 30 10 1860 15000

3-3 PNJC_L_10x100x10_α3 5 6 10 100 10 1860 15000

cath ano

cathode

anode

CNT-M1 合わせ余裕 0.4um以上L-CNT 合わせ余裕 0.8um以上

素子と素子の間隔(Lの間隔)

2um以上

10個並列型

単品2x10um、3x30um、10x100umを10個並列化。10x100umx10個と100x100umの逆耐圧測定で周

辺長のリーク評価が可能

(32)

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PN接合L型(その5)

No. 素子名 Pad番号 L(um)

W(um)

並列数 X-cord (um)

Y-cord (um)

4-1 PNJC_L_2x10x10_β1 1 2 2 10 10 10170 25250

4-2 PNJC_L_3x30x10_β1 3 4 3 30 10 10170 25250

4-3 PNJC_L_10x100x10_β1 5 6 10 100 10 10170 25250

5-1 PNJC_L_2x10x10_β2 1 2 2 10 10 10170 23650

5-2 PNJC_L_3x30x10_β2 3 4 3 30 10 10170 23650

5-3 PNJC_L_10x100x10_β2 5 6 10 100 10 10170 23650

6-1 PNJC_L_2x10x10_β3 1 2 2 10 10 14760 15000

6-2 PNJC_L_3x30x10_β3 3 4 3 30 10 14760 15000

6-3 PNJC_L_10x100x10_β3 5 6 10 100 10 14760 15000

cath ano

(33)

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PN接合L型(その6)

cathode

anode

CNT-M1 合わせ余裕 1um

L-CNT 合わせ余裕 2.5um

素子と素子の間隔(Lの間隔)

6um

100x100um 3行3列型

No. 素子名 Pad番号 X-cord (um) Y-cord (um)

1 PNJC_L_100x100x9_α1 11 12 8310 25250

2 PNJC_L_100x100x9_α2 11 12 8310 25250

3 PNJC_L_100x100x9_α3 11 12 8310 25250

4 PNJC_L_100x100x9_β1 11 12 8310 23650

5 PNJC_L_100x100x9_β2 11 12 8310 23650

6 PNJC_L_100x100x9_β3 11 12 8310 23650

cath ano

300x300umではなく100x100umご

とに素子が分離されている

L(Active) M1CNT

(34)

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PN接合N1型α①②配置図赤字は詳細説明無

M1>L2x10

M1>L2x30

M1>L3x10

M1>L3x30

M1>L10x100

M1>L2x10x10

M1>L3x10x10

M1>L10x100x10

FGガードリング付2x10

FGガードリング付10x10

M1>L2x2

M1>L3x3

M1>LL=1210x10

M1>LL=810x10

M1>LL=1010x10

M1>LL=1410x10

M1>L30x30

M1>L100x100

M1>L100x100x9

FGガードリング付2x2

32x32 100x100

100x100x9

3x10 3x30 10x100

3x10x 10

10x100x10

M1ガードリング付2x10

M1ガードリング付10x10

2x2 2x10 Silicide>N22x30

2x10x10

3x3 10x10(L=12)

10x10(L=12)

L=810x10(L型

8x8)

L=1010x10

L=1410x10

M1ガードリング付2x2

N1型αはM1ガードリング

(35)

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PN接合N1型β①②配置図赤字は詳細説明無

N1型βはM2ガードリング

M1>L2x10

M1>L2x30

M1>L3x10

M1>L3x30

M1>L10x100

M1>L2x10x10

M1>L3x10x10

M1>L10x100x10

FGガードリング付2x10

FGガードリング付10x10

M1>L2x2

M1>L3x3

M1>LL=1210x10

M1>LL=810x10

M1>LL=1010x10

M1>LL=1410x10

M1>L30x30

M1>L100x100

M1>L100x100x9

FGガードリング付2x2

32x32 100x100

100x100x9

3x10 3x30 10x100

3x10x 10

10x100x10

M2ガードリング付2x10

M2ガードリング付10x10

2x2 2x10 Silicide>N22x30

2x10x10

3x3 10x10(L=12)

10x10(L=12)

L=810x10(L型

8x8)

L=1010x10

L=1410x10

M2ガードリング付2x2

(36)

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PN接合N1型(その1)

No. 素子名 Pad番号 N1 N1-N2(um)

N2-Silic-ide(um)

X-cord (um)

Y-cord (um)

1-1 PNJC_N1_2x2_α1 1 2 2 2 0.4 0.1 8310 16600

1-2 PNJC_N1_2x10_α1 3 4 2 10 0.4 0.1 8310 16600

1-3 PNJC_N1_3x3_α1 9 10 3 3 0.5 0.3 8310 16600

1-4 PNJC_N1_10x10_α1 11 12 10 10 1 0.3 8310 16600

1-5 PNJC_N1_32x32_α1 1 2 2 10 1 1 8310 16200

1-6 PNJC_N1_100x100_α

13 4 2 30 1 0.3 8310 16200

1-7 PNJC_N1_3x10_α1 7 8 3 10 0.5 0.3 8310 16200

1-8 PNJC_N1_3x30_α1 9 10 3 30 0.5 0.3 8310 16200

1-9 PNJC_N1_10x100_α1 11 12 10 100 1 0.3 8310 16200

cath ano

P(P+)

CNT LOCOS

M1L(Active)

CNT1um□※1

N1(N-)cathode

anode

CNT-M1 合わせ余裕 0.4um以上L-N1 合わせ余裕 1um以上

※1 接合領域10x10um、32x32um、100x100um以外は0.4um□

L

W

接合領域2x2um、3x3umはCNT1個。10x10umは9個配置。2x10umは5個。

3x10umは4個

p-sub

M1

N2(N+)

Silicide

接合領域がN1マスクで決まる

接合領域

N+

N-

SP(Silicideなし領域)

L(um) W(um)

L + NOT SPがSilicide領域

(37)

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PN接合N1型(その2)

No. 素子名 Pad番号 N1 N1-N2(um)

N2-Silic-ide(um)

X-cord (um)

Y-cord (um)

2-1 PNJC_N1_2x2_α2 1 2 2 2 0.4 0.1 3720 15800

2-2 PNJC_N1_2x10_α2 3 4 2 10 0.4 0.1 3720 15800

2-3 PNJC_N1_3x3_α2 9 10 3 3 0.5 0.3 3720 15800

2-4 PNJC_N1_10x10_α2 11 12 10 10 1 0.3 3720 15800

2-5 PNJC_N1_32x32_α2 1 2 2 10 1 1 3720 15400

2-6 PNJC_N1_100x100_α2 3 4 2 30 1 0.3 3720 15400

2-7 PNJC_N1_3x10_α2 7 8 3 10 0.5 0.3 3720 15400

2-8 PNJC_N1_3x30_α2 9 10 3 30 0.5 0.3 3720 15400

2-9 PNJC_N1_10x100_α2 11 12 10 100 1 0.3 3720 15400

3-1 PNJC_N1_2x2_β1 1 2 2 2 0.4 0.1 10170 16600

3-2 PNJC_N1_2x10_β1 3 4 2 10 0.4 0.1 10170 16600

3-3 PNJC_N1_3x3_β1 9 10 3 3 0.5 0.3 10170 16600

3-4 PNJC_N1_10x10_β1 11 12 10 10 1 0.3 10170 16600

3-5 PNJC_N1_32x32_β1 1 2 2 10 1 1 10170 16200

3-6 PNJC_N1_100x100_β1 3 4 2 30 1 0.3 10170 16200

3-7 PNJC_N1_3x10_β1 7 8 3 10 0.5 0.3 10170 16200

3-8 PNJC_N1_3x30_β1 9 10 3 30 0.5 0.3 10170 16200

3-9 PNJC_N1_10x100_β1 11 12 10 100 1 0.3 10170 16200

4-1 PNJC_N1_2x2_β2 1 2 2 2 0.4 0.1 16620 15800

4-2 PNJC_N1_2x10_β2 3 4 2 10 0.4 0.1 16620 15800

4-3 PNJC_N1_3x3_β2 9 10 3 3 0.5 0.3 16620 15800

4-4 PNJC_N1_10x10_β2 11 12 10 10 1 0.3 16620 15800

4-5 PNJC_N1_32x32_β2 1 2 2 10 1 1 16620 15400

4-6 PNJC_N1_100x100_β2 3 4 2 30 1 0.3 16620 15400

4-7 PNJC_N1_3x10_β2 7 8 3 10 0.5 0.3 16620 15400

4-8 PNJC_N1_3x30_β2 9 10 3 30 0.5 0.3 16620 15400

4-9 PNJC_N1_10x100_β2 11 12 10 100 1 0.3 16620 15400

cath ano L(um) W(um)

(38)

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PN接合N1型(その3)

cathode

anode CNT-M1 合わせ余裕 0.4um以上L-N1 合わせ余裕 1um

素子と素子の間隔(Lの間隔)

1um以上

10個並列型

No. 素子名 Pad番号 N1 N1-N2(um)

N2-Silic-ide(um)

X-cord (um)

Y-cord (um)

1-1 PNJC_N1_2x10x10_α1 7 8 2 10 0.4 0.1 8310 16600

1-2 PNJC_N1_3x10x10_α1 13 14 3 10 0.5 0.3 8310 16200

1-3 PNJC_N1_10x100x10_α1 15 16 10 100 1 0.3 8310 16200

2-1 PNJC_N1_2x10x10_α2 7 8 2 10 0.4 0.1 3720 15800

2-2 PNJC_N1_3x10x10_α2 13 14 3 10 0.5 0.3 3720 15400

2-3 PNJC_N1_10x100x10_α2 15 16 10 100 1 0.3 3720 15400

3-1 PNJC_N1_2x10x10_β1 7 8 2 10 0.4 0.1 10170 16600

3-2 PNJC_N1_3x10x10_β1 13 14 3 10 0.5 0.3 10170 16200

3-3 PNJC_N1_10x100x10_β1 15 16 10 100 1 0.3 10170 16200

4-1 PNJC_N1_2x10x10_β2 7 8 2 10 0.4 0.1 16620 15800

4-2 PNJC_N1_3x10x10_β2 13 14 3 10 0.5 0.3 16620 15400

4-3 PNJC_N1_10x100x10_β2 15 16 10 100 1 0.3 16620 15400

cath ano L(um) W(um)

(39)

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PN接合N1型(その4)

cathode

anode

CNT-M1 合わせ余裕 1um

L-CNT 合わせ余裕 1.5um

素子と素子の間隔(Lの間隔)

6um

100x100um 3行3列型

300x300umではなく100x100umご

とに素子が分離されている

L(Active) M1 CNT

No. 素子名 Pad番号 N1 N1-N2(um)

N2-Silic-ide(um)

X-cord (um)

Y-cord (um)

1 PNJC_N1_100x100x9_α1 5 6 100 100 1 0.3 8310 16200

2 PNJC_N1_100x100x9_α2 5 6 100 100 1 0.3 3720 15400

3 PNJC_N1_100x100x9_β1 5 6 100 100 1 0.3 10170 16200

4 PNJC_N1_100x100x9_β2 5 6 100 100 1 0.3 16620 15400

cath ano L(um) W(um)

(40)

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Di付1x1

Di付2x2

Di付3x3

Di付10x10

Di付2x3

Di付2x10

Di付GoC1x1

Di付GoC2x2

Di付GoC3x3

Di付GoC10x10

Di付GoC2x3

Di付GoC2x10

GoC1x1

GoC2x2

GoC3x3 CNT .4

GoC3x3 CNT1

GoC10x10

GoC30x30

GoC100x100

GoC100x100x9

GoC100x100x3

GoC2x3

GoC2x10

GoC2x30

GoC10x30

GoC10x100

GoC2x10x10

GoC2x30x10

GoC10x30x10

GoC10x100x10

2x3x10

2x10x10

3x10x10

3x30x10

10x30x10

10x100 x10

GoC=Gate on CNT Di付=保護Diode付き

2x3 2x10 2x30 3x10 3x30 10x30 10x100

1x1 2x2 3x3 10x10

30x30

100x100

100x100x9

100x100x3

MOS容量L型①②③④⑤⑥配置図赤字は詳細説明無

CNTM1

Poly-Si

LOCOS

p-sub ゲート酸化膜

silicide

CNT

M1

Poly-Si

LOCOS

p-sub ゲート酸化膜

silicide

Gate on CNT

LOCOS on CNT

(41)

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MOS容量L型(その1)

No. 素子名 Pad番号 ゲート寸法 X-cord (um)

Y-cord (um)

1-1 MOSCP_L_1x1_1 1 2 1 1 3720 25650

1-2 MOSCP_L_2x2_1 3 4 2 2 3720 25650

1-3 MOSCP_L_3x3_1 5 6 3 3 3720 25650

1-4 MOSCP_L_10x10_1 7 8 10 10 3720 25650

1-5 MOSCP_L_30x30_1 9 10 30 30 3720 25650

1-6 MOSCP_L_100x100_1 11 12 100 100 3720 25650

1-7 MOSCP_L_2x3_1 1 2 2 3 3720 24850

1-8 MOSCP_L_2x10_1 3 4 2 10 3720 24850

1-9 MOSCP_L_2x30_1 5 6 2 30 3720 24850

1-10 MOSCP_L_3x10_1 7 8 3 10 3720 24850

1-11 MOSCP_L_3x30_1 9 10 3 30 3720 24850

gate sub

P(P+)

CNT

M1

L(Active) CNT1um□

gate

sub

CNT-M1 合わせ余裕 0.4um以上

PolySi-CNT 合わせ余裕 0.5um以上

※1 ゲート寸法1x1um、2x2um、はCNT0.4um□。それ以外は1um□

L

W

ゲート寸法10x10umまでCNT1個。30x30umは3個。10x100um、100x100umは9個配置

M1

ゲート領域がLマスクで決まる

L(um) W(um)

Poly-Si

LOCOS

p-sub ゲート酸化膜

CNT1um□※1

FG(Poly-Si)

silicide

(42)

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MOS容量L型(その2)

No. 素子名 Pad番号 ゲート寸法 X-cord (um)

Y-cord (um)

1-12 MOSCP_L_10x30_1 11 12 10 30 3720 24850

1-13 MOSCP_L_10x100_1 13 14 10 100 3720 24850

2-1 MOSCP_L_1x1_2 1 2 1 1 5580 25650

2-2 MOSCP_L_2x2_2 3 4 2 2 5580 25650

2-3 MOSCP_L_3x3_2 5 6 3 3 5580 25650

2-4 MOSCP_L_10x10_2 7 8 10 10 5580 25650

2-5 MOSCP_L_30x30_2 9 10 30 30 5580 25650

2-6 MOSCP_L_100x100_2 11 12 100 100 5580 25650

2-7 MOSCP_L_2x3_2 1 2 2 3 5580 24850

2-8 MOSCP_L_2x10_2 3 4 2 10 5580 24850

2-9 MOSCP_L_2x30_2 5 6 2 30 5580 24850

2-10 MOSCP_L_3x10_2 7 8 3 10 5580 24850

2-11 MOSCP_L_3x30_2 9 10 3 30 5580 24850

2-12 MOSCP_L_10x30_2 11 12 10 30 5580 24850

2-13 MOSCP_L_10x100_2 13 14 10 100 5580 24850

3-1 MOSCP_L_1x1_3 1 2 1 1 5580 17000

3-2 MOSCP_L_2x2_3 3 4 2 2 5580 17000

3-3 MOSCP_L_3x3_3 5 6 3 3 5580 17000

3-4 MOSCP_L_10x10_3 7 8 10 10 5580 17000

3-5 MOSCP_L_30x30_3 9 10 30 30 5580 17000

3-6 MOSCP_L_100x100_3 11 12 100 100 5580 17000

3-7 MOSCP_L_2x3_3 1 2 2 3 5580 16200

3-8 MOSCP_L_2x10_3 3 4 2 10 5580 16200

3-9 MOSCP_L_2x30_3 5 6 2 30 5580 16200

3-10 MOSCP_L_3x10_3 7 8 3 10 5580 16200

3-11 MOSCP_L_3x30_3 9 10 3 30 5580 16200

3-12 MOSCP_L_10x30_3 11 12 10 30 5580 16200

3-13 MOSCP_L_10x100_3 13 14 10 100 5580 16200

gate sub L(um) W(um)

(43)

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MOS容量L型(その3)

No. 素子名 Pad番号 ゲート寸法 X-cord (um)

Y-cord (um)

4-1 MOSCP_L_1x1_4 1 2 1 1 18480 17000

4-2 MOSCP_L_2x2_4 3 4 2 2 18480 17000

4-3 MOSCP_L_3x3_4 5 6 3 3 18480 17000

4-4 MOSCP_L_10x10_4 7 8 10 10 18480 17000

4-5 MOSCP_L_30x30_4 9 10 30 30 18480 17000

4-6 MOSCP_L_100x100_4 11 12 100 100 18480 17000

4-7 MOSCP_L_2x3_4 1 2 2 3 18480 16200

4-8 MOSCP_L_2x10_4 3 4 2 10 18480 16200

4-9 MOSCP_L_2x30_4 5 6 2 30 18480 16200

4-10 MOSCP_L_3x10_4 7 8 3 10 18480 16200

4-11 MOSCP_L_3x30_4 9 10 3 30 18480 16200

4-12 MOSCP_L_10x30_4 11 12 10 30 18480 16200

4-13 MOSCP_L_10x100_4 13 14 10 100 18480 16200

5-1 MOSCP_L_1x1_5 1 2 1 1 5580 12800

5-2 MOSCP_L_2x2_5 3 4 2 2 5580 12800

5-3 MOSCP_L_3x3_5 5 6 3 3 5580 12800

5-4 MOSCP_L_10x10_5 7 8 10 10 5580 12800

5-5 MOSCP_L_30x30_5 9 10 30 30 5580 12800

5-6 MOSCP_L_100x100_5 11 12 100 100 5580 12800

5-7 MOSCP_L_2x3_5 1 2 2 3 5580 12000

5-8 MOSCP_L_2x10_5 3 4 2 10 5580 12000

5-9 MOSCP_L_2x30_5 5 6 2 30 5580 12000

5-10 MOSCP_L_3x10_5 7 8 3 10 5580 12000

5-11 MOSCP_L_3x30_5 9 10 3 30 5580 12000

5-12 MOSCP_L_10x30_5 11 12 10 30 5580 12000

5-13 MOSCP_L_10x100_5 13 14 10 100 5580 12000

gate sub L(um) W(um)

(44)

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MOS容量L型(その4)

No. 素子名 Pad番号 ゲート寸法 X-cord (um)

Y-cord (um)

6-1 MOSCP_L_1x1_6 1 2 1 1 18480 12800

6-2 MOSCP_L_2x2_6 3 4 2 2 18480 12800

6-3 MOSCP_L_3x3_6 5 6 3 3 18480 12800

6-4 MOSCP_L_10x10_6 7 8 10 10 18480 12800

6-5 MOSCP_L_30x30_6 9 10 30 30 18480 12800

6-6 MOSCP_L_100x100_6 11 12 100 100 18480 12800

6-7 MOSCP_L_2x3_6 1 2 2 3 18480 12000

6-8 MOSCP_L_2x10_6 3 4 2 10 18480 12000

6-9 MOSCP_L_2x30_6 5 6 2 30 18480 12000

6-10 MOSCP_L_3x10_6 7 8 3 10 18480 12000

6-11 MOSCP_L_3x30_6 9 10 3 30 18480 12000

6-12 MOSCP_L_10x30_6 11 12 10 30 18480 12000

6-13 MOSCP_L_10x100_6 13 14 10 100 18480 12000

gate sub L(um) W(um)

(45)

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MOS容量L型(その5)

gate

sub

素子と素子の間隔(Lの間隔)

2.4um以上

10個並列型

単品2x3um、2x10um、3x10um、3x30um、10x30um、10x100umを10個並列化。

CNT-M1 合わせ余裕 0.6um以上

PolySi-CNT 合わせ余裕 0.7um以上

No. 素子名 Pad番号 ゲート寸法 並列数 X-cord (um)

Y-cord (um)

1-1 MOSCP_L_2x3x10_1 1 2 2 3 10 3720 24450

1-2 MOSCP_L_2x10x10_1 3 4 2 10 10 3720 24450

1-3 MOSCP_L_3x10x10_1 5 6 3 10 10 3720 24450

1-4 MOSCP_L_3x30x10_1 7 8 3 30 10 3720 24450

1-5 MOSCP_L_10x30x10_1 9 10 10 30 10 3720 24450

1-6 MOSCP_L_10x100x10_1 11 12 10 100 10 3720 24450

L(um) W(um)gate sub

(46)

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MOS容量L型(その6)

No. 素子名 Pad番号 ゲート寸法 並列数 X-cord (um)

Y-cord (um)

2-1 MOSCP_L_2x3x10_2 1 2 2 3 10 5580 24450

2-2 MOSCP_L_2x10x10_2 3 4 2 10 10 5580 24450

2-3 MOSCP_L_3x10x10_2 5 6 3 10 10 5580 24450

2-4 MOSCP_L_3x30x10_2 7 8 3 30 10 5580 24450

2-5 MOSCP_L_10x30x10_2 9 10 10 30 10 5580 24450

2-6 MOSCP_L_10x100x10_2 11 12 10 100 10 5580 24450

3-1 MOSCP_L_2x3x10_3 1 2 2 3 10 5580 15800

3-2 MOSCP_L_2x10x10_3 3 4 2 10 10 5580 15800

3-3 MOSCP_L_3x10x10_3 5 6 3 10 10 5580 15800

3-4 MOSCP_L_3x30x10_3 7 8 3 30 10 5580 15800

3-5 MOSCP_L_10x30x10_3 9 10 10 30 10 5580 15800

3-6 MOSCP_L_10x100x10_3 11 12 10 100 10 5580 15800

4-1 MOSCP_L_2x3x10_4 1 2 2 3 10 18480 15800

4-2 MOSCP_L_2x10x10_4 3 4 2 10 10 18480 15800

4-3 MOSCP_L_3x10x10_4 5 6 3 10 10 18480 15800

4-4 MOSCP_L_3x30x10_4 7 8 3 30 10 18480 15800

4-5 MOSCP_L_10x30x10_4 9 10 10 30 10 18480 15800

4-6 MOSCP_L_10x100x10_4 11 12 10 100 10 18480 15800

5-1 MOSCP_L_2x3x10_5 1 2 2 3 10 5580 11600

5-2 MOSCP_L_2x10x10_5 3 4 2 10 10 5580 11600

5-3 MOSCP_L_3x10x10_5 5 6 3 10 10 5580 11600

5-4 MOSCP_L_3x30x10_5 7 8 3 30 10 5580 11600

5-5 MOSCP_L_10x30x10_5 9 10 10 30 10 5580 11600

5-6 MOSCP_L_10x100x10_5 11 12 10 100 10 5580 11600

6-1 MOSCP_L_2x3x10_6 1 2 2 3 10 18480 11600

6-2 MOSCP_L_2x10x10_6 3 4 2 10 10 18480 11600

6-3 MOSCP_L_3x10x10_6 5 6 3 10 10 18480 11600

6-4 MOSCP_L_3x30x10_6 7 8 3 30 10 18480 11600

6-5 MOSCP_L_10x30x10_6 9 10 10 30 10 18480 11600

6-6 MOSCP_L_10x100x10_6 11 12 10 100 10 18480 11600

L(um) W(um)gate sub

(47)

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MOS容量L型(その7)

No. 素子名 Pad番号 ゲート寸法 並列数 X-cord (um)

Y-cord (um)

1-1 MOSCP_N1_100x100x9_1 13 14 100 100 3x3 3720 25650

1-2 MOSCP_N1_100x100x3_1 19 20 100 100 3 3720 25650

2-1 MOSCP_N1_100x100x9_2 13 14 100 100 3x3 5580 25650

2-2 MOSCP_N1_100x100x3_2 19 20 100 100 3 5580 25650

3-1 MOSCP_N1_100x100x9_3 13 14 100 100 3x3 5580 17000

3-2 MOSCP_N1_100x100x3_3 19 20 100 100 3 5580 17000

4-1 MOSCP_N1_100x100x9_4 13 14 100 100 3x3 18480 17000

4-2 MOSCP_N1_100x100x3_4 19 20 100 100 3 18480 17000

5-1 MOSCP_N1_100x100x9_5 13 14 100 100 3x3 5580 12800

5-2 MOSCP_N1_100x100x3_5 19 20 100 100 3 5580 12800

6-1 MOSCP_N1_100x100x9_6 13 14 100 100 3x3 18480 12800

6-2 MOSCP_N1_100x100x3_6 19 20 100 100 3 18480 12800

gate

sub

100x100um 3行3列型 100x100um 3列型

gate

sub

L(um) W(um)gate sub

素子と素子の間隔(Lの間隔)

10um

CNT-M1 合わせ余裕 1um

PolySi-CNT 合わせ余裕 2um

(48)

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MOS容量FG型①②③配置図赤字は詳細説明無

N+ガードリング付ガードリング無

M1>L2x3

M1>L2x10

M1>L2x30

M1>L10x30

M1>L10x100

M1>L2x10x10

M1>L2x30x10

M1>L10x30 x10

M1>L10x100x10

M1>L2x2

M1>L3x3

M1>L10x10

M1>L30x30

M1>L30x10

M1>L100x100

M1>L100x100x9

M1>L100x100x3

2x3 2x10 2x30 10x30

10x100

2x10x10

2x30x10

10x30X10

10x100x10

2x2 3x3 10x10 30x30

30x10

100x100

100x100x9

100x100x3

(49)

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MOS容量FG型(その1)

No. 素子名 Pad番号 ゲート寸法 CNT数 X-cord(um)

Y-cord(um)

1-1 MOSCP_N1_2x2_1 1 2 2 2 1 16620 25650

1-2 MOSCP_N1_3x3_1 3 4 3 3 1 16620 25650

1-3 MOSCP_N1_10x10_1 5 6 10 10 9 16620 25650

1-4 MOSCP_N1_30x30_1 7 8 30 30 9x9 16620 25650

1-5 MOSCP_N1_30x10_1 9 10 30 10 9x3 16620 25650

1-6 MOSCP_N1_100x100_1 11 12 100 100 9x100 16620 25650

1-7 MOSCP_N1_2x3_1 1 2 2 3 2 16620 24850

1-8 MOSCP_N1_2x10_1 3 4 2 10 5 16620 24850

1-9 MOSCP_N1_2x30_1 5 6 2 30 15 16620 24850

1-10 MOSCP_N1_10x30_1 7 8 10 30 9x3 16620 24850

1-11 MOSCP_N1_10x100_1 9 10 10 100 9x10 16620 24850

gate sub

P(P+)

CNT

M1

L(Active) CNT1um□

gate

sub

CNT-M1 合わせ余裕 0.4um以上

silicide-CNT 合わせ余裕 0.4um以上

※1 L>10のとき、CNT1um□。それ以外は0.4um□

L

W

M1

ゲート領域がFGマスクで決まる

L(um) W(um)

silicide

LOCOS

p-sub ゲート酸化膜

CNT1um□※1

FG(Poly-Si)

Poly-Si

SP(silicide無し領域)

L-PolySi 合わせ余裕 1um以上

(50)

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MOS容量FG型(その2)

No. 素子名 Pad番号 ゲート寸法 CNT数 X-cord (um)

Y-cord (um)

2-1 MOSCP_N1_2x2_2 1 2 2 2 1 8310 21400

2-2 MOSCP_N1_3x3_2 3 4 3 3 1 8310 21400

2-3 MOSCP_N1_10x10_2 5 6 10 10 9 8310 21400

2-4 MOSCP_N1_30x30_2 7 8 30 30 9x9 8310 21400

2-5 MOSCP_N1_30x10_2 9 10 30 10 9x3 8310 21400

2-6 MOSCP_N1_100x100_2 11 12 100 100 9x100 8310 21400

2-7 MOSCP_N1_2x3_2 1 2 2 3 2 8310 20600

2-8 MOSCP_N1_2x10_2 3 4 2 10 5 8310 20600

2-9 MOSCP_N1_2x30_2 5 6 2 30 15 8310 20600

2-10 MOSCP_N1_10x30_2 7 8 10 30 9x3 8310 20600

2-11 MOSCP_N1_10x100_2 9 10 10 100 9x10 8310 20600

3-1 MOSCP_N1_2x2_3 1 2 2 2 1 8310 19000

3-2 MOSCP_N1_3x3_3 3 4 3 3 1 8310 19000

3-3 MOSCP_N1_10x10_3 5 6 10 10 9 8310 19000

3-4 MOSCP_N1_30x30_3 7 8 30 30 9x9 8310 19000

3-5 MOSCP_N1_30x10_3 9 10 30 10 9x3 8310 19000

3-6 MOSCP_N1_100x100_3 11 12 100 100 9x100 8310 19000

3-7 MOSCP_N1_2x3_3 1 2 2 3 2 8310 18200

3-8 MOSCP_N1_2x10_3 3 4 2 10 5 8310 18200

3-9 MOSCP_N1_2x30_3 5 6 2 30 15 8310 18200

3-10 MOSCP_N1_10x30_3 7 8 10 30 9x3 8310 18200

3-11 MOSCP_N1_10x100_3 9 10 10 100 9x10 8310 18200

gate sub L(um) W(um)

(51)

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MOS容量FG型(その3)

gate

sub

10個並列型

素子と素子の間隔(Lの間隔)

2um

単品2x10um、2x30um、10x30um、10x100umを10個並列化

No. 素子名 Pad番号 ゲート寸法 並列数 X-cord(um)

Y-cord(um)

1-1 MOSCP_N1_2x10x10_1 11 12 2 10 10 16620 24850

1-2 MOSCP_N1_2x30x10_1 13 14 2 30 10 16620 24850

1-3 MOSCP_N1_10x30x10_1 15 16 10 30 10 16620 24850

1-4 MOSCP_N1_10x100x10_1 17 18 10 100 10 16620 24850

2-1 MOSCP_N1_2x10x10_2 11 12 2 10 10 8310 20600

2-2 MOSCP_N1_2x30x10_2 13 14 2 30 10 8310 20600

2-3 MOSCP_N1_10x30x10_2 15 16 10 30 10 8310 20600

2-4 MOSCP_N1_10x100x10_2 17 18 10 100 10 8310 20600

3-1 MOSCP_N1_2x10x10_3 11 12 2 10 10 8310 18200

3-2 MOSCP_N1_2x30x10_3 13 14 2 30 10 8310 18200

3-3 MOSCP_N1_10x30x10_3 15 16 10 30 10 8310 18200

3-4 MOSCP_N1_10x100x10_3 17 18 10 100 10 8310 18200

gate sub L(um) W(um)

silicide-CNT 、CNT-M1 合わせ余裕 0.4um以上

L-PolySi 合わせ余裕 1um

(52)

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MOS容量FG型(その4)

gate

sub

100x100um 3行3列型

gate

sub

100x100um 3列型

No. 素子名 Pad番号 ゲート寸法 並列数 X-cord(um)

Y-cord(um)

1-1 MOSCP_N1_100x100x9_1 13 14 100 100 3x3 16620 25650

1-2 MOSCP_N1_100x100x3_1 19 20 100 100 3 16620 25650

2-1 MOSCP_N1_100x100x9_2 13 14 100 100 3x3 8310 21400

2-2 MOSCP_N1_100x100x3_2 19 20 100 100 3 8310 21400

3-1 MOSCP_N1_100x100x9_3 13 14 100 100 3x3 8310 19000

3-2 MOSCP_N1_100x100x3_3 19 20 100 100 3 8310 19000

gate sub L(um) W(um)

silicide-CNT 合わせ余裕 1.5um

L-PolySi 合わせ余裕 2um

素子と素子の間隔(Lの間隔)

6um

CNT-M1 合わせ余裕 1um

(53)

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Poly-Si5x5

Poly-Si5x10

Poly-Si5x20

PoSi 1x10素子上M1配線無

PoSi 1x10素子上M1配線付

Poly-Si1x5

Poly-Si1x10

Poly-Si1x20

Poly-Si2x5

Poly-Si2x10

Poly-Si2x20

N+1x5.6

N+1x10.6

N+1x20.6

N+5x5.6

N+5x10.6

N+5x20.6

N-2x20

N-5x5

N-5x10

N-5x20

N- 1x10素子上M1配線無

N- 1x10素子上M1配線付

N-1x5

N-1x10

N-1x20

N-1x30

N-2x5

N-2x10

FEOL抵抗①②配置図赤字は詳細説明無

(54)

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FEOL抵抗(その1)

M1 L(Active)

N2(N+) N1(N-)

High

Low sub

CNT-M1 合わせ余裕 0.4um

L(FG)-CNT 合わせ余裕 0.3um幅L 1um当たりCNT1個配置

p-sub

W(CNT)Silicide

N-N+N-抵抗

LOCOS

W

CNT径 0.4um

p-sub

W(CNT)Silicide

N-N+N+抵抗

LOCOS

p-sub

W(CNT)

Silicide

Poly-Si抵抗

LOCOS

Poly-Si

W

L

L

W

L

Silicide-CNT 合わせ余裕 0.6um(N+、N-)0.7um(Poly-Si)

SP(silicide無し領域)

CNT 0.4um□

M1

M1

CNT 0.4um□

M1

N2(N+) N1(N-)SP(silicide無し領域)

N-抵抗のN+の長さ

0.3um

M1 FG(Poly-Si)

M1

(55)

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No. 素子名 Pad番号 L(um)

W(um)

X-cord (um)

Y-cord (um)

1-1 N-R_1x5_1 1 2 4 1 5 8310 12800

1-2 N-R_1x10_1 5 6 8 1 10 8310 12800

1-3 N-R_1x20_1 9 10 12 1 20 8310 12800

1-4 N-R_1x30_1 13 14 16 1 30 8310 12800

1-5 N-R_2x5_1 17 18 20 2 5 8310 12800

1-6 N-R_2x10_1 21 22 24 2 10 8310 12800

1-7 N-R_2x20_1 1 2 4 2 20 8310 12400

1-8 N-R_5x5_1 5 6 8 5 5 8310 12400

1-9 N-R_5x10_1 9 10 12 5 10 8310 12400

1-10 N-R_5x20_1 13 14 16 5 20 8310 12400

1-11 N+R_1x5.6_1 1 2 4 1 5.6 8310 12000

1-12 N+R_1x10.6_1 5 6 8 1 10.6 8310 12000

1-13 N+R_1x20.6_1 9 10 12 1 20.6 8310 12000

1-14 N+R_5x5.6_1 13 14 16 5 5.6 8310 12000

1-15 N+R_5x10.6_1 17 18 20 5 10.6 8310 12000

1-16 N+R_5x20.6_1 21 22 24 5 20.6 8310 12000

1-17 Poly-SiR_1x5_1 1 2 4 1 5 8310 11600

1-18 Poly-SiR_1x10_1 5 6 8 1 10 8310 11600

1-19 Poly-SiR_1x20_1 9 10 12 1 20 8310 11600

1-20 Poly-SiR_2x5_1 13 14 16 2 5 8310 11600

1-21 Poly-SiR_2x10_1 17 18 20 2 10 8310 11600

1-22 Poly-SiR_2x20_1 21 22 24 2 20 8310 11600

1-23 Poly-SiR_5x5_1 1 2 4 5 5 8310 11200

1-24 Poly-SiR_5x10_1 5 6 8 5 10 8310 11200

1-25 Poly-SiR_5x20_1 9 10 12 5 20 8310 11200

High Low sub

FEOL抵抗(その2)

(56)

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No. 素子名 Pad番号 L(um)

W(um)

X-cord (um)

Y-cord (um)

2-1 N-R_1x5_2 1 2 4 1 5 10170 12800

2-2 N-R_1x10_2 5 6 8 1 10 10170 12800

2-3 N-R_1x20_2 9 10 12 1 20 10170 12800

2-4 N-R_1x30_2 13 14 16 1 30 10170 12800

2-5 N-R_2x5_2 17 18 20 2 5 10170 12800

2-6 N-R_2x10_2 21 22 24 2 10 10170 12800

2-7 N-R_2x20_2 1 2 4 2 20 10170 12400

2-8 N-R_5x5_2 5 6 8 5 5 10170 12400

2-9 N-R_5x10_2 9 10 12 5 10 10170 12400

2-10 N-R_5x20_2 13 14 16 5 20 10170 12400

2-11 N+R_1x5.6_2 1 2 4 1 5.6 10170 12000

2-12 N+R_1x10.6_2 5 6 8 1 10.6 10170 12000

2-13 N+R_1x20.6_2 9 10 12 1 20.6 10170 12000

2-14 N+R_5x5.6_2 13 14 16 5 5.6 10170 12000

2-15 N+R_5x10.6_2 17 18 20 5 10.6 10170 12000

2-16 N+R_5x20.6_2 21 22 24 5 20.6 10170 12000

2-17 Poly-SiR_1x5_2 1 2 4 1 5 10170 11600

2-18 Poly-SiR_1x10_2 5 6 8 1 10 10170 11600

2-19 Poly-SiR_1x20_2 9 10 12 1 20 10170 11600

2-20 Poly-SiR_2x5_2 13 14 16 2 5 10170 11600

2-21 Poly-SiR_2x10_2 17 18 20 2 10 10170 11600

2-22 Poly-SiR_2x20_2 21 22 24 2 20 10170 11600

2-23 Poly-SiR_5x5_2 1 2 4 5 5 10170 11200

2-24 Poly-SiR_5x10_2 5 6 8 5 10 10170 11200

2-25 Poly-SiR_5x20_2 9 10 12 5 20 10170 11200

High Low sub

FEOL抵抗(その3)

(57)

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CNT 0.4umP+型

CNT 1umP+型

CNT 0.4umPoly-Si型

CNT 1umPoly-Si型

CNT 0.4umN+型

CNT 1umN+型

CNT 0.4umN-型

CNT 1umN-型

CNT抵抗①②配置図赤字は詳細説明無

(58)

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CNT抵抗(その1)

No. 素子名 Pad番号 CNT径

(um)CNT間

距離(um)Silicide間

距離(um)X-cord (um)

Y-cord (um)

1-1 CNTR_0.4_Poly-Si_1 1 2 4 3 0.4 2 1.1 8310 10000

1-2 CNTR_1_Poly-Si_1 5 6 8 7 1 4.5 2 8310 10000

1-3 CNTR_0.4_P+_1 1 2 4 3 0.4 2 1.1 8310 9600

1-4 CNTR_1_P+_1 5 6 8 7 1 4.5 2 8310 9600

2-1 CNTR_0.4_Poly-Si_2 1 2 4 3 0.4 2 1.1 10170 10000

2-2 CNTR_1_Poly-Si_2 5 6 8 7 1 4.5 2 10170 10000

2-3 CNTR_0.4_P+_2 1 2 4 3 0.4 2 1.1 10170 9600

2-4 CNTR_1_P+_2 5 6 8 7 1 4.5 2 10170 9600

High V1 V2 Low

High Low

V1

FG-CNT, L-CNT, CNT-M1の合わせ余裕はCNT径と同じ

p-subLOCOS

SilicidePoly-Si型(CNT=0.4um)

Poly-SiW(CNT)

p-sub

LOCOSW(CNT)

Silicide P+P+型(CNT=1um)

V2

CNT径0.4umと1umの抵抗を4端

子で測定

M1

V1 Low

V2

High FG(Poly-Si)

M1

SP(Silicideなし領域)

CNT0.4um□

P(P+)

SP(Silicideなし領域)CNT1um□

L(Active)M1

M1

(59)

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CNT抵抗(その2)

No. 素子名 Pad番号 CNT径

(um)CNT間

距離(um)Silicide間

距離(um)X-cord (um)

Y-cord(um)

1-1 CNTR_0.4_N+_1 9 10 12 11 0.4 2 1.1 8310 10000

1-2 CNTR_1_N+_1 13 14 16 15 1 4.5 2 8310 10000

1-3 CNTR_0.4_N-_1 17 18 20 19 0.4 2 1.1 8310 10000

1-4 CNTR_1_N-_1 21 22 24 23 1 4.5 2 8310 10000

2-1 CNTR_0.4_N+_2 9 10 12 11 0.4 2 1.1 10170 10000

2-2 CNTR_1_N+_2 13 14 16 15 1 4.5 2 10170 10000

2-3 CNTR_0.4_N-_2 17 18 20 19 0.4 2 1.1 10170 10000

2-4 CNTR_1_N-_2 21 22 24 23 1 4.5 2 10170 10000

High V1 V2 Low

High Low

V1

L-CNT, CNT-M1の合わせ余裕はCNT径と同じ

p-subLOCOS

Silicide

N+型(CNT=0.4um)N+

W(CNT)

p-sub

LOCOSW(CNT)

Silicide N-N-型(CNT=1um)

V2

N+

N2(N+)M1

SP(Silicideなし領域)

CNT0.4um□

L(Active)

N1(Nー)

M1

Nー

CNT1um□

SP(Silicideなし領域) L(Active)N1(Nー)

M1 N2(N+)

M1

SilicideとN-の間(N+)の距離は

0.4um(CNT0.4um)、0.5um(CNT1um)

(60)

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Silicideon Poly-Si型

Silicideon N+型

P-型 sub型 N-型 N+型 N+onN-型 Poly-Si型

シート抵抗①②配置図赤字は詳細説明無

(61)

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シート抵抗(N型拡散抵抗)

No. 素子名 Pad番号 X-cord(um)

Y-cord(um)

1-1 SheetR_N-_1 9 10 12 11 8310 9200

1-2 SheetR_N+_1 13 14 16 15 8310 9200

1-3 SheetR_N+onN-_1 17 18 20 19 8310 9200

1-4 SheetR_SilicideonN+_1 5 6 8 7 8310 8800

2-1 SheetR_N-_2 9 10 12 11 10170 9200

2-2 SheetR_N+_2 13 14 16 15 10170 9200

2-3 SheetR_N+onN-_2 17 18 20 19 10170 9200

2-4 SheetR_SilicideonN+_2 5 6 8 7 10170 8800

High LowV1 V2

p-sub

LOCOSW(CNT)Silicide

N-N+

p-subN-

N+

N+

N-型

N+型

N+ on N-型

44um

42um

CNT 1um□

N-型の平面図

CNT-M1 合わせ余裕 1.5um

L-CNT 合わせ余裕 1um

Silicide N-N+Silicide on N+型

46um

42um

42um

(62)

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シート抵抗(P型拡散抵抗)

p-sub

LOCOSW(CNT)Silicide

P+P-型

42um

CNT 1um□

P-型の平面図

CNT-M1 合わせ余裕 1.5umL-CNT 合わせ余裕 1um

p-sub

LOCOSW(CNT)Silicide

P+Sub型

No. 素子名 Pad番号 X-cord(um)

Y-cord(um)

1-1 SheetR_P-_1 1 2 4 3 8310 9200

1-2 SheetR_sub_1 5 6 8 7 8310 8800

2-1 SheetR_P-_2 1 2 4 3 10170 9200

2-2 SheetR_sub_2 5 6 8 7 10170 9200

High LowV1 V2

42um

42um

(63)

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シート抵抗(Poly-Si抵抗)

No. 素子名 Pad番号 X-cord(um)

Y-cord(um)

1-1 SheetR_Poly-Si_1 21 22 24 23 8310 9200

1-2 SheetR_SilicideonPoly-Si_1 1 2 4 3 8310 9200

2-1 SheetR_Poly-Si_2 21 22 24 23 10170 9200

2-2 SheetR_SilicideonPoly-Si_2 1 2 4 3 10170 8800

High LowV1 V2

p-subLOCOS

W(CNT)

Silicide

Poly-Si型

44um

CNT 1um□

Poly-Si型の平面図

44um

44um

CNT-M1 合わせ余裕 1.5umL-CNT 合わせ余裕 1um

Silicide on Poly-Si型

Poly-Si

Silicide

46um

Poly-SiLOCOS

(64)

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リングオシレータ/CNTチェーン左側配置図赤字は詳細説明無

21段 負荷N-1x30Trs. 0.5x10

21段 負荷Poly-Si0.3x30Trs. 0.5x10

11段 負荷Poly-Si1x30Trs. 0.5x10

N-型CNTチェーン

Silicide型CNTチェーン

Poly-Si型CNTチェーン

11段 負荷N-1x30Trs. 0.5x10

11段 負荷Poly-Si0.3x30Trs. 0.5x10

11段 負荷Poly-Si1x30Trs. 0.5x10

11段 MOSTrs.GS短絡を負荷

0.3x10Trs. 0.5x3

11段 MOSTrs.GS短絡を負荷

0.5x10Trs. 0.5x3

11段 負荷N-1x30Trs. 0.3x10

11段 負荷Poly-Si0.3x30Trs. 0.3x10

11段 負荷Poly-Si1x30Trs. 0.3x10

11段 MOSTrs.GS短絡を負荷

0.3x10Trs. 0.3x4

11段 MOSTrs.GS短絡を負荷

0.5x10Trs. 0.3x4

5段N-1x30Trs.0.3x10

5段Poly-Si0.3x30Trs.0.3x10

5段Poly-Si1x30Trs.0.3x10

5段N-1x30Trs.0.5x10

5段Poly-Si0.3x30Trs.0.5x10

5段Poly-Si1x30Trs.0.5x10

11段 Poly-Si1x30Trs. 0.5x10Poly-Si上配線無し

11段 Poly-Si1x30Trs. 0.5x10Poly-Si上M1配線

11段 Poly-Si1x30Trs. 0.5x10Poly-Si上M2配線

X-cord 12900 X-cord 14760

(65)

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リングオシレータ/CNTチェーン右側配置図赤字は詳細説明無

21段 負荷Poly-Si1x15Trs. 0.5x10

21段 負荷Poly-Si0.3x30Trs. 0.5x10

11段 負荷Poly-Si1x30Trs. 0.5x10

N-型CNTチェーンダミー

Silicide型CNTチェーンダミー

Poly-Si型CNTチェーンダミー

M1つづらCNTチェーンダミー

11段 負荷Poly-Si1x15Trs. 0.5x10

11段 負荷Poly-Si0.3x30Trs. 0.5x10

11段 負荷Poly-Si1x30Trs. 0.5x10

11段 負荷Poly-Si1x15Trs. 0.6x10

11段 負荷Poly-Si1x30Trs. 0.6x10

11段 負荷Poly-Si1x15Trs. 0.3x10

11段 負荷Poly-Si0.3x30Trs. 0.3x10

11段 負荷Poly-Si1x30Trs. 0.3x10

11段 負荷Poly-Si1x15Trs. 1x10

11段 負荷Poly-Si1x30Trs. 1x10

5段Poly-Si1x15Trs.0.3x10

5段Poly-Si0.3x30Trs.0.3x10

5段Poly-Si1x30Trs.0.3x10

5段Poly-Si1x15Trs.0.5x10

5段Poly-Si0.3x30Trs.0.5x10

5段Poly-Si1x30Trs.0.5x10

5段Poly-Si1x15Trs.0.6x10

5段Poly-Si1x15Trs.1x10

5段Poly-Si1x30Trs.0.6x10

5段Poly-Si1x30Trs.1x10

X-cord 16620 X-cord 18480

(66)

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リングオシレータ5段(その1)

No. 素子名 Pad番号 MOSTrs. (um) 負荷の

種類

寸法(um) X-cord(um)

Y-cord(um)

1 RO_Lv5_Trs0.3x10_N-1x30 1 3 4 0.3 10 N- 1 30 12900 1600

2 RO_Lv5_Trs0.3x10_PR0.3x30 5 7 8 0.3 10 PoSi 0.3 30 12900 1600

3 RO_Lv5_Trs0.3x10_PR1x30 9 11 12 0.3 10 PoSi 1 30 12900 1600

4 RO_Lv5_Trs0.5x10_N-1x30 13 15 16 0.5 10 N- 1 30 12900 1600

5 RO_Lv5_Trs0.5x10_PR0.3x30 17 19 20 0.5 10 PoSi 0.3 30 12900 1600

6 RO_Lv5_Trs0.5x10_PR1x30 21 23 24 0.5 10 PoSi 1 30 12900 1600

Vdd out sub

インバータの負荷とMOSトランジスタの詳細

についてはそれぞれの単品の項目参照

クロスライン部

インバータ部

Poly-Si抵抗/N-抵抗

負荷

MOSTrs.

CNT1um□

Poly-Si

sub

subへ

Vdd out

gate長 gate幅 W L

出力バッファ

幅1um

(67)

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リングオシレータ5段(その2)

No. 素子名 Pad番号 MOSTrs. (um) 負荷の

種類

寸法(um) X-cord(um)

Y-cord(um)

7 RO_Lv5_Trs0.3x10_PR1x15 1 3 4 0.3 10 PoSi 1 15 16620 1600

8 RO_Lv5_Trs0.3x10_PR0.3x30 5 7 8 0.3 10 PoSi 0.3 30 16620 1600

9 RO_Lv5_Trs0.3x10_PR1x30 9 11 12 0.3 10 PoSi 1 30 16620 1600

10 RO_Lv5_Trs0.5x10_PR1x15 13 15 16 0.5 10 PoSi 1 15 16620 1600

11 RO_Lv5_Trs0.5x10_PR0.3x30 17 19 20 0.5 10 PoSi 0.3 30 16620 1600

12 RO_Lv5_Trs0.5x10_PR1x30 21 23 24 0.5 10 PoSi 1 30 16620 1600

13 RO_Lv5_Trs0.6x10_PR1x15 1 3 4 0.6 10 PoSi 1 15 18480 1600

14 RO_Lv5_Trs1x10_PR1x15 5 7 8 1 10 PoSi 1 15 18480 1600

15 RO_Lv5_Trs0.6x10_PR1x30 9 11 12 0.6 10 PoSi 1 30 18480 1600

16 RO_Lv5_Trs1x10_PR1x30 13 15 16 1 10 PoSi 1 30 18480 1600

Vdd out sub gate長 gate幅 W L

(68)

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リングオシレータ11段

No. 素子名 Pad番号 MOSTrs. (um) 負荷の

種類

寸法(um) X-cord(um)

Y-cord(um)

1 RO_Lv11_Trs0.3x10_N-1x30 1 3 4 0.3 10 N- 1 30 12900 1200

2 RO_Lv11_Trs0.3x10_PR0.3x30 9 11 12 0.3 10 PoSi 0.3 30 12900 1200

3 RO_Lv11_Trs0.3x10_PR1x30 17 19 20 0.3 10 PoSi 1 30 12900 1200

4 RO_Lv11_Trs0.3x10_PR1x15 1 3 4 0.3 10 PoSi 1 15 16620 1200

5 RO_Lv11_Trs0.3x10_PR0.3x30 9 11 12 0.3 10 PoSi 0.3 30 16620 1200

6 RO_Lv11_Trs0.3x10_PR1x30 17 19 20 0.3 10 PoSi 1 30 16620 1200

7 RO_Lv11_Trs1x10_PR1x15 1 3 4 1 10 PoSi 1 15 18480 1200

8 RO_Lv11_Trs1x10_PR1x30 9 11 12 1 10 PoSi 1 30 18480 1200

9 RO_Lv11_Trs0.5x10_N-1x30 1 3 4 0.5 10 N- 1 30 12900 800

10 RO_Lv11_Trs0.5x10_PR0.3x30 9 11 12 0.5 10 PoSi 0.3 30 12900 800

11 RO_Lv11_Trs0.5x10_PR1x30 17 19 20 0.5 10 PoSi 1 30 12900 800

12 RO_Lv11_Trs0.5x10_PR1x15 1 3 4 0.5 10 PoSi 1 15 16620 800

13 RO_Lv11_Trs0.5x10_PR0.3x30 9 11 12 0.5 10 PoSi 0.3 30 16620 800

14 RO_Lv11_Trs0.5x10_PR1x30 17 19 20 0.5 10 PoSi 1 30 16620 800

15 RO_Lv11_Trs0.6x10_PR1x15 1 3 4 0.6 10 PoSi 1 15 18480 800

16 RO_Lv11_Trs0.6x10_PR1x30 9 11 12 0.6 10 PoSi 1 30 18480 800

Vdd out sub gate長 gate幅 W L

Vdd out

sub

Poly-Si

M1インバータ(11段)

出力バッファ

(69)

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リングオシレータ21段

No. 素子名 Pad番号 MOSTrs. (um) 負荷の

種類

寸法(um) X-cord(um)

Y-cord(um)

1 RO_Lv21_Trs0.5x10_N-1x30 6 5 3 0.5 10 N- 1 30 12900 400

2 RO_Lv21_Trs0.5x10_PR0.3x30 14 13 11 0.5 10 PoSi 0.3 30 12900 400

3 RO_Lv21_Trs0.5x10_PR1x30 22 21 19 0.5 10 PoSi 1 30 12900 400

4 RO_Lv21_Trs0.5x10_PR1x15 6 5 3 0.5 10 PoSi 1 15 16620 400

5 RO_Lv21_Trs0.5x10_PR0.3x30 14 13 11 0.5 10 PoSi 0.3 30 16620 400

6 RO_Lv21_Trs0.5x10_PR1x30 22 21 19 0.5 10 PoSi 1 30 16620 400

Vdd out sub gate長 gate幅 W L

Vdd

outsub

M2

Via 0.25um□

M1

インバータ(21段)

subへ

(70)

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N-型CNTチェーン

High Low

p-subLOCOSW(CNT)

Silicide

M1

N-

N+

p-sub

SilicideN-(N1)

N+(N2)

M1

p-subLOCOS

ダミー1(Silicide N+ N- つづら抵抗)

ダミー2(M1つづら抵抗)

CNT 0.4um□ M1SP(Silicideなし領域)

N2(N+)

1umL(Active)+N1(N-)

1um

2.8um

1.2u

m

No. 素子名 Pad番号 CNT数 N-全長

(mm)N+全長

(mm)Silicide全長

(mm)

M1全長

(mm)X-cord

(um)Y-cord(um)

1 N-CNTchain 1 5 10k 5 3 6 14.4 14760 400

2 N-CNTchain_dummy 1 5 - 10 6 16.4 - 18480 400

3 N-CNTchain_M1dummy 19 23 - - - - 32.4 18480 400

N+の間隔(N-の長さ)

1um

Silicideの間隔(SPの長さ)

1.6um

CNTの間隔 2.8um

Lの幅(N+/N-/Silidide) 1um

M1の幅 1.2um

CNT径 0.4um

(71)

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Silicide型CNTチェーン

p-subLOCOSW(CNT)Silicide

M1

N-(N1)N+(N2)

SilicideN+(N2) N-(N1)

ダミー(Silicideつづら抵抗)

CNT 0.4um□ M1

L(Active)+N1(N-)+N2(N+)

1um

2.8um

1.2u

m

2.8um

High Low

No. 素子名 Pad番号 CNT数 Silicide全長

(mm)

M1全長

(mm)X-cord

(um)Y-cord(um)

1 SilicideCNTchain 7 11 10k 14 14.4 14760 400

2 SilicideCNTchain_dummy 7 11 - - 32.4 18480 400

CNT(Silicide/M1)の間隔 2.8um

Silicideの幅 1um

M1の幅 1.2um

CNT径 0.4um□

(72)

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Poly-Si型CNTチェーン

p-sub

W(CNT)

SilicideM1

LOCOS

Silicide

p-sub

Poly-Si

Poly-Siダミー(Silicide/Poly-Siつづら抵抗)

CNT(M1)の間隔 2.8um

Poly-Siの幅 1um

M1の幅 1.2um

CNT径 0.4um□

Silicideの間隔(Poly-Siの長さ)

1.6um

High Low

No. 素子名 Pad番号 CNT数 Poly-Si全長

(mm)

Silicide全長

(mm)

M1全長

(mm)X-cord

(um)Y-cord(um)

1 Poly-SiCNTchain 13 17 10k 8 7 14.4 14760 400

2 Poly-SiCNTchain_dummy 13 17 - - - 32.4 18480 400

CNT 0.4um□M1SP(Silicideなし領域)

FG(Poly-Si)

1um

2.8um

1.2u

m

2.8um

LOCOS

(73)

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櫛/つづら付リングオシレータ配置図赤字は詳細説明無

PR1x30M1櫛0.2x30021/20

PR1x30M1櫛0.2x30011/10

PR1x30M1櫛0.2x3000/0

PR1x30M2櫛0.2x30021/20

PR1x30M2櫛0.2x30011/10

PR1x30M2櫛0.2x3000/0

PR1x30M1櫛0.2x30015/16

PR1x30M1櫛0.2x3005/6

PR1x30M1櫛0.2x3000/0

PR1x30M2櫛0.2x30015/16

PR1x30M2櫛0.2x3005/6

PR1x30M2櫛0.2x3000/0

PR1x15M1櫛0.2x30021/20

PR1x15M1櫛0.2x30011/10

PR1x15M1櫛0.2x3000/0

PR1x15M2櫛0.2x30021/20

PR1x15M2櫛0.2x30011/10

PR1x15M2櫛0.2x3000/0

PR1x15M1櫛0.2x30015/16

PR1x15M1櫛0.2x3005/6

PR1x15M1櫛0.2x3000/0

PR1x15M2櫛0.2x30015/16

PR1x15M2櫛0.2x3005/6

PR1x15M2櫛0.2x3000/0

PR1x30M1つづら

0.2x9k

PR1x30M1つづ

0.2x3k

PR1x30M1つづら

0.2x0

PR1x30M1つづら0.2x3kCMPダミー左側

PR1x30M1つづら0.2x3kCMPダミー両側

PR1x30M1つづら0.2x3kCMPダミー右側

PR1x15M1つづら0.2x3k増CMPダミー左側

PR1x15M1つづら0.2x4.8k増CMPダミー両側

PR1x15M1つづら0.2x4.8k増CMPダミー右側

PR1x15M2つづら0.2x4.8k増CMPダミー左側

PR1x15M2つづら0.2x4.8k増CMPダミー両側

PR1x15M2つづら0.2x4.8k増CMPダミー右側

PR1x15M1つづら

0.2x9k

PR1x15M1つづ

0.2x3k

PR1x15M1つづら

0.2x0

PR1x15M1つづら0.2x3kCMPダミー左側

PR1x15M1つづら0.2x3kCMPダミー両側

PR1x15M1つづら0.2x3kCMPダミー右側

PR1x15M1つづら0.2x3k増CMPダミー左側

PR1x15M1つづら0.2x3k増CMPダミー両側

PR1x15M1つづら0.2x3k増CMPダミー右側

PR1x15M2つづら0.2x3k増CMPダミー左側

PR1x15M2つづら0.2x3k増CMPダミー両側

PR1x15M2つづら0.2x3k増CMPダミー右側

上2行が21段櫛付で誘電率評価用。下2行が11段つづら抵抗付でディッシング評価用

PR1x30→負荷のPoly-Si抵抗の寸法1x30um MOSTrs.はすべて0.5x10um

(74)

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M1櫛付リングオシレータ21段

No. 素子名 Pad番号 櫛歯数 PoSi寸法(um) X-cord(um)

Y-cord(um)

1 RO_Lv21_M1Comb41_PR1x15 7 5 4 21 20 1 15 12900 4800

2 RO_Lv21_M1Comb31_PR1x15 7 5 4 15 16 1 15 16620 4800

3 RO_Lv21_M1Comb21_PR1x15 15 13 12 11 10 1 15 12900 4800

4 RO_Lv21_M1Comb11_PR1x15 15 13 12 5 6 1 15 16620 4800

5 RO_Lv21_M1Comb0_PR1x15 23 21 20 0 0 1 15 12900 4800

6 RO_Lv21_M1Comb41_PR1x30 7 5 4 21 20 1 30 12900 3200

7 RO_Lv21_M1Comb31_PR1x30 7 5 4 15 16 1 30 16620 3200

8 RO_Lv21_M1Comb21_PR1x30 15 13 12 11 10 1 30 12900 3200

9 RO_Lv21_M1Comb11_PR1x30 15 13 12 5 6 1 30 16620 3200

10 RO_Lv21_M1Comb0_PR1x30 23 21 20 0 0 1 30 12900 3200

Vdd out sub 上側 下側 W L

M2

インバータ(21段)MOSTrs. 0.5x10umPoly-Si

抵抗

M1M1櫛

300u

m

櫛歯数21/20 櫛歯数11/10 櫛歯数0/0

M1層間Low-k誘電率測定用。各インバータ間に同一の櫛間容量が入っている

MOSTrs.寸法 0.5x10um、櫛長さ

300um、櫛L/S=0.2umは固定。櫛歯数とPoly-Si抵抗の寸法が変動

(75)

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M2櫛付リングオシレータ21段

No. 素子名 Pad番号 櫛歯数 PoSi寸法(um) X-cord(um)

Y-cord(um)

1 RO_Lv21_M2Comb41_PR1x15 7 5 4 21 20 1 15 14760 4800

2 RO_Lv21_M2Comb31_PR1x15 7 5 4 15 16 1 15 18480 4800

3 RO_Lv21_M2Comb21_PR1x15 15 13 12 11 10 1 15 14760 4800

4 RO_Lv21_M2Comb11_PR1x15 15 13 12 5 6 1 15 18480 4800

5 RO_Lv21_M2Comb0_PR1x15 23 21 20 0 0 1 15 14760 4800

6 RO_Lv21_M2Comb41_PR1x30 7 5 4 21 20 1 30 14760 3200

7 RO_Lv21_M2Comb31_PR1x30 7 5 4 15 16 1 30 18480 3200

8 RO_Lv21_M2Comb21_PR1x30 15 13 12 11 10 1 30 14760 3200

9 RO_Lv21_M2Comb11_PR1x30 15 13 12 5 6 1 30 18480 3200

10 RO_Lv21_M2Comb0_PR1x30 23 21 20 0 0 1 30 14760 3200

Vdd out sub 上側 下側 W L

M2櫛

M2層間Low-k誘電率測定用。各インバータ間に同一の櫛間容量が入っている

MOSTrs.寸法 0.5x10um、櫛長さ

300um、櫛L/S=0.2umは固定。櫛歯数とPoly-Si抵抗の寸法が変動

櫛歯数21/20 櫛歯数11/10 櫛歯数0/0

Via 0.25um□2x2個

(76)

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アンテナTEG(大)配置図

MOS容量L型3x3umアンテナPAD数50

MOS容量L型10x10umアンテナPAD数50

MOS容量L型1x1umアンテナPAD数120

MOS容量L型2x2umアンテナPAD数120

MOS容量L型1x1umアンテナPAD数50

MOS容量L型2x2umアンテナPAD数50

(77)

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赤字は詳細説明無

MOSTrs.10x10アンテナPAD数9

MOS容量FG型2x2umアンテナPAD数9

MOS容量FG型3x3umアンテナPAD数9

MOS容量FG型10x10umアンテナPAD数9

MOSTrs.10x10アンテナPAD数22

MOS容量FG型2x2umアンテナPAD数22

MOS容量FG型3x3umアンテナPAD数22

MOS容量FG型10x10umアンテナPAD数22

MOSTrs.0.5x1アンテナPAD数9

MOSTrs.0.5x3アンテナPAD数9

MOSTrs.0.5x10アンテナPAD数9

MOSTrs.1x10アンテナPAD数9

MOSTrs.0.5x1アンテナPAD数22

MOSTrs.0.5x3アンテナPAD数22

MOSTrs.0.5x10アンテナPAD数22

MOSTrs.1x10アンテナPAD数22

MOS容量L型1x1umアンテナPAD数9

MOS容量L型2x2umアンテナPAD数9

MOS容量L型3x3umアンテナPAD数9

MOS容量L型10x10umアンテナPAD数9 MOS容量

L型1x1umアンテナPAD数22

MOS容量L型2x2umアンテナPAD数22

MOS容量L型3x3umアンテナPAD数22

MOS容量L型10x10umアンテナPAD数22

MOS容量L型1x1

MOS容量L型2x2

MOS容量L型3x3

MOS容量L型10x10

MOSTrs.0.5x1

MOS容量FG型2x2

MOS容量FG型3x3

MOS容量FG型10x10

アンテナTEG(小)配置図

(78)

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アンテナTEG(その1)

No. 素子名 Pad番号 MOS容量

寸法(um)アンテナ

PAD数

アンテナ比

(M1/gate面積)X-cord

(um)Y-cord(um)

1 Antenna_1x1_PAD1 1 2 1 1 1 9k 8310 7200

2 Antenna_2x2_PAD1 3 4 2 2 1 2k 8310 7200

3 Antenna_3x3_PAD1 5 6 3 3 1 1k 8310 7200

4 Antenna_10x10_PAD1 7 8 10 10 1 0.1k 8310 7200

gate sub

gate

sub

L型MOS容量

測定PADとMOS容量の詳細は各項目を参照

MOS容量のゲート側に測定PAD が連なりアンテナPADを構成

MOS容量の寸法とアンテナPAD の個数が変化

アンテナ比

=ゲート絶縁膜の面積

ゲート電極(アンテナPAD)の面積

L W

アンテナPAD

アンテナ比はMOS容量のエッチング・

デポ・洗浄による壊れやすさの指標

(79)

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アンテナTEG(その2)

No. 素子名 Pad番号 MOS容量

寸法(um)アンテナ

PAD数

アンテナ比

(M1/gate面積)X-cord

(um)Y-cord(um)

5 Antenna_1x1_PAD9 3 4 1 1 9 77k 8310 6800

6 Antenna_2x2_PAD9 9 10 2 2 9 19k 8310 6800

7 Antenna_3x3_PAD9 15 16 3 3 9 9k 8310 6800

8 Antenna_10x10_PAD9 21 22 10 10 9 0.8k 8310 6800

9 Antenna_1x1_PAD22 3 4 1 1 22 187k 10170 7200

10 Antenna_2x2_PAD22 9 10 2 2 22 47k 10170 7200

11 Antenna_3x3_PAD22 15 16 3 3 22 21k 10170 7200

12 Antenna_10x10_PAD22 21 22 10 10 22 2k 10170 7200

13 Antenna_1x1_PAD50 3 4 1 1 50 425k 3720 4000

14 Antenna_2x2_PAD50 15 16 2 2 50 106k 3720 4000

15 Antenna_3x3_PAD50 3 4 3 3 50 47k 3720 2800

16 Antenna_10x10_PAD50 15 16 10 10 50 4k 3720 2800

17 Antenna_1x1_PAD120 3 4 1 1 120 1020k 3720 4000

18 Antenna_2x2_PAD120 15 16 2 2 120 425k 3720 4000

gate sub L W

(80)

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腐食TEG配置図赤字は詳細説明無

M1小PN接合型 100x100um細線 0.2x126um

つづらPN接合型 100x100umL/S=0.2um TL=5544um

M1小sub型 100x100um細線 0.2x126um

つづらsub型 100x100umL/S=0.2um TL=5544um

M1小ダミー

100x100um細線 0.2x126um

つづらダミー

100x100umL/S=0.2um TL=5544um

SEM用sub3x30.2um

SEM用sub12x120.2um

SEM用M1減sub100x1000.2um

SEM用sub3x31um

SEM用sub 12x121um

SEM用sub 100x1001um

SEM用ダミー3x30.2um

SEM用

ダミー12x120.2um

SEM用ダミー100x1000.2um

SEM用パッド付sub3x30.2um

SEM用パッド付sub 12x120.2um

SEM用パッド付M1減sub100x1000.2um

SEM用パッド付M1減sub100x100x10 0.2um

SEM用パッド

付sub3x31um

SEM用パッド

付sub 12x121um

SEM用パッド付M1減sub100x1001um

M1小 拡散層大sub型 100x100x10細線 0.2x126um

M1小 拡散層大ダミー

100x100x10細線 0.2x126um

SEM用PN接合2x20.2um

SEM用PN接合10x100.2um

SEM用M1減PN100x1000.2um

SEM用PN接合2x21um

SEM用PN接合10x101um

SEM用M1減PN100x1001um

SEM用ダミー2x21um

SEM用ダミー10x101um

SEM用ダミー100x1001um

SEM用パッド付PN接合2x20.2um

SEM用パッド付PN接合10x100.2um

SEM用パッド付M1減PN100x1000.2um

SEM用パッド付M1減PN100x100x10 0.2um

SEM用パッド

付PN接合2x21um

SEM用パッド

付PN接合10x101um

SEM用パッド付M1減PN100x1001um

M1小 拡散層大PN接合型100x100x10細線 0.2x126um

(81)

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腐食TEG(つづら)

PN接合型 sub型

ダミー

PN接合につながっているづつらは

電池効果により腐食し抵抗が上がる

つづら抵抗の片側に100x100um のN+orP+拡散層が接続

M1づづら抵抗

100x100umのL型

PN接合

つづらはL/S=0.2umで全長5544um

No. 素子名 Pad番号 タイプ X-cord(um)

Y-cord(um)

1 Corrosion_PNJC100x100_Serp 7 5 PN接合 10170 1200

2 Corrosion_sub100x100_Serp 15 13 sub 10170 1200

3 Corrosion_dummy100x100_Serp 23 21 ダミー 10170 1200

ダミーは拡散層とCNTを抜いた構造

High Low

P(P+)

CNT

(82)

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腐食TEG(M1小)

PN接合型

細線の腐食効果を上げるため測定

PADのM1部分とPN接合の無駄な

M1を省いた

細線(幅0.2um,長さ124um)の片側

に100x100umのN+orP+拡散層が

接続

No. 素子名 Pad番号 タイプ X-cord(um)

Y-cord(um)

1 Corrosion_PNJC100x100_LINE 3 1 PN接合 10170 1200

2 Corrosion_sub100x100_LINE 11 9 sub 10170 1200

3 Corrosion_dummy100x100_LINE 19 17 ダミー 10170 1200

M1なし測定PAD

ダミー

細線と拡散層のCNT接続部

細線とPADのVia接続部

sub型

細線

細線と接続しないCNTとM1配線が

存在

High Low

(83)

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腐食TEG(M1小、拡散層大)

細線の腐食効果を上げるため

100x100umの拡散層を10個接続

ダミーは拡散層とダミーのCNTと

M1を省いた構造

ダミー

PN接合型

No. 素子名 Pad番号 タイプ X-cord(um)

Y-cord(um)

1 Corrosion_PNJC100x100x10_LINE 17 15 PN接合 10170 3600

2 Corrosion_sub100x100x10_LINE 17 15 sub 10170 2400

3 Corrosion_dummy100x100x10_LINE 23 21 ダミー 10170 2400

High Low

M1なし測定PAD

細線とPADのVia接続部

(84)

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配線つづら配置図

M2L/S=0.2/0.240cm0

M2L/S=0.3/0.210cm

M2L/S=0.2/0.310cm

M2L/S=0.35/0.3510cm

M2L/S=0.25/0.2510cmm

M2L/S=0.2/0.210cm

① ②

M1L/S=0.3/0.210cm

M1L/S=0.2/0.310cm

M1L/S=0.35/0.3510cm

M1L/S=0.25/0.2510cmm

M1L/S=0.2/0.210cm

M1L/S=0.2/0.220cm

M1L/S=0.25/0.2520cmm

M1L/S=0.35/0.3520cm

M2L/S=0.2/0.220cm

M2L/S=0.25/0.2520cmm

M2L/S=0.35/0.3520cm

赤字は詳細説明無

(85)

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つづら抵抗

No. 素子名 Pad番号 配線幅

(um)配線間隔

(um)単線長

(mm)全長

(mm)層 X-cord

(um)Y-cord(um)

1 M2Serp_0.3_0.2_10cm 5 6 0.3 0.2 1 100 M2 1860 400

2 M2Serp_0.2_0.3_10cm 7 8 0.2 0.3 1 100 M2 1860 400

3 M2Serp_0.35_0.35_10cm 9 10 0.35 0.35 1 100 M2 1860 400

4 M2Serp_0.25_0.25_10cm 11 12 0.25 0.25 1 100 M2 1860 400

5 M2Serp_0.2_0.2_10cm 13 14 0.2 0.2 1 100 M2 1860 400

6 M1Serp_0.3_0.2_10cm 15 16 0.3 0.2 1 100 M1 1860 400

7 M1Serp_0.2_0.3_10cm 17 18 0.2 0.3 1 100 M1 1860 400

8 M1Serp_0.35_0.35_10cm 19 20 0.35 0.35 1 100 M1 1860 400

9 M1Serp_0.25_0.25_10cm 21 22 0.25 0.25 1 100 M1 1860 400

10 M1Serp_0.2_0.2_10cm 23 24 0.2 0.2 1 100 M1 1860 400

11 M1Serp_0.2_0.2_20cm 1 2 0.2 0.2 2 200 M1 1860 4000

12 M1Serp_0.25_0.25_20cm 3 4 0.25 0.25 2 200 M1 1860 4000

13 M1Serp_0.35_0.35_20cm 5 6 0.35 0.35 2 200 M1 1860 4000

14 M2Serp_0.2_0.2_20cm 11 12 0.2 0.2 2 200 M2 1860 4000

15 M2Serp_0.25_0.25_20cm 13 14 0.25 0.25 2 200 M2 1860 4000

16 M2Serp_0.35_0.35_20cm 15 16 0.35 0.35 2 200 M2 1860 4000

High Low

引出線 1um引出線の長さ 418um(High側)、27um(Low側) サイドのダミーパターンなし

1um

(86)

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櫛型容量配置図

M1櫛L/S=0.2/0.2100mm

M1櫛L/S=0.25/0.25100mm

M1櫛L/S=0.35/0.35100mm

M1櫛L/S=0.2/0.3100mm

M1櫛L/S=0.3/0.2 100mm

① ②

M2櫛L/S=0.2/0.2100mm

M2櫛L/S=0.25/0.25100mm

M2櫛L/S=0.35/0.35100mm

M2櫛L/S=0.2/0.3100mm

M2櫛L/S=0.3/0.2 100mm

M1櫛L/S=0.2/0.2200mm

M1櫛L/S=0.25/0.25200mm

M1櫛L/S=0.35/0.35 200mm

M1櫛L/S=0.2/0.3200mm

M1櫛L/S=0.3/0.2 200mm

M2櫛L/S=0.2/0.2200mm

M2櫛L/S=0.25/0.25200mm

M2櫛L/S=0.35/0.35 200mm

M2櫛L/S=0.2/0.3200mm

M2櫛L/S=0.3/0.2 200mm

(87)

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櫛型容量(100mm)

No. 素子名 Pad番号 配線幅

(um)配線間隔

(um)単線長

(mm)全長

(mm)層 X-cord

(um)Y-cord(um)

1 M1Comb_0.2_0.2_100mm 1 2 0.2 0.2 1 100 M1 0 2400

2 M1Comb_0.25_0.25_100mm 3 4 0.25 0.25 1 100 M1 0 2400

3 M1Comb_0.35_0.35_100mm 5 6 0.35 0.35 1 100 M1 0 2400

4 M1Comb_0.2_0.3_100mm 7 8 0.2 0.3 1 100 M1 0 2400

5 M1Comb_0.3_0.2_100mm 9 10 0.3 0.2 1 100 M1 0 2400

6 M2Comb_0.2_0.2_100mm 13 14 0.2 0.2 1 100 M2 0 2400

7 M2Comb_0.25_0.25_100mm 15 16 0.25 0.25 1 100 M2 0 2400

8 M2Comb_0.35_0.35_100mm 17 18 0.35 0.35 1 100 M2 0 2400

9 M2Comb_0.2_0.3_100mm 19 20 0.2 0.3 1 100 M2 0 2400

10 M2Comb_0.3_0.2_100mm 21 22 0.3 0.2 1 100 M2 0 2400

High Low

10um

5um

引出線の幅 10um引出線の長さ 200um(High側)、1700um(Low側) サイドのダミーパターンなし

(88)

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櫛型容量(200mm)

No. 素子名 Pad番号 配線幅

(um)配線間隔

(um)単線長

(mm)全長

(mm)層 X-cord

(um)Y-cord(um)

1 M1Comb_0.2_0.2_200mm 1 2 0.2 0.2 2 200 M1 0 5200

2 M1Comb_0.25_0.25_200mm 3 4 0.25 0.25 2 200 M1 0 5200

3 M1Comb_0.35_0.35_200mm 5 6 0.35 0.35 2 200 M1 0 5200

4 M1Comb_0.2_0.3_200mm 7 8 0.2 0.3 2 200 M1 0 5200

5 M1Comb_0.3_0.2_200mm 9 10 0.3 0.2 2 200 M1 0 5200

6 M2Comb_0.2_0.2_200mm 13 14 0.2 0.2 2 200 M2 0 5200

7 M2Comb_0.25_0.25_200mm 15 16 0.25 0.25 2 200 M2 0 5200

8 M2Comb_0.35_0.35_200mm 17 18 0.35 0.35 2 200 M2 0 5200

9 M2Comb_0.2_0.3_200mm 19 20 0.2 0.3 2 200 M2 0 5200

10 M2Comb_0.3_0.2_200mm 21 22 0.3 0.2 2 200 M2 0 5200

High Low

10um

5um

引出線の幅 10um引出線の長さ 200um(High側)、2700um(Low側) サイドのダミーパターンなし

(89)

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層間容量/ビアチェーン配置図

層間櫛10mmL/S=0.2/0.2

層間櫛10mmL/S=0.25/0.25

層間櫛10mmL/S=0.35/0.35

層間櫛10mmL/S=0.2/0.3

層間櫛10mmL/S=0.3/0.2

層間櫛10mmL/S=0.2/0.7

層間櫛ダミー小

層間櫛ダミー大

ViaChainVD0.25um10k

ViaChainVD0.25um10k

赤字は詳細説明無

(90)

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ビアチェーン

No. 素子名 Pad番号 ビア径

(um)ビア間隔

(um)ビア数 配線幅

(um)X-cord

(um)Y-cord(um)

1 ViaChain_0.25_10k 19 20 0.25 0.75 10k 0.5 0 7200

2 ViaChain_0.25_10k 21 22 0.2 0.3 1 100 0 7200

High Low

0.5um

0.75

um

接続されているビア部

0.25um

(91)

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SEM観察用MOSトランジスタ全体図

0.2x10

0.3x10

0.5x10

0.2x10

0.3x10

0.5x10

異なるゲート長を持つMOSトランジスタ3列1セットをずらしながら配置した構造。適当に

割ってもSEMによるゲートの観察が可能

(92)

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SEM観察用FEOL/M1ライン配置図

ActiveL/S=0.5/0.5um

ActiveL/S=1/1um

ActiveL/S=5/5um

Poly-SiL/S=0.2/0.4um

Poly-SiL/S=0.5/0.5um

Poly-SiL/S=1/1um

N-L/S=1/1um

N+L/S=1/1um

P+L/S=1/1um

SPL/S=1/1u m

CNT直径0.4um

CNT直径1um

M1L/S=0.2/0.2um

M1L/S=0.2/1.8um

M1L/S=2/2um

M1L/S=20/20um

M1ラインはFEOLラインの上層に存在

(93)