マスク説明書 (cast-t3マスク) - jsr株式会社 pro b 0.5 pro 12 al a 10 13 pv b 100...
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マスク説明書
(CAST-T3マスク)
内容
1.
マスク概要
2.
各素子の詳細
マスク仕様(1)(2)
(03)-(04)
ショット・レイアウト
(1)(2)
(05)-(06)
パッドブロック
(07)
コンタクトパッドとその周辺
(08)
測定PADの構造
(09)
SUBPADの構造
(10)
スクライブラインの構造
(11)
ウェハアライメントマーク
(12)-(13)
CMPダミー
(14)
MOSトランジスタ
(16)-(26)
PN接合
(27)-(40)
MOS容量
(41)-(53)
FEOL抵抗
(54)-(57)
コンタクト抵抗
(58)-(60)
シート抵抗
(61)-(64)
リングオシレータ/コンタクトチェーン
(65)-(73)
櫛/つづら付リングオシレータ
(74)-(76)
アンテナTEG
(77)-(80)
腐食TEG
(81)-(84)
BEOLつづら/櫛/ビアチェーン
(85)-(91)
SEM観察用トランジスタ
(92)
SEM観察用ライン
(93)
(01)
頁番号
頁番号
1.マスク概要
(02)
マスク仕様(1)
マスク名:
CAST-T3用途:
FEOL素子を用いたBEOL材料の評価
マスク数:13枚 BEOLマスクはペリクル無し
ショット寸法:
21.5mm x 26.9mm
レチクル寸法:6 inch
レチクル合せマーク:Canon露光機用(SFRAマーク)
倍率:4倍
No. 層名 パターン 最小
(um)最大
(um)目的
1 L A 0.5 100 素子分離
2 FG A 0.2 100 ゲート
Poly-Si抵抗
3 N1 B 0.5 N型拡散層(LDD)
4 N2 B 0.5 N型拡散層(S/D)
5 P B 0.5 SUB引き上げ
6 SP A 0.5 Silicide無し領域
7 CNT B 0.4 1 コンタクトプラグ
8 M1 B 0.2 100 Cu1層配線
9 Via B 0.18 0.25 接続孔
10 M2 B 0.2 100 Cu2層配線
11 PRO B 0.5 PRO
12 AL A 10
13 PV B 100
種類:
KrF用(i線兼用)バイナリ
FEO
Lマス
クB
EO
Lマス
ク
(03)
マスク仕様(2)
合わせツリー
L FG CNT M1 M2 PRO ALN1 Via PVN2 P SP
層名 露光機 ウェハ合わせマーク
プリ ファイン
L KrF ○ ○
FG KrF ○ ○
N1 KrF × ×
N2 KrF × ×
P KrF × ×
SP KrF × ×
CNT KrF ○ ○
M1 ArF ○ ○
Via ArF ○ ○
M2 ArF ○ ○
PRO i線 ○ ○
AL i線 × ×
PV i線 × ×
各層のウェハ合わせマークの有無
(04)
ショット・レイアウト
(1)
8.44mm 4.14mm 8.44mm21.5mm
8.44
mm
8.44
mm
5.34
mm
4.14
mm
26.9
mm
スク
ライ
ブラ
イン
幅16
0um
(05)
X-cord (パッドブロックX座標)
Y-cord
(パッ
ドブ
ロッ
クY座
標)
ショット・レイアウト
(2)
04008001200160020002400280032003600400044004800520056006000640068007200
84008800920096001000010400108001120011600120001240012800
138001420014600150001540015800162001660017000
17400
17800182001860019000194001980020200206002100021400
MOSTrs.① MOSTrs.②
MOSTrs.③ MOSTrs.④
Gate容量FG型①
Gate容量FG型②
Gate容量FG型③
224502285023250236502405024450248502525025650
0 1860 3720 5580 8310 10170 12900 14760 16620 18480
PN接合L型α
②
PN接合L型β
②
PN接合L型α
①
PN接合L型β
①
PN接合L型α③
PN接合L型β③PN接
合N1型α
①
PN接
合N1型α
②
PN接
合N1型β
①
PN接
合N1型β
②
リングオシレータ&CNTチェーン
櫛/つづら抵抗付リングオシレータ
ビアチェーン
FEOL抵抗②
CNT抵抗① CNT抵抗②
シート抵抗① シート抵抗②
SEM観察MOSTrs.
SEM観察
ライン
アンテナ小
アンテナ大櫛
つづら
コンタクト
+X
+Y
(06)
パッドブロック
測定パッドはPAD番号とパッドブロック座標の組み合わせ
で指定する。パッドブロック座標はパッドブロックの原点か
らの位置で、左上のパッドブロックを原点、下方向を+Y軸、
右方向を+X軸とした座標系
100um 55um
150um
1
PAD番号
測定パッドはオートプローバのプローブカード用にパッド
の集合(パッドブロック)を構成しており、ショット内に規則
的に配置
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
(07)
コンタクトパッドとその周辺
オートプローバ用アライメントマーク
(M1とM2)プロセス進捗確認用マーク
ショット左上にあるオートプローバ位置合わ
せ用パッドブロック
パッドブロック座標は(0,0)
上行と下行のパッドがそれぞれつながって
いて針のショートチェックに利用可能
コンタクトパッドの下のパッドブロックは素
子がなく針のオープンチェックに利用可能
(08)
測定PADの構造
p-sub
SiO
Low-k
SiO(PRO膜)Al SiN(PV膜)
Cu(M2) Cu(Via) Cu(M1)
100u
m
120u
m
Via径0.2umLOCOS
パッド開口部の寸法は100um
(09)
SUBPADの構造
p-sub
SiO
Low-k
SiO(PRO膜)Al SiN(PV膜)
100u
m
120u
m
LOCOS
SUB引き上げ用
W(CNT)CNT径1um
P+ Silicide
(10)
p-sub
SiO
Al
LOCOS
W(CNT)CNT径1um
160um
P+Silicide
SiO(PRO膜)
SiN(PV膜)
Low-k
スクライブラインの構造
CNT径
0.4um
(11)
ウェハ合わせプリアライメントマーク
線幅 6um 長さ
40um
60umCanon露光機用
X方向、Y方向に1ヶ所づつあ
るが使用するのは1ヶ所のみ
層名 X方向 Y方向
X(mm) Y(mm) X(mm) Y(mm)
L -1.75 13.15 -10.5 8.55FG -1.35 13.15 -10.5 8.15CNT -0.95 13.15 -10.5 7.75M1 -0.55 13.15 -10.5 7.35Via -0.15 13.15 -10.5 6.95M2 0.25 13.15 -10.5 6.55PRO 1.55 13.15 -10.5 4.35
ショット中心からの距離
(12)
ウェハ合わせファインアライメントマーク
Canon露光機用
X方向、Y方向に1ヶ所づつあ
るが両方使用する
層名 X方向 Y方向
X(mm) Y(mm) X(mm) Y(mm)
L -7.15 13.15 -10.5 10.55FG -6.95 13.15 -10.5 10.35CNT -6.75 13.15 -10.5 10.15M1 -6.55 13.15 -10.5 9.95Via -6.35 13.15 -10.5 9.75M2 -6.15 13.15 -10.5 9.55PRO -5.55 13.15 -10.5 8.95
線幅 4um
20um
30um
34um
ショット中心からの距離
(13)
CMPダミー
M2
M110um
10um
1um
0.25um
CMPダミーの断面図0.8um
0.8u
m
0.8um
CMPダミーはM1またはM2配
線から10um先に配置。断面
形状はダンベル型にM1、Via、
M2が接続
Via
M1
M2
(14)
2.各素子の詳細
(15)
Diode 付1x1
Diode 付1x3
Diode 付1x10
FG奇2.6x3FG0.6
M1奇
2.6x3 M10.8
M2奇
2.6x3 M20.8
GS短絡0.2x3
GS短絡0.2x10
GS短絡0.5x3
GS短絡0.5x10
GS短絡1x3
GS短絡1x10
M1奇
2.6x3 M1 3.4
M1奇
3.6x3 M1 4.4
M2奇
2.6x3M23.4
M2奇
3.6x3 M24.4
Diode 付0.5x1
Diode 付0.5x10
M1奇
1.6x3 M10.8
M1奇
1.6x10 M1 0.6
M2奇
0.6x3 M20.5
M2奇
0.6x10 M20.3
M2奇
1.6x3 M20.8
M2奇
1.6x10 M20.6
10x10 10x30 10x100
FG奇3.6x3FG0.6
M1奇
3.6x3 M10.8
M2奇
3.6x3 M20.8
FG奇0.6x3FG0.3
FG奇0.6x10FG0.3
FG奇1.6x3FG0.6
FG奇1.6x10FG0.6
M1奇
0.6x3 M1 0.5
M1奇
0.6x10 M1 0.3
1x1 1x3 1x10 3x3 3x10 3x30 並列10.5x10
並列100.5x10
並列
1000.5x10
並列11x10
並列101x10
並列
1001x10
0.5x1 0.5x3 0.5x10 0.6x1 0.6x3 0.6x10 並列10.2x10
並列10 0.2x10
並列
1000.2x10
並列10.3x10
並列10 0.3x10
並列
1000.3x10
0.2x1 0.2x3 0.2x10 0.3x1 0.3x3 0.3x10 Ring 3x3 5x5
Ring 3x3 6x6
30x100
並列1ダミー
並列
10ダミー
並列
100ダミー
MOSトランジスタ①②③④配置図赤字は詳細説明無
(16)
MOSトランジスタ(その1)
No. 素子名 Pad番号 gate長
(um)gate幅
(um)X-cord (um)
Y-cord (um)
1-1 MOSTrs_0.2x1_1 1 3 2 4 0.2 1 0 25650
1-2 MOSTrs_0.2x3_1 5 7 6 8 0.2 3 0 25650
1-3 MOSTrs_0.2x10_1 9 11 10 12 0.2 10 0 25650
1-4 MOSTrs_0.3x1_1 13 15 14 16 0.3 1 0 25650
1-5 MOSTrs_0.3x3_1 17 19 18 20 0.3 3 0 25650
1-6 MOSTrs_0.3x10_1 21 23 22 24 0.3 10 0 25650
1-7 MOSTrs_0.5x1_1 1 3 2 4 0.5 1 0 25250
1-8 MOSTrs_0.5x3_1 5 7 6 8 0.5 3 0 25250
1-9 MOSTrs_0.5x10_1 9 11 10 12 0.5 10 0 25250
gate drain source sub
p-sub
Poly-Si
N+N+
M1
CNT LOCOS
M1
L(Active)
CNT1um□※1 FG(Poly-Si)CNT
0.4um□N2(N+)
N1(N-)
gate drain
source sub
CNT-M1 合わせ余裕 0.4um以上
L-CNT 合わせ余裕 0.3um以上 FG-CNT 合わせ余裕 0.4um以上
gate長gate幅
gate幅 1um当たりCNT1個配置
gate長
Silicide
※1 gate長が1um以下の場合はCNT0.4um□を使用
subへ
(17)
No. 素子名 Pad番号 gate長
(um)gate幅
(um)X-cord (um)
Y-cord (um)
1-10 MOSTrs_0.6x1_1 13 15 14 16 0.6 3 0 25250
1-11 MOSTrs_0.6x3_1 17 19 18 20 0.6 3 0 25250
1-12 MOSTrs_0.6x10_1 21 23 22 24 0.6 10 0 25250
1-13 MOSTrs_1x1_1 1 3 2 4 1 1 0 24850
1-14 MOSTrs_1x3_1 5 7 6 8 1 3 0 24850
1-15 MOSTrs_1x10_1 9 11 10 12 1 10 0 24850
1-16 MOSTrs_3x3_1 13 15 14 16 3 3 0 24850
1-17 MOSTrs_3x10_1 17 19 18 20 3 10 0 24850
1-18 MOSTrs_3x30_1 21 23 22 24 3 30 0 24850
1-19 MOSTrs_10x10_1 1 3 2 4 10 10 0 24450
1-20 MOSTrs_10x30_1 5 7 6 8 10 30 0 24450
1-21 MOSTrs_10x100_1 9 11 10 12 10 100 0 24450
1-22 MOSTrs_30x100_1 9 11 10 12 30 100 1860 25650
2-1 MOSTrs_0.2x1_2 1 3 2 4 0.2 1 12900 25650
2-2 MOSTrs_0.2x3_2 5 7 6 8 0.2 3 12900 25650
2-3 MOSTrs_0.2x10_2 9 11 10 12 0.2 10 12900 25650
2-4 MOSTrs_0.3x1_2 13 15 14 16 0.3 1 12900 25650
2-5 MOSTrs_0.3x3_2 17 19 18 20 0.3 3 12900 25650
2-6 MOSTrs_0.3x10_2 21 23 22 24 0.3 10 12900 25650
2-7 MOSTrs_0.5x1_2 1 3 2 4 0.5 1 12900 25250
2-8 MOSTrs_0.5x3_2 5 7 6 8 0.5 3 12900 25250
2-9 MOSTrs_0.5x10_2 9 11 10 12 0.5 10 12900 25250
2-10 MOSTrs_0.6x1_2 13 15 14 16 0.6 3 12900 25250
2-11 MOSTrs_0.6x3_2 17 19 18 20 0.6 3 12900 25250
2-12 MOSTrs_0.6x10_2 21 23 22 24 0.6 10 12900 25250
2-13 MOSTrs_1x1_2 1 3 2 4 1 1 12900 24850
2-14 MOSTrs_1x3_2 5 7 6 8 1 3 12900 24850
2-15 MOSTrs_1x10_2 9 11 10 12 1 10 12900 24850
2-16 MOSTrs_3x3_2 13 15 14 16 3 3 12900 24850
2-17 MOSTrs_3x10_2 17 19 18 20 3 10 12900 24850
2-18 MOSTrs_3x30_2 21 23 22 24 3 30 12900 24850
gate drain source sub
MOSトランジスタ(その2)
(18)
MOSトランジスタ(その3)
No. 素子名 Pad番号 gate長
(um)gate幅
(um)X-cord (um)
Y-cord (um)
2-19 MOSTrs_10x10_2 1 3 2 4 10 10 12900 24450
2-20 MOSTrs_10x30_2 5 7 6 8 10 30 12900 24450
2-21 MOSTrs_10x100_2 9 11 10 12 10 100 12900 24450
2-22 MOSTrs_30x100_2 9 11 10 12 30 100 14760 25650
3-1 MOSTrs_0.2x1_3 1 3 2 4 0.2 1 3720 19400
3-2 MOSTrs_0.2x3_3 5 7 6 8 0.2 3 3720 19400
3-3 MOSTrs_0.2x10_3 9 11 10 12 0.2 10 3720 19400
3-4 MOSTrs_0.3x1_3 13 15 14 16 0.3 1 3720 19400
3-5 MOSTrs_0.3x3_3 17 19 18 20 0.3 3 3720 19400
3-6 MOSTrs_0.3x10_3 21 23 22 24 0.3 10 3720 19400
3-7 MOSTrs_0.5x1_3 1 3 2 4 0.5 1 3720 19000
3-8 MOSTrs_0.5x3_3 5 7 6 8 0.5 3 3720 19000
3-9 MOSTrs_0.5x10_3 9 11 10 12 0.5 10 3720 19000
3-10 MOSTrs_0.6x1_3 13 15 14 16 0.6 3 3720 19000
3-11 MOSTrs_0.6x3_3 17 19 18 20 0.6 3 3720 19000
3-12 MOSTrs_0.6x10_3 21 23 22 24 0.6 10 3720 19000
3-13 MOSTrs_1x1_3 1 3 2 4 1 1 3720 18600
3-14 MOSTrs_1x3_3 5 7 6 8 1 3 3720 18600
3-15 MOSTrs_1x10_3 9 11 10 12 1 10 3720 18600
3-16 MOSTrs_3x3_3 13 15 14 16 3 3 3720 18600
3-17 MOSTrs_3x10_3 17 19 18 20 3 10 3720 18600
3-18 MOSTrs_3x30_3 21 23 22 24 3 30 3720 18600
3-19 MOSTrs_10x10_3 1 3 2 4 10 10 3720 18200
3-20 MOSTrs_10x30_3 5 7 6 8 10 30 3720 18200
3-21 MOSTrs_10x100_3 9 11 10 12 10 100 3720 18200
3-22 MOSTrs_30x100_3 9 11 10 12 30 100 5580 19400
4-1 MOSTrs_0.2x1_4 1 3 2 4 0.2 1 16620 19400
4-2 MOSTrs_0.2x3_4 5 7 6 8 0.2 3 16620 19400
4-3 MOSTrs_0.2x10_4 9 11 10 12 0.2 10 16620 19400
4-4 MOSTrs_0.3x1_4 13 15 14 16 0.3 1 16620 19400
4-5 MOSTrs_0.3x3_4 17 19 18 20 0.3 3 16620 19400
4-6 MOSTrs_0.3x10_4 21 23 22 24 0.3 10 16620 19400
gate drain source sub
(19)
MOSトランジスタ(その4)
No. 素子名 Pad番号 gate長
(um)gate幅
(um)X-cord (um)
Y-cord (um)
4-7 MOSTrs_0.5x1_4 1 3 2 4 0.5 1 16620 19000
4-8 MOSTrs_0.5x3_4 5 7 6 8 0.5 3 16620 19000
4-9 MOSTrs_0.5x10_4 9 11 10 12 0.5 10 16620 19000
4-10 MOSTrs_0.6x1_4 13 15 14 16 0.6 3 16620 19000
4-11 MOSTrs_0.6x3_4 17 19 18 20 0.6 3 16620 19000
4-12 MOSTrs_0.6x10_4 21 23 22 24 0.6 10 16620 19000
4-13 MOSTrs_1x1_4 1 3 2 4 1 1 16620 18600
4-14 MOSTrs_1x3_4 5 7 6 8 1 3 16620 18600
4-15 MOSTrs_1x10_4 9 11 10 12 1 10 16620 18600
4-16 MOSTrs_3x3_4 13 15 14 16 3 3 16620 18600
4-17 MOSTrs_3x10_4 17 19 18 20 3 10 16620 18600
4-18 MOSTrs_3x30_4 21 23 22 24 3 30 16620 18600
4-19 MOSTrs_10x10_4 1 3 2 4 10 10 16620 18200
4-20 MOSTrs_10x30_4 5 7 6 8 10 30 16620 18200
4-21 MOSTrs_10x100_4 9 11 10 12 10 100 16620 18200
4-22 MOSTrs_30x100_4 9 11 10 12 30 100 18480 19400
gate drain source sub
(20)
MOSトランジスタ(その5)
No. 素子名 Pad番号 gate長
(um)gate幅
(um)FG長
(um)X-cord
(um)Y-cord (um)
1-1 FGkisei_0.6x3_FG0.3_1 1 3 2 4 0.6 3 0.3 1860 24450
1-2 FGkisei_0.6x10_FG0.3_1 5 7 6 8 0.6 10 0.3 1860 24450
1-3 FGkisei_1.6x3_FG0.6_1 9 11 10 12 1.6 3 0.6 1860 24450
1-4 FGkisei_1.6x10_FG0.6_1 13 15 14 16 1.6 10 0.6 1860 24450
1-5 FGkisei_2.6x3_FG0.6_1 13 15 14 16 2.6 3 0.6 0 23650
1-6 FGkisei_3.6x3_FG0.6_1 13 15 14 16 3.6 3 0.6 0 24450
gate drain source sub
p-sub
N+
M1CNT
M1L(Active)
CNT0.4um□ N2(N+)N1(N-)
gate drain
source sub
CNT-M1 合わせ余裕 0.4um以上
L-CNT 合わせ余裕 0.3um以上
gate長
gate幅
gate幅 1um当たりCNT1個配置
gate長 Silicide
LOCOS N+
FG(Poly-Si)
FG寄生MOS
FG
FG長
FG-CNT 合わせ余裕 0.4um以上
(21)
MOSトランジスタ(その6)
No. 素子名 Pad番号 gate長
(um)gate幅
(um)FG長
(um)X-cord
(um)Y-cord (um)
2-1 FGkisei_0.6x3_FG0.3_2 1 3 2 4 0.6 3 0.3 5580 18200
2-2 FGkisei_0.6x10_FG0.3_2 5 7 6 8 0.6 10 0.3 5580 18200
2-3 FGkisei_1.6x3_FG0.6_2 9 11 10 12 1.6 3 0.6 5580 18200
2-4 FGkisei_1.6x10_FG0.6_2 13 15 14 16 1.6 10 0.6 5580 18200
2-5 FGkisei_2.6x3_FG0.6_2 13 15 14 16 2.6 3 0.6 3720 17400
2-6 FGkisei_3.6x3_FG0.6_2 13 15 14 16 3.6 3 0.6 3720 18200
3-1 FGkisei_0.6x3_FG0.3_3 1 3 2 4 0.6 3 0.3 14760 24450
3-2 FGkisei_0.6x10_FG0.3_3 5 7 6 8 0.6 10 0.3 14760 24450
3-3 FGkisei_1.6x3_FG0.6_3 9 11 10 12 1.6 3 0.6 14760 24450
3-4 FGkisei_1.6x10_FG0.6_3 13 15 14 16 1.6 10 0.6 14760 24450
3-5 FGkisei_2.6x3_FG0.6_3 13 15 14 16 2.6 3 0.6 12900 23650
3-6 FGkisei_3.6x3_FG0.6_3 13 15 14 16 3.6 3 0.6 12900 24450
4-1 FGkisei_0.6x3_FG0.3_4 1 3 2 4 0.6 3 0.3 18480 18200
4-2 FGkisei_0.6x10_FG0.3_4 5 7 6 8 0.6 10 0.3 18480 18200
4-3 FGkisei_1.6x3_FG0.6_4 9 11 10 12 1.6 3 0.6 18480 18200
4-4 FGkisei_1.6x10_FG0.6_4 13 15 14 16 1.6 10 0.6 18480 18200
4-5 FGkisei_2.6x3_FG0.6_4 13 15 14 16 2.6 3 0.6 16620 17400
4-6 FGkisei_3.6x3_FG0.6_4 13 15 14 16 3.6 3 0.6 18480 18200
gate drain source sub
(22)
No. 素子名 Pad番号 gate長
(um)gate幅
(um)M1長
(um)X-cord
(um)Y-cord (um)
1-1 M1kisei_0.6x3_M1_0.5_1 17 19 18 20 0.6 3 0.5 1860 24450
1-2 M1kisei_0.6x10_M1_0.3_1 21 23 22 24 0.6 10 0.3 1860 24450
1-3 M1kisei_1.6x3_M1_0.8_1 1 3 2 4 1.6 3 0.8 1860 24050
1-4 M1kisei_1.6x10_M1_0.6_1 5 7 6 8 1.6 10 0.6 1860 24050
1-5 M1kisei_2.6x3_M1_0.8_1 17 19 18 20 2.6 3 0.8 0 23650
1-6 M1kisei_2.6x3_M1_3.4_1 1 3 2 4 2.6 3 3.4 0 24050
1-7 M1kisei_3.6x3_M1_0.8_1 17 19 18 20 3.6 3 0.8 0 24450
1-8 M1kisei_3.6x3_M1_4.4_1 5 7 6 8 3.6 3 4.4 0 24050
MOSトランジスタ(その7)
gate drain source sub
p-sub
N+
M1CNT
M1L(Active)
CNT0.4um□
N2(N+)N1(N-)
gate drain
source sub
gate長
gate幅
gate長
Silicide
LOCOS N+
M1
M1寄生MOS
M1長
CNT-M1 合わせ余裕 0.3um以上L-CNT 合わせ余裕 0.3um以上
gate幅 1um当たりCNT1個配置
(23)
No. 素子名 Pad番号 gate長
(um)gate幅
(um)M1長
(um)X-cord
(um)Y-cord (um)
2-1 M1kisei_0.6x3_M1_0.5_2 17 19 18 20 0.6 3 0.5 14760 24450
2-2 M1kisei_0.6x10_M1_0.3_2 21 23 22 24 0.6 10 0.3 14760 24450
2-3 M1kisei_1.6x3_M1_0.8_2 1 3 2 4 1.6 3 0.8 14760 24050
2-4 M1kisei_1.6x10_M1_0.6_2 5 7 6 8 1.6 10 0.6 14760 24050
2-5 M1kisei_2.6x3_M1_0.8_2 17 19 18 20 2.6 3 0.8 12900 23650
2-6 M1kisei_2.6x3_M1_3.4_2 1 3 2 4 2.6 3 3.4 12900 24050
2-7 M1kisei_3.6x3_M1_0.8_2 17 19 18 20 3.6 3 0.8 12900 24450
2-8 M1kisei_3.6x3_M1_4.4_2 5 7 6 8 3.6 3 4.4 12900 24050
3-1 M1kisei_0.6x3_M1_0.5_3 17 19 18 20 0.6 3 0.5 5580 18200
3-2 M1kisei_0.6x10_M1_0.3_3 21 23 22 24 0.6 10 0.3 5580 18200
3-3 M1kisei_1.6x3_M1_0.8_3 1 3 2 4 1.6 3 0.8 5580 17800
3-4 M1kisei_1.6x10_M1_0.6_3 5 7 6 8 1.6 10 0.6 5580 17800
3-5 M1kisei_2.6x3_M1_0.8_3 17 19 18 20 2.6 3 0.8 3720 17400
3-6 M1kisei_2.6x3_M1_3.4_3 1 3 2 4 2.6 3 3.4 3720 17800
3-7 M1kisei_3.6x3_M1_0.8_3 17 19 18 20 3.6 3 0.8 3720 18200
3-8 M1kisei_3.6x3_M1_4.4_3 5 7 6 8 3.6 3 4.4 3720 17800
4-1 M1kisei_0.6x3_M1_0.5_4 17 19 18 20 0.6 3 0.5 18480 18200
4-2 M1kisei_0.6x10_M1_0.3_4 21 23 22 24 0.6 10 0.3 18480 18200
4-3 M1kisei_1.6x3_M1_0.8_4 1 3 2 4 1.6 3 0.8 18480 17800
4-4 M1kisei_1.6x10_M1_0.6_4 5 7 6 8 1.6 10 0.6 18480 17800
4-5 M1kisei_2.6x3_M1_0.8_4 17 19 18 20 2.6 3 0.8 16620 17400
4-6 M1kisei_2.6x3_M1_3.4_4 1 3 2 4 2.6 3 3.4 16620 17800
4-7 M1kisei_3.6x3_M1_0.8_4 17 19 18 20 3.6 3 0.8 16620 18200
4-8 M1kisei_3.6x3_M1_4.4_4 5 7 6 8 3.6 3 4.4 16620 17800
gate drain source sub
MOSトランジスタ(その8)
(24)
MOSトランジスタ(その9)
p-sub
N+
M1
CNT
M1L(Active)
CNT0.4um□
N2(N+)
N1(N-)
gate drain
source sub
gate長
gate幅
gate長
Silicide
LOCOS N+
M2M2寄生MOS
M2
No. 素子名 Pad番号 gate長
(um)gate幅
(um)M2長
(um)X-cord
(um)Y-cord (um)
1-1 M2kisei_0.6x3_M2_0.5_1 9 11 10 12 0.6 3 0.5 1860 24450
1-2 M2kisei_0.6x10_M2_0.3_1 13 15 14 16 0.6 10 0.3 1860 24450
1-3 M2kisei_1.6x3_M2_0.8_1 17 19 18 20 1.6 3 0.8 1860 24050
1-4 M2kisei_1.6x10_M2_0.6_1 21 23 22 24 1.6 10 0.6 1860 24050
1-5 M2kisei_2.6x3_M2_0.8_1 21 23 22 24 2.6 3 0.8 0 23650
1-6 M2kisei_2.6x3_M2_3.4_1 9 11 10 12 2.6 3 3.4 0 24050
1-7 M2kisei_3.6x3_M2_0.8_1 21 23 22 24 3.6 3 0.8 0 24450
1-8 M2kisei_3.6x3_M2_4.4_1 13 15 14 16 3.6 3 4.4 0 24050
gate drain source sub
CNT-M1 合わせ余裕 0.3um以上L-CNT 合わせ余裕 0.3um以上
gate幅 1um当たりCNT1個配置
M2長
(25)
No. 素子名 Pad番号 gate長
(um)gate幅
(um)M1長
(um)X-cord
(um)Y-cord (um)
2-1 M2kisei_0.6x3_M2_0.5_2 9 11 10 12 0.6 3 0.5 14760 24450
2-2 M2kisei_0.6x10_M2_0.3_2 13 15 14 16 0.6 10 0.3 14760 24450
2-3 M2kisei_1.6x3_M2_0.8_2 17 19 18 20 1.6 3 0.8 14760 24050
2-4 M2kisei_1.6x10_M2_0.6_2 21 23 22 24 1.6 10 0.6 14760 24050
2-5 M2kisei_2.6x3_M2_0.8_2 21 23 22 24 2.6 3 0.8 12900 23650
2-6 M2kisei_2.6x3_M2_3.4_2 9 11 10 12 2.6 3 3.4 12900 24050
2-7 M2kisei_3.6x3_M2_0.8_2 21 23 22 24 3.6 3 0.8 12900 24450
2-8 M2kisei_3.6x3_M2_4.4_2 13 15 14 16 3.6 3 4.4 12900 24050
3-1 M2kisei_0.6x3_M2_0.5_3 9 11 10 12 0.6 3 0.5 5580 17800
3-2 M2kisei_0.6x10_M2_0.3_3 13 15 14 16 0.6 10 0.3 5580 17800
3-3 M2kisei_1.6x3_M2_0.8_3 17 19 18 20 1.6 3 0.8 5580 17800
3-4 M2kisei_1.6x10_M2_0.6_3 21 23 22 24 1.6 10 0.6 5580 17800
3-5 M2kisei_2.6x3_M2_0.8_3 21 23 22 24 2.6 3 0.8 3720 17400
3-6 M2kisei_2.6x3_M2_3.4_3 9 11 10 12 2.6 3 3.4 3720 17800
3-7 M2kisei_3.6x3_M2_0.8_3 21 23 22 24 3.6 3 0.8 3720 18200
3-8 M2kisei_3.6x3_M2_4.4_3 13 15 14 16 3.6 3 4.4 3720 17800
4-1 M2kisei_0.6x3_M2_0.5_4 9 11 10 12 0.6 3 0.5 18480 17800
4-2 M2kisei_0.6x10_M2_0.3_4 13 15 14 16 0.6 10 0.3 18480 17800
4-3 M2kisei_1.6x3_M2_0.8_4 17 19 18 20 1.6 3 0.8 18480 17800
4-4 M2kisei_1.6x10_M2_0.6_4 21 23 22 24 1.6 10 0.6 18480 17800
4-5 M2kisei_2.6x3_M2_0.8_4 21 23 22 24 2.6 3 0.8 16620 17400
4-6 M2kisei_2.6x3_M2_3.4_4 9 11 10 12 2.6 3 3.4 16620 17800
4-7 M2kisei_3.6x3_M2_0.8_4 21 23 22 24 3.6 3 0.8 16620 18200
4-8 M2kisei_3.6x3_M2_4.4_4 13 15 14 16 3.6 3 4.4 16620 17800
gate drain source sub
MOSトランジスタ(その10)
(26)
M1>L1.2x1.2
M1>L1.2x1.2
M1ガードリング付2x2
M1ガードリング付10x10
2x10x10
3x30x10
10x100x10
M1=L1.2x1.2
M1>L1.2x1.2
M1>L2x2
M1>L2x2
M1>L10x10
M1>L100x100
M1>L2x10
M1>L10x100
2x2 3x3 10x10
30x30
100x100
100x100x9
2x10 2x30 3x10 3x30 10x10 10x100
PN接合L型α①②③配置図赤字は詳細説明無
L型αはM1ガードリング
M1>LとはCNT上のM1面積が接
合領域より大きい場合を指す
(27)
M1>L1.2x1.2
M1>L1.2x1.2
M2ガードリング付2x2
M2ガードリング付10x10
2x10x10
3x30x10
10x100x10
M1=L1.2x1.2
M1>L1.2x1.2
M1>L2x2
M1>L2x2
M1>L10x10
M1>L100x100
M1>L2x10
M1>L10x100
2x2 3x3 10x10
30x30
100x100
100x100x9
2x10 2x30 3x10 3x30 10x10 10x100
PN接合L型β①②③配置図赤字は詳細説明無
L型βはM2ガードリング
M1>LとはCNT上のM1面積が接
合領域より大きい場合を指す
(28)
PN接合L型(その1)
No. 素子名 Pad番号 L(um)
W(um)
X-cord (um)
Y-cord (um)
1-1 PNJC_L_2x2_α1 1 2 2 2 8310 25650
1-2 PNJC_L_3x3_α1 3 4 3 3 8310 25650
1-3 PNJC_L_10x10_α1 5 6 10 10 8310 25650
1-4 PNJC_L_30x30_α1 7 8 30 30 8310 25650
1-5 PNJC_L_100x100_α
19 10 100 100 8310 25650
1-6 PNJC_L_2x10_α1 13 14 2 10 8310 25650
1-7 PNJC_L_2x30_α1 15 16 2 30 8310 25650
1-8 PNJC_L_3x10_α1 17 18 3 10 8310 25650
1-9 PNJC_L_3x30_α1 19 20 3 30 8310 25650
1-10 PNJC_L_10x100_α1 23 24 10 100 8310 25650
cath ano
P(P+)
CNT LOCOS
M1
L(Active) CNT1um□※1
N1(N-)cathode
anode
CNT-M1 合わせ余裕 0.4um以上L-CNT 合わせ余裕 0.8um以上
※1 接合領域2x2um、2x10um、2x30umはCNT0.4um□それ以外は1um□
L
W
接合領域2x2um、3x3umはCNT1個。10x10umは9個配置。2x10umならば
2x2umが5個あると考えてCNT5個
p-sub
N+
M1
N2(N+)
Silicide
接合領域がLマスクで決まる
接合領域 Nー
(29)
No. 素子名 Pad番号 L(um)
W(um)
X-cord (um)
Y-cord (um)
2-1 PNJC_L_2x2_α2 1 2 2 2 8310 24050
2-2 PNJC_L_3x3_α2 3 4 3 3 8310 24050
2-3 PNJC_L_10x10_α2 5 6 10 10 8310 24050
2-4 PNJC_L_30x30_α2 7 8 30 30 8310 24050
2-5 PNJC_L_100x100_α
29 10 100 100 8310 24050
2-6 PNJC_L_2x10_α2 13 14 2 10 8310 24050
2-7 PNJC_L_2x30_α2 15 16 2 30 8310 24050
2-8 PNJC_L_3x10_α2 17 18 3 10 8310 24050
2-9 PNJC_L_3x30_α2 19 20 3 30 8310 24050
2-10 PNJC_L_10x100_α2 23 24 10 100 8310 24050
3-1 PNJC_L_2x2_α3 1 2 2 2 1860 15400
3-2 PNJC_L_3x3_α3 3 4 3 3 1860 15400
3-3 PNJC_L_10x10_α3 5 6 10 10 1860 15400
3-4 PNJC_L_30x30_α3 7 8 30 30 1860 15400
3-5 PNJC_L_100x100_α
39 10 100 100 1860 15400
3-6 PNJC_L_2x10_α3 13 14 2 10 1860 15400
3-7 PNJC_L_2x30_α3 15 16 2 30 1860 15400
3-8 PNJC_L_3x10_α3 17 18 3 10 1860 15400
3-9 PNJC_L_3x30_α3 19 20 3 30 1860 15400
3-10 PNJC_L_10x100_α3 23 24 10 100 1860 15400
4-1 PNJC_L_2x2_β1 1 2 2 2 10170 25650
4-2 PNJC_L_3x3_β1 3 4 3 3 10170 25650
4-3 PNJC_L_10x10_β1 5 6 10 10 10170 25650
4-4 PNJC_L_30x30_β1 7 8 30 30 10170 25650
4-5 PNJC_L_100x100_β
19 10 100 100 10170 25650
4-6 PNJC_L_2x10_β1 13 14 2 10 10170 25650
4-7 PNJC_L_2x30_β1 15 16 2 30 10170 25650
4-8 PNJC_L_3x10_β1 17 18 3 10 10170 25650
4-9 PNJC_L_3x30_β1 19 20 3 30 10170 25650
4-10 PNJC_L_10x100_β1 23 24 10 100 10170 25650
cath ano
PN接合L型(その2)
(30)
No. 素子名 Pad番号 L(um)
W(um)
X-cord (um)
Y-cord (um)
5-1 PNJC_L_2x2_β2 1 2 2 2 10170 24050
5-2 PNJC_L_3x3_β2 3 4 3 3 10170 24050
5-3 PNJC_L_10x10_β2 5 6 10 10 10170 24050
5-4 PNJC_L_30x30_β2 7 8 30 30 10170 24050
5-5 PNJC_L_100x100_β2 9 10 100 100 10170 24050
5-6 PNJC_L_2x10_β2 13 14 2 10 10170 24050
5-7 PNJC_L_2x30_β2 15 16 2 30 10170 24050
5-8 PNJC_L_3x10_β2 17 18 3 10 10170 24050
5-9 PNJC_L_3x30_β2 19 20 3 30 10170 24050
5-10 PNJC_L_10x100_β2 23 24 10 100 10170 24050
6-1 PNJC_L_2x2_β3 1 2 2 2 14760 15400
6-2 PNJC_L_3x3_β3 3 4 3 3 14760 15400
6-3 PNJC_L_10x10_β3 5 6 10 10 14760 15400
6-4 PNJC_L_30x30_β3 7 8 30 30 14760 15400
6-5 PNJC_L_100x100_β3 9 10 100 100 14760 15400
6-6 PNJC_L_2x10_β3 13 14 2 10 14760 15400
6-7 PNJC_L_2x30_β3 15 16 2 30 14760 15400
6-8 PNJC_L_3x10_β3 17 18 3 10 14760 15400
6-9 PNJC_L_3x30_β3 19 20 3 30 14760 15400
6-10 PNJC_L_10x100_β3 23 24 10 100 14760 15400
cath ano
PN接合L型(その3)
(31)
PN接合L型(その4)
No. 素子名 Pad番号 L(um)
W(um)
並列数 X-cord (um)
Y-cord (um)
1-1 PNJC_L_2x10x10_α1 1 2 2 10 10 8310 25250
1-2 PNJC_L_3x30x10_α1 3 4 3 30 10 8310 25250
1-3 PNJC_L_10x100x10_α1 5 6 10 100 10 8310 25250
2-1 PNJC_L_2x10x10_α2 1 2 2 10 10 8310 23650
2-2 PNJC_L_3x30x10_α2 3 4 3 30 10 8310 23650
2-3 PNJC_L_10x100x10_α2 5 6 10 100 10 8310 23650
3-1 PNJC_L_2x10x10_α3 1 2 2 10 10 1860 15000
3-2 PNJC_L_3x30x10_α3 3 4 3 30 10 1860 15000
3-3 PNJC_L_10x100x10_α3 5 6 10 100 10 1860 15000
cath ano
cathode
anode
CNT-M1 合わせ余裕 0.4um以上L-CNT 合わせ余裕 0.8um以上
素子と素子の間隔(Lの間隔)
2um以上
10個並列型
単品2x10um、3x30um、10x100umを10個並列化。10x100umx10個と100x100umの逆耐圧測定で周
辺長のリーク評価が可能
(32)
PN接合L型(その5)
No. 素子名 Pad番号 L(um)
W(um)
並列数 X-cord (um)
Y-cord (um)
4-1 PNJC_L_2x10x10_β1 1 2 2 10 10 10170 25250
4-2 PNJC_L_3x30x10_β1 3 4 3 30 10 10170 25250
4-3 PNJC_L_10x100x10_β1 5 6 10 100 10 10170 25250
5-1 PNJC_L_2x10x10_β2 1 2 2 10 10 10170 23650
5-2 PNJC_L_3x30x10_β2 3 4 3 30 10 10170 23650
5-3 PNJC_L_10x100x10_β2 5 6 10 100 10 10170 23650
6-1 PNJC_L_2x10x10_β3 1 2 2 10 10 14760 15000
6-2 PNJC_L_3x30x10_β3 3 4 3 30 10 14760 15000
6-3 PNJC_L_10x100x10_β3 5 6 10 100 10 14760 15000
cath ano
(33)
PN接合L型(その6)
cathode
anode
CNT-M1 合わせ余裕 1um
L-CNT 合わせ余裕 2.5um
素子と素子の間隔(Lの間隔)
6um
100x100um 3行3列型
No. 素子名 Pad番号 X-cord (um) Y-cord (um)
1 PNJC_L_100x100x9_α1 11 12 8310 25250
2 PNJC_L_100x100x9_α2 11 12 8310 25250
3 PNJC_L_100x100x9_α3 11 12 8310 25250
4 PNJC_L_100x100x9_β1 11 12 8310 23650
5 PNJC_L_100x100x9_β2 11 12 8310 23650
6 PNJC_L_100x100x9_β3 11 12 8310 23650
cath ano
300x300umではなく100x100umご
とに素子が分離されている
L(Active) M1CNT
(34)
PN接合N1型α①②配置図赤字は詳細説明無
M1>L2x10
M1>L2x30
M1>L3x10
M1>L3x30
M1>L10x100
M1>L2x10x10
M1>L3x10x10
M1>L10x100x10
FGガードリング付2x10
FGガードリング付10x10
M1>L2x2
M1>L3x3
M1>LL=1210x10
M1>LL=810x10
M1>LL=1010x10
M1>LL=1410x10
M1>L30x30
M1>L100x100
M1>L100x100x9
FGガードリング付2x2
32x32 100x100
100x100x9
3x10 3x30 10x100
3x10x 10
10x100x10
M1ガードリング付2x10
M1ガードリング付10x10
2x2 2x10 Silicide>N22x30
2x10x10
3x3 10x10(L=12)
10x10(L=12)
L=810x10(L型
8x8)
L=1010x10
L=1410x10
M1ガードリング付2x2
N1型αはM1ガードリング
(35)
PN接合N1型β①②配置図赤字は詳細説明無
N1型βはM2ガードリング
M1>L2x10
M1>L2x30
M1>L3x10
M1>L3x30
M1>L10x100
M1>L2x10x10
M1>L3x10x10
M1>L10x100x10
FGガードリング付2x10
FGガードリング付10x10
M1>L2x2
M1>L3x3
M1>LL=1210x10
M1>LL=810x10
M1>LL=1010x10
M1>LL=1410x10
M1>L30x30
M1>L100x100
M1>L100x100x9
FGガードリング付2x2
32x32 100x100
100x100x9
3x10 3x30 10x100
3x10x 10
10x100x10
M2ガードリング付2x10
M2ガードリング付10x10
2x2 2x10 Silicide>N22x30
2x10x10
3x3 10x10(L=12)
10x10(L=12)
L=810x10(L型
8x8)
L=1010x10
L=1410x10
M2ガードリング付2x2
(36)
PN接合N1型(その1)
No. 素子名 Pad番号 N1 N1-N2(um)
N2-Silic-ide(um)
X-cord (um)
Y-cord (um)
1-1 PNJC_N1_2x2_α1 1 2 2 2 0.4 0.1 8310 16600
1-2 PNJC_N1_2x10_α1 3 4 2 10 0.4 0.1 8310 16600
1-3 PNJC_N1_3x3_α1 9 10 3 3 0.5 0.3 8310 16600
1-4 PNJC_N1_10x10_α1 11 12 10 10 1 0.3 8310 16600
1-5 PNJC_N1_32x32_α1 1 2 2 10 1 1 8310 16200
1-6 PNJC_N1_100x100_α
13 4 2 30 1 0.3 8310 16200
1-7 PNJC_N1_3x10_α1 7 8 3 10 0.5 0.3 8310 16200
1-8 PNJC_N1_3x30_α1 9 10 3 30 0.5 0.3 8310 16200
1-9 PNJC_N1_10x100_α1 11 12 10 100 1 0.3 8310 16200
cath ano
P(P+)
CNT LOCOS
M1L(Active)
CNT1um□※1
N1(N-)cathode
anode
CNT-M1 合わせ余裕 0.4um以上L-N1 合わせ余裕 1um以上
※1 接合領域10x10um、32x32um、100x100um以外は0.4um□
L
W
接合領域2x2um、3x3umはCNT1個。10x10umは9個配置。2x10umは5個。
3x10umは4個
p-sub
M1
N2(N+)
Silicide
接合領域がN1マスクで決まる
接合領域
N+
N-
SP(Silicideなし領域)
L(um) W(um)
L + NOT SPがSilicide領域
(37)
PN接合N1型(その2)
No. 素子名 Pad番号 N1 N1-N2(um)
N2-Silic-ide(um)
X-cord (um)
Y-cord (um)
2-1 PNJC_N1_2x2_α2 1 2 2 2 0.4 0.1 3720 15800
2-2 PNJC_N1_2x10_α2 3 4 2 10 0.4 0.1 3720 15800
2-3 PNJC_N1_3x3_α2 9 10 3 3 0.5 0.3 3720 15800
2-4 PNJC_N1_10x10_α2 11 12 10 10 1 0.3 3720 15800
2-5 PNJC_N1_32x32_α2 1 2 2 10 1 1 3720 15400
2-6 PNJC_N1_100x100_α2 3 4 2 30 1 0.3 3720 15400
2-7 PNJC_N1_3x10_α2 7 8 3 10 0.5 0.3 3720 15400
2-8 PNJC_N1_3x30_α2 9 10 3 30 0.5 0.3 3720 15400
2-9 PNJC_N1_10x100_α2 11 12 10 100 1 0.3 3720 15400
3-1 PNJC_N1_2x2_β1 1 2 2 2 0.4 0.1 10170 16600
3-2 PNJC_N1_2x10_β1 3 4 2 10 0.4 0.1 10170 16600
3-3 PNJC_N1_3x3_β1 9 10 3 3 0.5 0.3 10170 16600
3-4 PNJC_N1_10x10_β1 11 12 10 10 1 0.3 10170 16600
3-5 PNJC_N1_32x32_β1 1 2 2 10 1 1 10170 16200
3-6 PNJC_N1_100x100_β1 3 4 2 30 1 0.3 10170 16200
3-7 PNJC_N1_3x10_β1 7 8 3 10 0.5 0.3 10170 16200
3-8 PNJC_N1_3x30_β1 9 10 3 30 0.5 0.3 10170 16200
3-9 PNJC_N1_10x100_β1 11 12 10 100 1 0.3 10170 16200
4-1 PNJC_N1_2x2_β2 1 2 2 2 0.4 0.1 16620 15800
4-2 PNJC_N1_2x10_β2 3 4 2 10 0.4 0.1 16620 15800
4-3 PNJC_N1_3x3_β2 9 10 3 3 0.5 0.3 16620 15800
4-4 PNJC_N1_10x10_β2 11 12 10 10 1 0.3 16620 15800
4-5 PNJC_N1_32x32_β2 1 2 2 10 1 1 16620 15400
4-6 PNJC_N1_100x100_β2 3 4 2 30 1 0.3 16620 15400
4-7 PNJC_N1_3x10_β2 7 8 3 10 0.5 0.3 16620 15400
4-8 PNJC_N1_3x30_β2 9 10 3 30 0.5 0.3 16620 15400
4-9 PNJC_N1_10x100_β2 11 12 10 100 1 0.3 16620 15400
cath ano L(um) W(um)
(38)
PN接合N1型(その3)
cathode
anode CNT-M1 合わせ余裕 0.4um以上L-N1 合わせ余裕 1um
素子と素子の間隔(Lの間隔)
1um以上
10個並列型
No. 素子名 Pad番号 N1 N1-N2(um)
N2-Silic-ide(um)
X-cord (um)
Y-cord (um)
1-1 PNJC_N1_2x10x10_α1 7 8 2 10 0.4 0.1 8310 16600
1-2 PNJC_N1_3x10x10_α1 13 14 3 10 0.5 0.3 8310 16200
1-3 PNJC_N1_10x100x10_α1 15 16 10 100 1 0.3 8310 16200
2-1 PNJC_N1_2x10x10_α2 7 8 2 10 0.4 0.1 3720 15800
2-2 PNJC_N1_3x10x10_α2 13 14 3 10 0.5 0.3 3720 15400
2-3 PNJC_N1_10x100x10_α2 15 16 10 100 1 0.3 3720 15400
3-1 PNJC_N1_2x10x10_β1 7 8 2 10 0.4 0.1 10170 16600
3-2 PNJC_N1_3x10x10_β1 13 14 3 10 0.5 0.3 10170 16200
3-3 PNJC_N1_10x100x10_β1 15 16 10 100 1 0.3 10170 16200
4-1 PNJC_N1_2x10x10_β2 7 8 2 10 0.4 0.1 16620 15800
4-2 PNJC_N1_3x10x10_β2 13 14 3 10 0.5 0.3 16620 15400
4-3 PNJC_N1_10x100x10_β2 15 16 10 100 1 0.3 16620 15400
cath ano L(um) W(um)
(39)
PN接合N1型(その4)
cathode
anode
CNT-M1 合わせ余裕 1um
L-CNT 合わせ余裕 1.5um
素子と素子の間隔(Lの間隔)
6um
100x100um 3行3列型
300x300umではなく100x100umご
とに素子が分離されている
L(Active) M1 CNT
No. 素子名 Pad番号 N1 N1-N2(um)
N2-Silic-ide(um)
X-cord (um)
Y-cord (um)
1 PNJC_N1_100x100x9_α1 5 6 100 100 1 0.3 8310 16200
2 PNJC_N1_100x100x9_α2 5 6 100 100 1 0.3 3720 15400
3 PNJC_N1_100x100x9_β1 5 6 100 100 1 0.3 10170 16200
4 PNJC_N1_100x100x9_β2 5 6 100 100 1 0.3 16620 15400
cath ano L(um) W(um)
(40)
Di付1x1
Di付2x2
Di付3x3
Di付10x10
Di付2x3
Di付2x10
Di付GoC1x1
Di付GoC2x2
Di付GoC3x3
Di付GoC10x10
Di付GoC2x3
Di付GoC2x10
GoC1x1
GoC2x2
GoC3x3 CNT .4
GoC3x3 CNT1
GoC10x10
GoC30x30
GoC100x100
GoC100x100x9
GoC100x100x3
GoC2x3
GoC2x10
GoC2x30
GoC10x30
GoC10x100
GoC2x10x10
GoC2x30x10
GoC10x30x10
GoC10x100x10
2x3x10
2x10x10
3x10x10
3x30x10
10x30x10
10x100 x10
GoC=Gate on CNT Di付=保護Diode付き
2x3 2x10 2x30 3x10 3x30 10x30 10x100
1x1 2x2 3x3 10x10
30x30
100x100
100x100x9
100x100x3
MOS容量L型①②③④⑤⑥配置図赤字は詳細説明無
CNTM1
Poly-Si
LOCOS
p-sub ゲート酸化膜
silicide
CNT
M1
Poly-Si
LOCOS
p-sub ゲート酸化膜
silicide
Gate on CNT
LOCOS on CNT
(41)
MOS容量L型(その1)
No. 素子名 Pad番号 ゲート寸法 X-cord (um)
Y-cord (um)
1-1 MOSCP_L_1x1_1 1 2 1 1 3720 25650
1-2 MOSCP_L_2x2_1 3 4 2 2 3720 25650
1-3 MOSCP_L_3x3_1 5 6 3 3 3720 25650
1-4 MOSCP_L_10x10_1 7 8 10 10 3720 25650
1-5 MOSCP_L_30x30_1 9 10 30 30 3720 25650
1-6 MOSCP_L_100x100_1 11 12 100 100 3720 25650
1-7 MOSCP_L_2x3_1 1 2 2 3 3720 24850
1-8 MOSCP_L_2x10_1 3 4 2 10 3720 24850
1-9 MOSCP_L_2x30_1 5 6 2 30 3720 24850
1-10 MOSCP_L_3x10_1 7 8 3 10 3720 24850
1-11 MOSCP_L_3x30_1 9 10 3 30 3720 24850
gate sub
P(P+)
CNT
M1
L(Active) CNT1um□
gate
sub
CNT-M1 合わせ余裕 0.4um以上
PolySi-CNT 合わせ余裕 0.5um以上
※1 ゲート寸法1x1um、2x2um、はCNT0.4um□。それ以外は1um□
L
W
ゲート寸法10x10umまでCNT1個。30x30umは3個。10x100um、100x100umは9個配置
M1
ゲート領域がLマスクで決まる
L(um) W(um)
Poly-Si
LOCOS
p-sub ゲート酸化膜
CNT1um□※1
FG(Poly-Si)
silicide
(42)
MOS容量L型(その2)
No. 素子名 Pad番号 ゲート寸法 X-cord (um)
Y-cord (um)
1-12 MOSCP_L_10x30_1 11 12 10 30 3720 24850
1-13 MOSCP_L_10x100_1 13 14 10 100 3720 24850
2-1 MOSCP_L_1x1_2 1 2 1 1 5580 25650
2-2 MOSCP_L_2x2_2 3 4 2 2 5580 25650
2-3 MOSCP_L_3x3_2 5 6 3 3 5580 25650
2-4 MOSCP_L_10x10_2 7 8 10 10 5580 25650
2-5 MOSCP_L_30x30_2 9 10 30 30 5580 25650
2-6 MOSCP_L_100x100_2 11 12 100 100 5580 25650
2-7 MOSCP_L_2x3_2 1 2 2 3 5580 24850
2-8 MOSCP_L_2x10_2 3 4 2 10 5580 24850
2-9 MOSCP_L_2x30_2 5 6 2 30 5580 24850
2-10 MOSCP_L_3x10_2 7 8 3 10 5580 24850
2-11 MOSCP_L_3x30_2 9 10 3 30 5580 24850
2-12 MOSCP_L_10x30_2 11 12 10 30 5580 24850
2-13 MOSCP_L_10x100_2 13 14 10 100 5580 24850
3-1 MOSCP_L_1x1_3 1 2 1 1 5580 17000
3-2 MOSCP_L_2x2_3 3 4 2 2 5580 17000
3-3 MOSCP_L_3x3_3 5 6 3 3 5580 17000
3-4 MOSCP_L_10x10_3 7 8 10 10 5580 17000
3-5 MOSCP_L_30x30_3 9 10 30 30 5580 17000
3-6 MOSCP_L_100x100_3 11 12 100 100 5580 17000
3-7 MOSCP_L_2x3_3 1 2 2 3 5580 16200
3-8 MOSCP_L_2x10_3 3 4 2 10 5580 16200
3-9 MOSCP_L_2x30_3 5 6 2 30 5580 16200
3-10 MOSCP_L_3x10_3 7 8 3 10 5580 16200
3-11 MOSCP_L_3x30_3 9 10 3 30 5580 16200
3-12 MOSCP_L_10x30_3 11 12 10 30 5580 16200
3-13 MOSCP_L_10x100_3 13 14 10 100 5580 16200
gate sub L(um) W(um)
(43)
MOS容量L型(その3)
No. 素子名 Pad番号 ゲート寸法 X-cord (um)
Y-cord (um)
4-1 MOSCP_L_1x1_4 1 2 1 1 18480 17000
4-2 MOSCP_L_2x2_4 3 4 2 2 18480 17000
4-3 MOSCP_L_3x3_4 5 6 3 3 18480 17000
4-4 MOSCP_L_10x10_4 7 8 10 10 18480 17000
4-5 MOSCP_L_30x30_4 9 10 30 30 18480 17000
4-6 MOSCP_L_100x100_4 11 12 100 100 18480 17000
4-7 MOSCP_L_2x3_4 1 2 2 3 18480 16200
4-8 MOSCP_L_2x10_4 3 4 2 10 18480 16200
4-9 MOSCP_L_2x30_4 5 6 2 30 18480 16200
4-10 MOSCP_L_3x10_4 7 8 3 10 18480 16200
4-11 MOSCP_L_3x30_4 9 10 3 30 18480 16200
4-12 MOSCP_L_10x30_4 11 12 10 30 18480 16200
4-13 MOSCP_L_10x100_4 13 14 10 100 18480 16200
5-1 MOSCP_L_1x1_5 1 2 1 1 5580 12800
5-2 MOSCP_L_2x2_5 3 4 2 2 5580 12800
5-3 MOSCP_L_3x3_5 5 6 3 3 5580 12800
5-4 MOSCP_L_10x10_5 7 8 10 10 5580 12800
5-5 MOSCP_L_30x30_5 9 10 30 30 5580 12800
5-6 MOSCP_L_100x100_5 11 12 100 100 5580 12800
5-7 MOSCP_L_2x3_5 1 2 2 3 5580 12000
5-8 MOSCP_L_2x10_5 3 4 2 10 5580 12000
5-9 MOSCP_L_2x30_5 5 6 2 30 5580 12000
5-10 MOSCP_L_3x10_5 7 8 3 10 5580 12000
5-11 MOSCP_L_3x30_5 9 10 3 30 5580 12000
5-12 MOSCP_L_10x30_5 11 12 10 30 5580 12000
5-13 MOSCP_L_10x100_5 13 14 10 100 5580 12000
gate sub L(um) W(um)
(44)
MOS容量L型(その4)
No. 素子名 Pad番号 ゲート寸法 X-cord (um)
Y-cord (um)
6-1 MOSCP_L_1x1_6 1 2 1 1 18480 12800
6-2 MOSCP_L_2x2_6 3 4 2 2 18480 12800
6-3 MOSCP_L_3x3_6 5 6 3 3 18480 12800
6-4 MOSCP_L_10x10_6 7 8 10 10 18480 12800
6-5 MOSCP_L_30x30_6 9 10 30 30 18480 12800
6-6 MOSCP_L_100x100_6 11 12 100 100 18480 12800
6-7 MOSCP_L_2x3_6 1 2 2 3 18480 12000
6-8 MOSCP_L_2x10_6 3 4 2 10 18480 12000
6-9 MOSCP_L_2x30_6 5 6 2 30 18480 12000
6-10 MOSCP_L_3x10_6 7 8 3 10 18480 12000
6-11 MOSCP_L_3x30_6 9 10 3 30 18480 12000
6-12 MOSCP_L_10x30_6 11 12 10 30 18480 12000
6-13 MOSCP_L_10x100_6 13 14 10 100 18480 12000
gate sub L(um) W(um)
(45)
MOS容量L型(その5)
gate
sub
素子と素子の間隔(Lの間隔)
2.4um以上
10個並列型
単品2x3um、2x10um、3x10um、3x30um、10x30um、10x100umを10個並列化。
CNT-M1 合わせ余裕 0.6um以上
PolySi-CNT 合わせ余裕 0.7um以上
No. 素子名 Pad番号 ゲート寸法 並列数 X-cord (um)
Y-cord (um)
1-1 MOSCP_L_2x3x10_1 1 2 2 3 10 3720 24450
1-2 MOSCP_L_2x10x10_1 3 4 2 10 10 3720 24450
1-3 MOSCP_L_3x10x10_1 5 6 3 10 10 3720 24450
1-4 MOSCP_L_3x30x10_1 7 8 3 30 10 3720 24450
1-5 MOSCP_L_10x30x10_1 9 10 10 30 10 3720 24450
1-6 MOSCP_L_10x100x10_1 11 12 10 100 10 3720 24450
L(um) W(um)gate sub
(46)
MOS容量L型(その6)
No. 素子名 Pad番号 ゲート寸法 並列数 X-cord (um)
Y-cord (um)
2-1 MOSCP_L_2x3x10_2 1 2 2 3 10 5580 24450
2-2 MOSCP_L_2x10x10_2 3 4 2 10 10 5580 24450
2-3 MOSCP_L_3x10x10_2 5 6 3 10 10 5580 24450
2-4 MOSCP_L_3x30x10_2 7 8 3 30 10 5580 24450
2-5 MOSCP_L_10x30x10_2 9 10 10 30 10 5580 24450
2-6 MOSCP_L_10x100x10_2 11 12 10 100 10 5580 24450
3-1 MOSCP_L_2x3x10_3 1 2 2 3 10 5580 15800
3-2 MOSCP_L_2x10x10_3 3 4 2 10 10 5580 15800
3-3 MOSCP_L_3x10x10_3 5 6 3 10 10 5580 15800
3-4 MOSCP_L_3x30x10_3 7 8 3 30 10 5580 15800
3-5 MOSCP_L_10x30x10_3 9 10 10 30 10 5580 15800
3-6 MOSCP_L_10x100x10_3 11 12 10 100 10 5580 15800
4-1 MOSCP_L_2x3x10_4 1 2 2 3 10 18480 15800
4-2 MOSCP_L_2x10x10_4 3 4 2 10 10 18480 15800
4-3 MOSCP_L_3x10x10_4 5 6 3 10 10 18480 15800
4-4 MOSCP_L_3x30x10_4 7 8 3 30 10 18480 15800
4-5 MOSCP_L_10x30x10_4 9 10 10 30 10 18480 15800
4-6 MOSCP_L_10x100x10_4 11 12 10 100 10 18480 15800
5-1 MOSCP_L_2x3x10_5 1 2 2 3 10 5580 11600
5-2 MOSCP_L_2x10x10_5 3 4 2 10 10 5580 11600
5-3 MOSCP_L_3x10x10_5 5 6 3 10 10 5580 11600
5-4 MOSCP_L_3x30x10_5 7 8 3 30 10 5580 11600
5-5 MOSCP_L_10x30x10_5 9 10 10 30 10 5580 11600
5-6 MOSCP_L_10x100x10_5 11 12 10 100 10 5580 11600
6-1 MOSCP_L_2x3x10_6 1 2 2 3 10 18480 11600
6-2 MOSCP_L_2x10x10_6 3 4 2 10 10 18480 11600
6-3 MOSCP_L_3x10x10_6 5 6 3 10 10 18480 11600
6-4 MOSCP_L_3x30x10_6 7 8 3 30 10 18480 11600
6-5 MOSCP_L_10x30x10_6 9 10 10 30 10 18480 11600
6-6 MOSCP_L_10x100x10_6 11 12 10 100 10 18480 11600
L(um) W(um)gate sub
(47)
MOS容量L型(その7)
No. 素子名 Pad番号 ゲート寸法 並列数 X-cord (um)
Y-cord (um)
1-1 MOSCP_N1_100x100x9_1 13 14 100 100 3x3 3720 25650
1-2 MOSCP_N1_100x100x3_1 19 20 100 100 3 3720 25650
2-1 MOSCP_N1_100x100x9_2 13 14 100 100 3x3 5580 25650
2-2 MOSCP_N1_100x100x3_2 19 20 100 100 3 5580 25650
3-1 MOSCP_N1_100x100x9_3 13 14 100 100 3x3 5580 17000
3-2 MOSCP_N1_100x100x3_3 19 20 100 100 3 5580 17000
4-1 MOSCP_N1_100x100x9_4 13 14 100 100 3x3 18480 17000
4-2 MOSCP_N1_100x100x3_4 19 20 100 100 3 18480 17000
5-1 MOSCP_N1_100x100x9_5 13 14 100 100 3x3 5580 12800
5-2 MOSCP_N1_100x100x3_5 19 20 100 100 3 5580 12800
6-1 MOSCP_N1_100x100x9_6 13 14 100 100 3x3 18480 12800
6-2 MOSCP_N1_100x100x3_6 19 20 100 100 3 18480 12800
gate
sub
100x100um 3行3列型 100x100um 3列型
gate
sub
L(um) W(um)gate sub
素子と素子の間隔(Lの間隔)
10um
CNT-M1 合わせ余裕 1um
PolySi-CNT 合わせ余裕 2um
(48)
MOS容量FG型①②③配置図赤字は詳細説明無
N+ガードリング付ガードリング無
M1>L2x3
M1>L2x10
M1>L2x30
M1>L10x30
M1>L10x100
M1>L2x10x10
M1>L2x30x10
M1>L10x30 x10
M1>L10x100x10
M1>L2x2
M1>L3x3
M1>L10x10
M1>L30x30
M1>L30x10
M1>L100x100
M1>L100x100x9
M1>L100x100x3
2x3 2x10 2x30 10x30
10x100
2x10x10
2x30x10
10x30X10
10x100x10
2x2 3x3 10x10 30x30
30x10
100x100
100x100x9
100x100x3
(49)
MOS容量FG型(その1)
No. 素子名 Pad番号 ゲート寸法 CNT数 X-cord(um)
Y-cord(um)
1-1 MOSCP_N1_2x2_1 1 2 2 2 1 16620 25650
1-2 MOSCP_N1_3x3_1 3 4 3 3 1 16620 25650
1-3 MOSCP_N1_10x10_1 5 6 10 10 9 16620 25650
1-4 MOSCP_N1_30x30_1 7 8 30 30 9x9 16620 25650
1-5 MOSCP_N1_30x10_1 9 10 30 10 9x3 16620 25650
1-6 MOSCP_N1_100x100_1 11 12 100 100 9x100 16620 25650
1-7 MOSCP_N1_2x3_1 1 2 2 3 2 16620 24850
1-8 MOSCP_N1_2x10_1 3 4 2 10 5 16620 24850
1-9 MOSCP_N1_2x30_1 5 6 2 30 15 16620 24850
1-10 MOSCP_N1_10x30_1 7 8 10 30 9x3 16620 24850
1-11 MOSCP_N1_10x100_1 9 10 10 100 9x10 16620 24850
gate sub
P(P+)
CNT
M1
L(Active) CNT1um□
gate
sub
CNT-M1 合わせ余裕 0.4um以上
silicide-CNT 合わせ余裕 0.4um以上
※1 L>10のとき、CNT1um□。それ以外は0.4um□
L
W
M1
ゲート領域がFGマスクで決まる
L(um) W(um)
silicide
LOCOS
p-sub ゲート酸化膜
CNT1um□※1
FG(Poly-Si)
Poly-Si
SP(silicide無し領域)
L-PolySi 合わせ余裕 1um以上
(50)
MOS容量FG型(その2)
No. 素子名 Pad番号 ゲート寸法 CNT数 X-cord (um)
Y-cord (um)
2-1 MOSCP_N1_2x2_2 1 2 2 2 1 8310 21400
2-2 MOSCP_N1_3x3_2 3 4 3 3 1 8310 21400
2-3 MOSCP_N1_10x10_2 5 6 10 10 9 8310 21400
2-4 MOSCP_N1_30x30_2 7 8 30 30 9x9 8310 21400
2-5 MOSCP_N1_30x10_2 9 10 30 10 9x3 8310 21400
2-6 MOSCP_N1_100x100_2 11 12 100 100 9x100 8310 21400
2-7 MOSCP_N1_2x3_2 1 2 2 3 2 8310 20600
2-8 MOSCP_N1_2x10_2 3 4 2 10 5 8310 20600
2-9 MOSCP_N1_2x30_2 5 6 2 30 15 8310 20600
2-10 MOSCP_N1_10x30_2 7 8 10 30 9x3 8310 20600
2-11 MOSCP_N1_10x100_2 9 10 10 100 9x10 8310 20600
3-1 MOSCP_N1_2x2_3 1 2 2 2 1 8310 19000
3-2 MOSCP_N1_3x3_3 3 4 3 3 1 8310 19000
3-3 MOSCP_N1_10x10_3 5 6 10 10 9 8310 19000
3-4 MOSCP_N1_30x30_3 7 8 30 30 9x9 8310 19000
3-5 MOSCP_N1_30x10_3 9 10 30 10 9x3 8310 19000
3-6 MOSCP_N1_100x100_3 11 12 100 100 9x100 8310 19000
3-7 MOSCP_N1_2x3_3 1 2 2 3 2 8310 18200
3-8 MOSCP_N1_2x10_3 3 4 2 10 5 8310 18200
3-9 MOSCP_N1_2x30_3 5 6 2 30 15 8310 18200
3-10 MOSCP_N1_10x30_3 7 8 10 30 9x3 8310 18200
3-11 MOSCP_N1_10x100_3 9 10 10 100 9x10 8310 18200
gate sub L(um) W(um)
(51)
MOS容量FG型(その3)
gate
sub
10個並列型
素子と素子の間隔(Lの間隔)
2um
単品2x10um、2x30um、10x30um、10x100umを10個並列化
No. 素子名 Pad番号 ゲート寸法 並列数 X-cord(um)
Y-cord(um)
1-1 MOSCP_N1_2x10x10_1 11 12 2 10 10 16620 24850
1-2 MOSCP_N1_2x30x10_1 13 14 2 30 10 16620 24850
1-3 MOSCP_N1_10x30x10_1 15 16 10 30 10 16620 24850
1-4 MOSCP_N1_10x100x10_1 17 18 10 100 10 16620 24850
2-1 MOSCP_N1_2x10x10_2 11 12 2 10 10 8310 20600
2-2 MOSCP_N1_2x30x10_2 13 14 2 30 10 8310 20600
2-3 MOSCP_N1_10x30x10_2 15 16 10 30 10 8310 20600
2-4 MOSCP_N1_10x100x10_2 17 18 10 100 10 8310 20600
3-1 MOSCP_N1_2x10x10_3 11 12 2 10 10 8310 18200
3-2 MOSCP_N1_2x30x10_3 13 14 2 30 10 8310 18200
3-3 MOSCP_N1_10x30x10_3 15 16 10 30 10 8310 18200
3-4 MOSCP_N1_10x100x10_3 17 18 10 100 10 8310 18200
gate sub L(um) W(um)
silicide-CNT 、CNT-M1 合わせ余裕 0.4um以上
L-PolySi 合わせ余裕 1um
(52)
MOS容量FG型(その4)
gate
sub
100x100um 3行3列型
gate
sub
100x100um 3列型
No. 素子名 Pad番号 ゲート寸法 並列数 X-cord(um)
Y-cord(um)
1-1 MOSCP_N1_100x100x9_1 13 14 100 100 3x3 16620 25650
1-2 MOSCP_N1_100x100x3_1 19 20 100 100 3 16620 25650
2-1 MOSCP_N1_100x100x9_2 13 14 100 100 3x3 8310 21400
2-2 MOSCP_N1_100x100x3_2 19 20 100 100 3 8310 21400
3-1 MOSCP_N1_100x100x9_3 13 14 100 100 3x3 8310 19000
3-2 MOSCP_N1_100x100x3_3 19 20 100 100 3 8310 19000
gate sub L(um) W(um)
silicide-CNT 合わせ余裕 1.5um
L-PolySi 合わせ余裕 2um
素子と素子の間隔(Lの間隔)
6um
CNT-M1 合わせ余裕 1um
(53)
Poly-Si5x5
Poly-Si5x10
Poly-Si5x20
PoSi 1x10素子上M1配線無
PoSi 1x10素子上M1配線付
Poly-Si1x5
Poly-Si1x10
Poly-Si1x20
Poly-Si2x5
Poly-Si2x10
Poly-Si2x20
N+1x5.6
N+1x10.6
N+1x20.6
N+5x5.6
N+5x10.6
N+5x20.6
N-2x20
N-5x5
N-5x10
N-5x20
N- 1x10素子上M1配線無
N- 1x10素子上M1配線付
N-1x5
N-1x10
N-1x20
N-1x30
N-2x5
N-2x10
FEOL抵抗①②配置図赤字は詳細説明無
(54)
FEOL抵抗(その1)
M1 L(Active)
N2(N+) N1(N-)
High
Low sub
CNT-M1 合わせ余裕 0.4um
L(FG)-CNT 合わせ余裕 0.3um幅L 1um当たりCNT1個配置
p-sub
W(CNT)Silicide
N-N+N-抵抗
LOCOS
W
CNT径 0.4um
p-sub
W(CNT)Silicide
N-N+N+抵抗
LOCOS
p-sub
W(CNT)
Silicide
Poly-Si抵抗
LOCOS
Poly-Si
W
L
L
W
L
Silicide-CNT 合わせ余裕 0.6um(N+、N-)0.7um(Poly-Si)
SP(silicide無し領域)
CNT 0.4um□
M1
M1
CNT 0.4um□
M1
N2(N+) N1(N-)SP(silicide無し領域)
N-抵抗のN+の長さ
0.3um
M1 FG(Poly-Si)
M1
(55)
No. 素子名 Pad番号 L(um)
W(um)
X-cord (um)
Y-cord (um)
1-1 N-R_1x5_1 1 2 4 1 5 8310 12800
1-2 N-R_1x10_1 5 6 8 1 10 8310 12800
1-3 N-R_1x20_1 9 10 12 1 20 8310 12800
1-4 N-R_1x30_1 13 14 16 1 30 8310 12800
1-5 N-R_2x5_1 17 18 20 2 5 8310 12800
1-6 N-R_2x10_1 21 22 24 2 10 8310 12800
1-7 N-R_2x20_1 1 2 4 2 20 8310 12400
1-8 N-R_5x5_1 5 6 8 5 5 8310 12400
1-9 N-R_5x10_1 9 10 12 5 10 8310 12400
1-10 N-R_5x20_1 13 14 16 5 20 8310 12400
1-11 N+R_1x5.6_1 1 2 4 1 5.6 8310 12000
1-12 N+R_1x10.6_1 5 6 8 1 10.6 8310 12000
1-13 N+R_1x20.6_1 9 10 12 1 20.6 8310 12000
1-14 N+R_5x5.6_1 13 14 16 5 5.6 8310 12000
1-15 N+R_5x10.6_1 17 18 20 5 10.6 8310 12000
1-16 N+R_5x20.6_1 21 22 24 5 20.6 8310 12000
1-17 Poly-SiR_1x5_1 1 2 4 1 5 8310 11600
1-18 Poly-SiR_1x10_1 5 6 8 1 10 8310 11600
1-19 Poly-SiR_1x20_1 9 10 12 1 20 8310 11600
1-20 Poly-SiR_2x5_1 13 14 16 2 5 8310 11600
1-21 Poly-SiR_2x10_1 17 18 20 2 10 8310 11600
1-22 Poly-SiR_2x20_1 21 22 24 2 20 8310 11600
1-23 Poly-SiR_5x5_1 1 2 4 5 5 8310 11200
1-24 Poly-SiR_5x10_1 5 6 8 5 10 8310 11200
1-25 Poly-SiR_5x20_1 9 10 12 5 20 8310 11200
High Low sub
FEOL抵抗(その2)
(56)
No. 素子名 Pad番号 L(um)
W(um)
X-cord (um)
Y-cord (um)
2-1 N-R_1x5_2 1 2 4 1 5 10170 12800
2-2 N-R_1x10_2 5 6 8 1 10 10170 12800
2-3 N-R_1x20_2 9 10 12 1 20 10170 12800
2-4 N-R_1x30_2 13 14 16 1 30 10170 12800
2-5 N-R_2x5_2 17 18 20 2 5 10170 12800
2-6 N-R_2x10_2 21 22 24 2 10 10170 12800
2-7 N-R_2x20_2 1 2 4 2 20 10170 12400
2-8 N-R_5x5_2 5 6 8 5 5 10170 12400
2-9 N-R_5x10_2 9 10 12 5 10 10170 12400
2-10 N-R_5x20_2 13 14 16 5 20 10170 12400
2-11 N+R_1x5.6_2 1 2 4 1 5.6 10170 12000
2-12 N+R_1x10.6_2 5 6 8 1 10.6 10170 12000
2-13 N+R_1x20.6_2 9 10 12 1 20.6 10170 12000
2-14 N+R_5x5.6_2 13 14 16 5 5.6 10170 12000
2-15 N+R_5x10.6_2 17 18 20 5 10.6 10170 12000
2-16 N+R_5x20.6_2 21 22 24 5 20.6 10170 12000
2-17 Poly-SiR_1x5_2 1 2 4 1 5 10170 11600
2-18 Poly-SiR_1x10_2 5 6 8 1 10 10170 11600
2-19 Poly-SiR_1x20_2 9 10 12 1 20 10170 11600
2-20 Poly-SiR_2x5_2 13 14 16 2 5 10170 11600
2-21 Poly-SiR_2x10_2 17 18 20 2 10 10170 11600
2-22 Poly-SiR_2x20_2 21 22 24 2 20 10170 11600
2-23 Poly-SiR_5x5_2 1 2 4 5 5 10170 11200
2-24 Poly-SiR_5x10_2 5 6 8 5 10 10170 11200
2-25 Poly-SiR_5x20_2 9 10 12 5 20 10170 11200
High Low sub
FEOL抵抗(その3)
(57)
CNT 0.4umP+型
CNT 1umP+型
CNT 0.4umPoly-Si型
CNT 1umPoly-Si型
CNT 0.4umN+型
CNT 1umN+型
CNT 0.4umN-型
CNT 1umN-型
CNT抵抗①②配置図赤字は詳細説明無
(58)
CNT抵抗(その1)
No. 素子名 Pad番号 CNT径
(um)CNT間
距離(um)Silicide間
距離(um)X-cord (um)
Y-cord (um)
1-1 CNTR_0.4_Poly-Si_1 1 2 4 3 0.4 2 1.1 8310 10000
1-2 CNTR_1_Poly-Si_1 5 6 8 7 1 4.5 2 8310 10000
1-3 CNTR_0.4_P+_1 1 2 4 3 0.4 2 1.1 8310 9600
1-4 CNTR_1_P+_1 5 6 8 7 1 4.5 2 8310 9600
2-1 CNTR_0.4_Poly-Si_2 1 2 4 3 0.4 2 1.1 10170 10000
2-2 CNTR_1_Poly-Si_2 5 6 8 7 1 4.5 2 10170 10000
2-3 CNTR_0.4_P+_2 1 2 4 3 0.4 2 1.1 10170 9600
2-4 CNTR_1_P+_2 5 6 8 7 1 4.5 2 10170 9600
High V1 V2 Low
High Low
V1
FG-CNT, L-CNT, CNT-M1の合わせ余裕はCNT径と同じ
p-subLOCOS
SilicidePoly-Si型(CNT=0.4um)
Poly-SiW(CNT)
p-sub
LOCOSW(CNT)
Silicide P+P+型(CNT=1um)
V2
CNT径0.4umと1umの抵抗を4端
子で測定
M1
V1 Low
V2
High FG(Poly-Si)
M1
SP(Silicideなし領域)
CNT0.4um□
P(P+)
SP(Silicideなし領域)CNT1um□
L(Active)M1
M1
(59)
CNT抵抗(その2)
No. 素子名 Pad番号 CNT径
(um)CNT間
距離(um)Silicide間
距離(um)X-cord (um)
Y-cord(um)
1-1 CNTR_0.4_N+_1 9 10 12 11 0.4 2 1.1 8310 10000
1-2 CNTR_1_N+_1 13 14 16 15 1 4.5 2 8310 10000
1-3 CNTR_0.4_N-_1 17 18 20 19 0.4 2 1.1 8310 10000
1-4 CNTR_1_N-_1 21 22 24 23 1 4.5 2 8310 10000
2-1 CNTR_0.4_N+_2 9 10 12 11 0.4 2 1.1 10170 10000
2-2 CNTR_1_N+_2 13 14 16 15 1 4.5 2 10170 10000
2-3 CNTR_0.4_N-_2 17 18 20 19 0.4 2 1.1 10170 10000
2-4 CNTR_1_N-_2 21 22 24 23 1 4.5 2 10170 10000
High V1 V2 Low
High Low
V1
L-CNT, CNT-M1の合わせ余裕はCNT径と同じ
p-subLOCOS
Silicide
N+型(CNT=0.4um)N+
W(CNT)
p-sub
LOCOSW(CNT)
Silicide N-N-型(CNT=1um)
V2
N+
N2(N+)M1
SP(Silicideなし領域)
CNT0.4um□
L(Active)
N1(Nー)
M1
Nー
CNT1um□
SP(Silicideなし領域) L(Active)N1(Nー)
M1 N2(N+)
M1
SilicideとN-の間(N+)の距離は
0.4um(CNT0.4um)、0.5um(CNT1um)
(60)
Silicideon Poly-Si型
Silicideon N+型
P-型 sub型 N-型 N+型 N+onN-型 Poly-Si型
シート抵抗①②配置図赤字は詳細説明無
(61)
シート抵抗(N型拡散抵抗)
No. 素子名 Pad番号 X-cord(um)
Y-cord(um)
1-1 SheetR_N-_1 9 10 12 11 8310 9200
1-2 SheetR_N+_1 13 14 16 15 8310 9200
1-3 SheetR_N+onN-_1 17 18 20 19 8310 9200
1-4 SheetR_SilicideonN+_1 5 6 8 7 8310 8800
2-1 SheetR_N-_2 9 10 12 11 10170 9200
2-2 SheetR_N+_2 13 14 16 15 10170 9200
2-3 SheetR_N+onN-_2 17 18 20 19 10170 9200
2-4 SheetR_SilicideonN+_2 5 6 8 7 10170 8800
High LowV1 V2
p-sub
LOCOSW(CNT)Silicide
N-N+
p-subN-
N+
N+
N-型
N+型
N+ on N-型
44um
42um
CNT 1um□
N-型の平面図
CNT-M1 合わせ余裕 1.5um
L-CNT 合わせ余裕 1um
Silicide N-N+Silicide on N+型
46um
42um
42um
(62)
シート抵抗(P型拡散抵抗)
p-sub
LOCOSW(CNT)Silicide
P+P-型
42um
CNT 1um□
P-型の平面図
CNT-M1 合わせ余裕 1.5umL-CNT 合わせ余裕 1um
p-sub
LOCOSW(CNT)Silicide
P+Sub型
No. 素子名 Pad番号 X-cord(um)
Y-cord(um)
1-1 SheetR_P-_1 1 2 4 3 8310 9200
1-2 SheetR_sub_1 5 6 8 7 8310 8800
2-1 SheetR_P-_2 1 2 4 3 10170 9200
2-2 SheetR_sub_2 5 6 8 7 10170 9200
High LowV1 V2
42um
42um
(63)
シート抵抗(Poly-Si抵抗)
No. 素子名 Pad番号 X-cord(um)
Y-cord(um)
1-1 SheetR_Poly-Si_1 21 22 24 23 8310 9200
1-2 SheetR_SilicideonPoly-Si_1 1 2 4 3 8310 9200
2-1 SheetR_Poly-Si_2 21 22 24 23 10170 9200
2-2 SheetR_SilicideonPoly-Si_2 1 2 4 3 10170 8800
High LowV1 V2
p-subLOCOS
W(CNT)
Silicide
Poly-Si型
44um
CNT 1um□
Poly-Si型の平面図
44um
44um
CNT-M1 合わせ余裕 1.5umL-CNT 合わせ余裕 1um
Silicide on Poly-Si型
Poly-Si
Silicide
46um
Poly-SiLOCOS
(64)
リングオシレータ/CNTチェーン左側配置図赤字は詳細説明無
21段 負荷N-1x30Trs. 0.5x10
21段 負荷Poly-Si0.3x30Trs. 0.5x10
11段 負荷Poly-Si1x30Trs. 0.5x10
N-型CNTチェーン
Silicide型CNTチェーン
Poly-Si型CNTチェーン
11段 負荷N-1x30Trs. 0.5x10
11段 負荷Poly-Si0.3x30Trs. 0.5x10
11段 負荷Poly-Si1x30Trs. 0.5x10
11段 MOSTrs.GS短絡を負荷
0.3x10Trs. 0.5x3
11段 MOSTrs.GS短絡を負荷
0.5x10Trs. 0.5x3
11段 負荷N-1x30Trs. 0.3x10
11段 負荷Poly-Si0.3x30Trs. 0.3x10
11段 負荷Poly-Si1x30Trs. 0.3x10
11段 MOSTrs.GS短絡を負荷
0.3x10Trs. 0.3x4
11段 MOSTrs.GS短絡を負荷
0.5x10Trs. 0.3x4
5段N-1x30Trs.0.3x10
5段Poly-Si0.3x30Trs.0.3x10
5段Poly-Si1x30Trs.0.3x10
5段N-1x30Trs.0.5x10
5段Poly-Si0.3x30Trs.0.5x10
5段Poly-Si1x30Trs.0.5x10
11段 Poly-Si1x30Trs. 0.5x10Poly-Si上配線無し
11段 Poly-Si1x30Trs. 0.5x10Poly-Si上M1配線
11段 Poly-Si1x30Trs. 0.5x10Poly-Si上M2配線
X-cord 12900 X-cord 14760
(65)
リングオシレータ/CNTチェーン右側配置図赤字は詳細説明無
21段 負荷Poly-Si1x15Trs. 0.5x10
21段 負荷Poly-Si0.3x30Trs. 0.5x10
11段 負荷Poly-Si1x30Trs. 0.5x10
N-型CNTチェーンダミー
Silicide型CNTチェーンダミー
Poly-Si型CNTチェーンダミー
M1つづらCNTチェーンダミー
11段 負荷Poly-Si1x15Trs. 0.5x10
11段 負荷Poly-Si0.3x30Trs. 0.5x10
11段 負荷Poly-Si1x30Trs. 0.5x10
11段 負荷Poly-Si1x15Trs. 0.6x10
11段 負荷Poly-Si1x30Trs. 0.6x10
11段 負荷Poly-Si1x15Trs. 0.3x10
11段 負荷Poly-Si0.3x30Trs. 0.3x10
11段 負荷Poly-Si1x30Trs. 0.3x10
11段 負荷Poly-Si1x15Trs. 1x10
11段 負荷Poly-Si1x30Trs. 1x10
5段Poly-Si1x15Trs.0.3x10
5段Poly-Si0.3x30Trs.0.3x10
5段Poly-Si1x30Trs.0.3x10
5段Poly-Si1x15Trs.0.5x10
5段Poly-Si0.3x30Trs.0.5x10
5段Poly-Si1x30Trs.0.5x10
5段Poly-Si1x15Trs.0.6x10
5段Poly-Si1x15Trs.1x10
5段Poly-Si1x30Trs.0.6x10
5段Poly-Si1x30Trs.1x10
X-cord 16620 X-cord 18480
(66)
リングオシレータ5段(その1)
No. 素子名 Pad番号 MOSTrs. (um) 負荷の
種類
寸法(um) X-cord(um)
Y-cord(um)
1 RO_Lv5_Trs0.3x10_N-1x30 1 3 4 0.3 10 N- 1 30 12900 1600
2 RO_Lv5_Trs0.3x10_PR0.3x30 5 7 8 0.3 10 PoSi 0.3 30 12900 1600
3 RO_Lv5_Trs0.3x10_PR1x30 9 11 12 0.3 10 PoSi 1 30 12900 1600
4 RO_Lv5_Trs0.5x10_N-1x30 13 15 16 0.5 10 N- 1 30 12900 1600
5 RO_Lv5_Trs0.5x10_PR0.3x30 17 19 20 0.5 10 PoSi 0.3 30 12900 1600
6 RO_Lv5_Trs0.5x10_PR1x30 21 23 24 0.5 10 PoSi 1 30 12900 1600
Vdd out sub
インバータの負荷とMOSトランジスタの詳細
についてはそれぞれの単品の項目参照
クロスライン部
インバータ部
Poly-Si抵抗/N-抵抗
負荷
MOSTrs.
CNT1um□
Poly-Si
sub
subへ
Vdd out
gate長 gate幅 W L
出力バッファ
幅1um
(67)
リングオシレータ5段(その2)
No. 素子名 Pad番号 MOSTrs. (um) 負荷の
種類
寸法(um) X-cord(um)
Y-cord(um)
7 RO_Lv5_Trs0.3x10_PR1x15 1 3 4 0.3 10 PoSi 1 15 16620 1600
8 RO_Lv5_Trs0.3x10_PR0.3x30 5 7 8 0.3 10 PoSi 0.3 30 16620 1600
9 RO_Lv5_Trs0.3x10_PR1x30 9 11 12 0.3 10 PoSi 1 30 16620 1600
10 RO_Lv5_Trs0.5x10_PR1x15 13 15 16 0.5 10 PoSi 1 15 16620 1600
11 RO_Lv5_Trs0.5x10_PR0.3x30 17 19 20 0.5 10 PoSi 0.3 30 16620 1600
12 RO_Lv5_Trs0.5x10_PR1x30 21 23 24 0.5 10 PoSi 1 30 16620 1600
13 RO_Lv5_Trs0.6x10_PR1x15 1 3 4 0.6 10 PoSi 1 15 18480 1600
14 RO_Lv5_Trs1x10_PR1x15 5 7 8 1 10 PoSi 1 15 18480 1600
15 RO_Lv5_Trs0.6x10_PR1x30 9 11 12 0.6 10 PoSi 1 30 18480 1600
16 RO_Lv5_Trs1x10_PR1x30 13 15 16 1 10 PoSi 1 30 18480 1600
Vdd out sub gate長 gate幅 W L
(68)
リングオシレータ11段
No. 素子名 Pad番号 MOSTrs. (um) 負荷の
種類
寸法(um) X-cord(um)
Y-cord(um)
1 RO_Lv11_Trs0.3x10_N-1x30 1 3 4 0.3 10 N- 1 30 12900 1200
2 RO_Lv11_Trs0.3x10_PR0.3x30 9 11 12 0.3 10 PoSi 0.3 30 12900 1200
3 RO_Lv11_Trs0.3x10_PR1x30 17 19 20 0.3 10 PoSi 1 30 12900 1200
4 RO_Lv11_Trs0.3x10_PR1x15 1 3 4 0.3 10 PoSi 1 15 16620 1200
5 RO_Lv11_Trs0.3x10_PR0.3x30 9 11 12 0.3 10 PoSi 0.3 30 16620 1200
6 RO_Lv11_Trs0.3x10_PR1x30 17 19 20 0.3 10 PoSi 1 30 16620 1200
7 RO_Lv11_Trs1x10_PR1x15 1 3 4 1 10 PoSi 1 15 18480 1200
8 RO_Lv11_Trs1x10_PR1x30 9 11 12 1 10 PoSi 1 30 18480 1200
9 RO_Lv11_Trs0.5x10_N-1x30 1 3 4 0.5 10 N- 1 30 12900 800
10 RO_Lv11_Trs0.5x10_PR0.3x30 9 11 12 0.5 10 PoSi 0.3 30 12900 800
11 RO_Lv11_Trs0.5x10_PR1x30 17 19 20 0.5 10 PoSi 1 30 12900 800
12 RO_Lv11_Trs0.5x10_PR1x15 1 3 4 0.5 10 PoSi 1 15 16620 800
13 RO_Lv11_Trs0.5x10_PR0.3x30 9 11 12 0.5 10 PoSi 0.3 30 16620 800
14 RO_Lv11_Trs0.5x10_PR1x30 17 19 20 0.5 10 PoSi 1 30 16620 800
15 RO_Lv11_Trs0.6x10_PR1x15 1 3 4 0.6 10 PoSi 1 15 18480 800
16 RO_Lv11_Trs0.6x10_PR1x30 9 11 12 0.6 10 PoSi 1 30 18480 800
Vdd out sub gate長 gate幅 W L
Vdd out
sub
Poly-Si
M1インバータ(11段)
出力バッファ
(69)
リングオシレータ21段
No. 素子名 Pad番号 MOSTrs. (um) 負荷の
種類
寸法(um) X-cord(um)
Y-cord(um)
1 RO_Lv21_Trs0.5x10_N-1x30 6 5 3 0.5 10 N- 1 30 12900 400
2 RO_Lv21_Trs0.5x10_PR0.3x30 14 13 11 0.5 10 PoSi 0.3 30 12900 400
3 RO_Lv21_Trs0.5x10_PR1x30 22 21 19 0.5 10 PoSi 1 30 12900 400
4 RO_Lv21_Trs0.5x10_PR1x15 6 5 3 0.5 10 PoSi 1 15 16620 400
5 RO_Lv21_Trs0.5x10_PR0.3x30 14 13 11 0.5 10 PoSi 0.3 30 16620 400
6 RO_Lv21_Trs0.5x10_PR1x30 22 21 19 0.5 10 PoSi 1 30 16620 400
Vdd out sub gate長 gate幅 W L
Vdd
outsub
M2
Via 0.25um□
M1
インバータ(21段)
subへ
(70)
N-型CNTチェーン
High Low
p-subLOCOSW(CNT)
Silicide
M1
N-
N+
p-sub
SilicideN-(N1)
N+(N2)
M1
p-subLOCOS
ダミー1(Silicide N+ N- つづら抵抗)
ダミー2(M1つづら抵抗)
CNT 0.4um□ M1SP(Silicideなし領域)
N2(N+)
1umL(Active)+N1(N-)
1um
2.8um
1.2u
m
No. 素子名 Pad番号 CNT数 N-全長
(mm)N+全長
(mm)Silicide全長
(mm)
M1全長
(mm)X-cord
(um)Y-cord(um)
1 N-CNTchain 1 5 10k 5 3 6 14.4 14760 400
2 N-CNTchain_dummy 1 5 - 10 6 16.4 - 18480 400
3 N-CNTchain_M1dummy 19 23 - - - - 32.4 18480 400
N+の間隔(N-の長さ)
1um
Silicideの間隔(SPの長さ)
1.6um
CNTの間隔 2.8um
Lの幅(N+/N-/Silidide) 1um
M1の幅 1.2um
CNT径 0.4um
(71)
Silicide型CNTチェーン
p-subLOCOSW(CNT)Silicide
M1
N-(N1)N+(N2)
SilicideN+(N2) N-(N1)
ダミー(Silicideつづら抵抗)
CNT 0.4um□ M1
L(Active)+N1(N-)+N2(N+)
1um
2.8um
1.2u
m
2.8um
High Low
No. 素子名 Pad番号 CNT数 Silicide全長
(mm)
M1全長
(mm)X-cord
(um)Y-cord(um)
1 SilicideCNTchain 7 11 10k 14 14.4 14760 400
2 SilicideCNTchain_dummy 7 11 - - 32.4 18480 400
CNT(Silicide/M1)の間隔 2.8um
Silicideの幅 1um
M1の幅 1.2um
CNT径 0.4um□
(72)
Poly-Si型CNTチェーン
p-sub
W(CNT)
SilicideM1
LOCOS
Silicide
p-sub
Poly-Si
Poly-Siダミー(Silicide/Poly-Siつづら抵抗)
CNT(M1)の間隔 2.8um
Poly-Siの幅 1um
M1の幅 1.2um
CNT径 0.4um□
Silicideの間隔(Poly-Siの長さ)
1.6um
High Low
No. 素子名 Pad番号 CNT数 Poly-Si全長
(mm)
Silicide全長
(mm)
M1全長
(mm)X-cord
(um)Y-cord(um)
1 Poly-SiCNTchain 13 17 10k 8 7 14.4 14760 400
2 Poly-SiCNTchain_dummy 13 17 - - - 32.4 18480 400
CNT 0.4um□M1SP(Silicideなし領域)
FG(Poly-Si)
1um
2.8um
1.2u
m
2.8um
LOCOS
(73)
櫛/つづら付リングオシレータ配置図赤字は詳細説明無
PR1x30M1櫛0.2x30021/20
PR1x30M1櫛0.2x30011/10
PR1x30M1櫛0.2x3000/0
PR1x30M2櫛0.2x30021/20
PR1x30M2櫛0.2x30011/10
PR1x30M2櫛0.2x3000/0
PR1x30M1櫛0.2x30015/16
PR1x30M1櫛0.2x3005/6
PR1x30M1櫛0.2x3000/0
PR1x30M2櫛0.2x30015/16
PR1x30M2櫛0.2x3005/6
PR1x30M2櫛0.2x3000/0
PR1x15M1櫛0.2x30021/20
PR1x15M1櫛0.2x30011/10
PR1x15M1櫛0.2x3000/0
PR1x15M2櫛0.2x30021/20
PR1x15M2櫛0.2x30011/10
PR1x15M2櫛0.2x3000/0
PR1x15M1櫛0.2x30015/16
PR1x15M1櫛0.2x3005/6
PR1x15M1櫛0.2x3000/0
PR1x15M2櫛0.2x30015/16
PR1x15M2櫛0.2x3005/6
PR1x15M2櫛0.2x3000/0
PR1x30M1つづら
0.2x9k
PR1x30M1つづ
ら
0.2x3k
PR1x30M1つづら
0.2x0
PR1x30M1つづら0.2x3kCMPダミー左側
PR1x30M1つづら0.2x3kCMPダミー両側
PR1x30M1つづら0.2x3kCMPダミー右側
PR1x15M1つづら0.2x3k増CMPダミー左側
PR1x15M1つづら0.2x4.8k増CMPダミー両側
PR1x15M1つづら0.2x4.8k増CMPダミー右側
PR1x15M2つづら0.2x4.8k増CMPダミー左側
PR1x15M2つづら0.2x4.8k増CMPダミー両側
PR1x15M2つづら0.2x4.8k増CMPダミー右側
PR1x15M1つづら
0.2x9k
PR1x15M1つづ
ら
0.2x3k
PR1x15M1つづら
0.2x0
PR1x15M1つづら0.2x3kCMPダミー左側
PR1x15M1つづら0.2x3kCMPダミー両側
PR1x15M1つづら0.2x3kCMPダミー右側
PR1x15M1つづら0.2x3k増CMPダミー左側
PR1x15M1つづら0.2x3k増CMPダミー両側
PR1x15M1つづら0.2x3k増CMPダミー右側
PR1x15M2つづら0.2x3k増CMPダミー左側
PR1x15M2つづら0.2x3k増CMPダミー両側
PR1x15M2つづら0.2x3k増CMPダミー右側
上2行が21段櫛付で誘電率評価用。下2行が11段つづら抵抗付でディッシング評価用
PR1x30→負荷のPoly-Si抵抗の寸法1x30um MOSTrs.はすべて0.5x10um
(74)
M1櫛付リングオシレータ21段
No. 素子名 Pad番号 櫛歯数 PoSi寸法(um) X-cord(um)
Y-cord(um)
1 RO_Lv21_M1Comb41_PR1x15 7 5 4 21 20 1 15 12900 4800
2 RO_Lv21_M1Comb31_PR1x15 7 5 4 15 16 1 15 16620 4800
3 RO_Lv21_M1Comb21_PR1x15 15 13 12 11 10 1 15 12900 4800
4 RO_Lv21_M1Comb11_PR1x15 15 13 12 5 6 1 15 16620 4800
5 RO_Lv21_M1Comb0_PR1x15 23 21 20 0 0 1 15 12900 4800
6 RO_Lv21_M1Comb41_PR1x30 7 5 4 21 20 1 30 12900 3200
7 RO_Lv21_M1Comb31_PR1x30 7 5 4 15 16 1 30 16620 3200
8 RO_Lv21_M1Comb21_PR1x30 15 13 12 11 10 1 30 12900 3200
9 RO_Lv21_M1Comb11_PR1x30 15 13 12 5 6 1 30 16620 3200
10 RO_Lv21_M1Comb0_PR1x30 23 21 20 0 0 1 30 12900 3200
Vdd out sub 上側 下側 W L
M2
インバータ(21段)MOSTrs. 0.5x10umPoly-Si
抵抗
M1M1櫛
300u
m
櫛歯数21/20 櫛歯数11/10 櫛歯数0/0
M1層間Low-k誘電率測定用。各インバータ間に同一の櫛間容量が入っている
MOSTrs.寸法 0.5x10um、櫛長さ
300um、櫛L/S=0.2umは固定。櫛歯数とPoly-Si抵抗の寸法が変動
(75)
M2櫛付リングオシレータ21段
No. 素子名 Pad番号 櫛歯数 PoSi寸法(um) X-cord(um)
Y-cord(um)
1 RO_Lv21_M2Comb41_PR1x15 7 5 4 21 20 1 15 14760 4800
2 RO_Lv21_M2Comb31_PR1x15 7 5 4 15 16 1 15 18480 4800
3 RO_Lv21_M2Comb21_PR1x15 15 13 12 11 10 1 15 14760 4800
4 RO_Lv21_M2Comb11_PR1x15 15 13 12 5 6 1 15 18480 4800
5 RO_Lv21_M2Comb0_PR1x15 23 21 20 0 0 1 15 14760 4800
6 RO_Lv21_M2Comb41_PR1x30 7 5 4 21 20 1 30 14760 3200
7 RO_Lv21_M2Comb31_PR1x30 7 5 4 15 16 1 30 18480 3200
8 RO_Lv21_M2Comb21_PR1x30 15 13 12 11 10 1 30 14760 3200
9 RO_Lv21_M2Comb11_PR1x30 15 13 12 5 6 1 30 18480 3200
10 RO_Lv21_M2Comb0_PR1x30 23 21 20 0 0 1 30 14760 3200
Vdd out sub 上側 下側 W L
M2櫛
M2層間Low-k誘電率測定用。各インバータ間に同一の櫛間容量が入っている
MOSTrs.寸法 0.5x10um、櫛長さ
300um、櫛L/S=0.2umは固定。櫛歯数とPoly-Si抵抗の寸法が変動
櫛歯数21/20 櫛歯数11/10 櫛歯数0/0
Via 0.25um□2x2個
(76)
アンテナTEG(大)配置図
MOS容量L型3x3umアンテナPAD数50
MOS容量L型10x10umアンテナPAD数50
MOS容量L型1x1umアンテナPAD数120
MOS容量L型2x2umアンテナPAD数120
MOS容量L型1x1umアンテナPAD数50
MOS容量L型2x2umアンテナPAD数50
(77)
赤字は詳細説明無
MOSTrs.10x10アンテナPAD数9
MOS容量FG型2x2umアンテナPAD数9
MOS容量FG型3x3umアンテナPAD数9
MOS容量FG型10x10umアンテナPAD数9
MOSTrs.10x10アンテナPAD数22
MOS容量FG型2x2umアンテナPAD数22
MOS容量FG型3x3umアンテナPAD数22
MOS容量FG型10x10umアンテナPAD数22
MOSTrs.0.5x1アンテナPAD数9
MOSTrs.0.5x3アンテナPAD数9
MOSTrs.0.5x10アンテナPAD数9
MOSTrs.1x10アンテナPAD数9
MOSTrs.0.5x1アンテナPAD数22
MOSTrs.0.5x3アンテナPAD数22
MOSTrs.0.5x10アンテナPAD数22
MOSTrs.1x10アンテナPAD数22
MOS容量L型1x1umアンテナPAD数9
MOS容量L型2x2umアンテナPAD数9
MOS容量L型3x3umアンテナPAD数9
MOS容量L型10x10umアンテナPAD数9 MOS容量
L型1x1umアンテナPAD数22
MOS容量L型2x2umアンテナPAD数22
MOS容量L型3x3umアンテナPAD数22
MOS容量L型10x10umアンテナPAD数22
MOS容量L型1x1
MOS容量L型2x2
MOS容量L型3x3
MOS容量L型10x10
MOSTrs.0.5x1
MOS容量FG型2x2
MOS容量FG型3x3
MOS容量FG型10x10
アンテナTEG(小)配置図
(78)
アンテナTEG(その1)
No. 素子名 Pad番号 MOS容量
寸法(um)アンテナ
PAD数
アンテナ比
(M1/gate面積)X-cord
(um)Y-cord(um)
1 Antenna_1x1_PAD1 1 2 1 1 1 9k 8310 7200
2 Antenna_2x2_PAD1 3 4 2 2 1 2k 8310 7200
3 Antenna_3x3_PAD1 5 6 3 3 1 1k 8310 7200
4 Antenna_10x10_PAD1 7 8 10 10 1 0.1k 8310 7200
gate sub
gate
sub
L型MOS容量
測定PADとMOS容量の詳細は各項目を参照
MOS容量のゲート側に測定PAD が連なりアンテナPADを構成
MOS容量の寸法とアンテナPAD の個数が変化
アンテナ比
=ゲート絶縁膜の面積
ゲート電極(アンテナPAD)の面積
L W
アンテナPAD
アンテナ比はMOS容量のエッチング・
デポ・洗浄による壊れやすさの指標
(79)
アンテナTEG(その2)
No. 素子名 Pad番号 MOS容量
寸法(um)アンテナ
PAD数
アンテナ比
(M1/gate面積)X-cord
(um)Y-cord(um)
5 Antenna_1x1_PAD9 3 4 1 1 9 77k 8310 6800
6 Antenna_2x2_PAD9 9 10 2 2 9 19k 8310 6800
7 Antenna_3x3_PAD9 15 16 3 3 9 9k 8310 6800
8 Antenna_10x10_PAD9 21 22 10 10 9 0.8k 8310 6800
9 Antenna_1x1_PAD22 3 4 1 1 22 187k 10170 7200
10 Antenna_2x2_PAD22 9 10 2 2 22 47k 10170 7200
11 Antenna_3x3_PAD22 15 16 3 3 22 21k 10170 7200
12 Antenna_10x10_PAD22 21 22 10 10 22 2k 10170 7200
13 Antenna_1x1_PAD50 3 4 1 1 50 425k 3720 4000
14 Antenna_2x2_PAD50 15 16 2 2 50 106k 3720 4000
15 Antenna_3x3_PAD50 3 4 3 3 50 47k 3720 2800
16 Antenna_10x10_PAD50 15 16 10 10 50 4k 3720 2800
17 Antenna_1x1_PAD120 3 4 1 1 120 1020k 3720 4000
18 Antenna_2x2_PAD120 15 16 2 2 120 425k 3720 4000
gate sub L W
(80)
腐食TEG配置図赤字は詳細説明無
M1小PN接合型 100x100um細線 0.2x126um
つづらPN接合型 100x100umL/S=0.2um TL=5544um
M1小sub型 100x100um細線 0.2x126um
つづらsub型 100x100umL/S=0.2um TL=5544um
M1小ダミー
100x100um細線 0.2x126um
つづらダミー
100x100umL/S=0.2um TL=5544um
SEM用sub3x30.2um
SEM用sub12x120.2um
SEM用M1減sub100x1000.2um
SEM用sub3x31um
SEM用sub 12x121um
SEM用sub 100x1001um
SEM用ダミー3x30.2um
SEM用
ダミー12x120.2um
SEM用ダミー100x1000.2um
SEM用パッド付sub3x30.2um
SEM用パッド付sub 12x120.2um
SEM用パッド付M1減sub100x1000.2um
SEM用パッド付M1減sub100x100x10 0.2um
SEM用パッド
付sub3x31um
SEM用パッド
付sub 12x121um
SEM用パッド付M1減sub100x1001um
M1小 拡散層大sub型 100x100x10細線 0.2x126um
M1小 拡散層大ダミー
100x100x10細線 0.2x126um
SEM用PN接合2x20.2um
SEM用PN接合10x100.2um
SEM用M1減PN100x1000.2um
SEM用PN接合2x21um
SEM用PN接合10x101um
SEM用M1減PN100x1001um
SEM用ダミー2x21um
SEM用ダミー10x101um
SEM用ダミー100x1001um
SEM用パッド付PN接合2x20.2um
SEM用パッド付PN接合10x100.2um
SEM用パッド付M1減PN100x1000.2um
SEM用パッド付M1減PN100x100x10 0.2um
SEM用パッド
付PN接合2x21um
SEM用パッド
付PN接合10x101um
SEM用パッド付M1減PN100x1001um
M1小 拡散層大PN接合型100x100x10細線 0.2x126um
(81)
腐食TEG(つづら)
PN接合型 sub型
ダミー
PN接合につながっているづつらは
電池効果により腐食し抵抗が上がる
つづら抵抗の片側に100x100um のN+orP+拡散層が接続
M1づづら抵抗
100x100umのL型
PN接合
つづらはL/S=0.2umで全長5544um
No. 素子名 Pad番号 タイプ X-cord(um)
Y-cord(um)
1 Corrosion_PNJC100x100_Serp 7 5 PN接合 10170 1200
2 Corrosion_sub100x100_Serp 15 13 sub 10170 1200
3 Corrosion_dummy100x100_Serp 23 21 ダミー 10170 1200
ダミーは拡散層とCNTを抜いた構造
High Low
P(P+)
CNT
(82)
腐食TEG(M1小)
PN接合型
細線の腐食効果を上げるため測定
PADのM1部分とPN接合の無駄な
M1を省いた
細線(幅0.2um,長さ124um)の片側
に100x100umのN+orP+拡散層が
接続
No. 素子名 Pad番号 タイプ X-cord(um)
Y-cord(um)
1 Corrosion_PNJC100x100_LINE 3 1 PN接合 10170 1200
2 Corrosion_sub100x100_LINE 11 9 sub 10170 1200
3 Corrosion_dummy100x100_LINE 19 17 ダミー 10170 1200
M1なし測定PAD
ダミー
細線と拡散層のCNT接続部
細線とPADのVia接続部
sub型
細線
細線と接続しないCNTとM1配線が
存在
High Low
(83)
腐食TEG(M1小、拡散層大)
細線の腐食効果を上げるため
100x100umの拡散層を10個接続
ダミーは拡散層とダミーのCNTと
M1を省いた構造
ダミー
PN接合型
No. 素子名 Pad番号 タイプ X-cord(um)
Y-cord(um)
1 Corrosion_PNJC100x100x10_LINE 17 15 PN接合 10170 3600
2 Corrosion_sub100x100x10_LINE 17 15 sub 10170 2400
3 Corrosion_dummy100x100x10_LINE 23 21 ダミー 10170 2400
High Low
M1なし測定PAD
細線とPADのVia接続部
(84)
配線つづら配置図
M2L/S=0.2/0.240cm0
M2L/S=0.3/0.210cm
M2L/S=0.2/0.310cm
M2L/S=0.35/0.3510cm
M2L/S=0.25/0.2510cmm
M2L/S=0.2/0.210cm
① ②
③
①
④
M1L/S=0.3/0.210cm
M1L/S=0.2/0.310cm
M1L/S=0.35/0.3510cm
M1L/S=0.25/0.2510cmm
M1L/S=0.2/0.210cm
②
M1L/S=0.2/0.220cm
M1L/S=0.25/0.2520cmm
M1L/S=0.35/0.3520cm
③
④
M2L/S=0.2/0.220cm
M2L/S=0.25/0.2520cmm
M2L/S=0.35/0.3520cm
赤字は詳細説明無
(85)
つづら抵抗
No. 素子名 Pad番号 配線幅
(um)配線間隔
(um)単線長
(mm)全長
(mm)層 X-cord
(um)Y-cord(um)
1 M2Serp_0.3_0.2_10cm 5 6 0.3 0.2 1 100 M2 1860 400
2 M2Serp_0.2_0.3_10cm 7 8 0.2 0.3 1 100 M2 1860 400
3 M2Serp_0.35_0.35_10cm 9 10 0.35 0.35 1 100 M2 1860 400
4 M2Serp_0.25_0.25_10cm 11 12 0.25 0.25 1 100 M2 1860 400
5 M2Serp_0.2_0.2_10cm 13 14 0.2 0.2 1 100 M2 1860 400
6 M1Serp_0.3_0.2_10cm 15 16 0.3 0.2 1 100 M1 1860 400
7 M1Serp_0.2_0.3_10cm 17 18 0.2 0.3 1 100 M1 1860 400
8 M1Serp_0.35_0.35_10cm 19 20 0.35 0.35 1 100 M1 1860 400
9 M1Serp_0.25_0.25_10cm 21 22 0.25 0.25 1 100 M1 1860 400
10 M1Serp_0.2_0.2_10cm 23 24 0.2 0.2 1 100 M1 1860 400
11 M1Serp_0.2_0.2_20cm 1 2 0.2 0.2 2 200 M1 1860 4000
12 M1Serp_0.25_0.25_20cm 3 4 0.25 0.25 2 200 M1 1860 4000
13 M1Serp_0.35_0.35_20cm 5 6 0.35 0.35 2 200 M1 1860 4000
14 M2Serp_0.2_0.2_20cm 11 12 0.2 0.2 2 200 M2 1860 4000
15 M2Serp_0.25_0.25_20cm 13 14 0.25 0.25 2 200 M2 1860 4000
16 M2Serp_0.35_0.35_20cm 15 16 0.35 0.35 2 200 M2 1860 4000
High Low
引出線 1um引出線の長さ 418um(High側)、27um(Low側) サイドのダミーパターンなし
1um
(86)
櫛型容量配置図
M1櫛L/S=0.2/0.2100mm
M1櫛L/S=0.25/0.25100mm
M1櫛L/S=0.35/0.35100mm
M1櫛L/S=0.2/0.3100mm
M1櫛L/S=0.3/0.2 100mm
① ②
③
①
④
M2櫛L/S=0.2/0.2100mm
M2櫛L/S=0.25/0.25100mm
M2櫛L/S=0.35/0.35100mm
M2櫛L/S=0.2/0.3100mm
M2櫛L/S=0.3/0.2 100mm
②
M1櫛L/S=0.2/0.2200mm
M1櫛L/S=0.25/0.25200mm
M1櫛L/S=0.35/0.35 200mm
M1櫛L/S=0.2/0.3200mm
M1櫛L/S=0.3/0.2 200mm
③
M2櫛L/S=0.2/0.2200mm
M2櫛L/S=0.25/0.25200mm
M2櫛L/S=0.35/0.35 200mm
M2櫛L/S=0.2/0.3200mm
M2櫛L/S=0.3/0.2 200mm
④
(87)
櫛型容量(100mm)
No. 素子名 Pad番号 配線幅
(um)配線間隔
(um)単線長
(mm)全長
(mm)層 X-cord
(um)Y-cord(um)
1 M1Comb_0.2_0.2_100mm 1 2 0.2 0.2 1 100 M1 0 2400
2 M1Comb_0.25_0.25_100mm 3 4 0.25 0.25 1 100 M1 0 2400
3 M1Comb_0.35_0.35_100mm 5 6 0.35 0.35 1 100 M1 0 2400
4 M1Comb_0.2_0.3_100mm 7 8 0.2 0.3 1 100 M1 0 2400
5 M1Comb_0.3_0.2_100mm 9 10 0.3 0.2 1 100 M1 0 2400
6 M2Comb_0.2_0.2_100mm 13 14 0.2 0.2 1 100 M2 0 2400
7 M2Comb_0.25_0.25_100mm 15 16 0.25 0.25 1 100 M2 0 2400
8 M2Comb_0.35_0.35_100mm 17 18 0.35 0.35 1 100 M2 0 2400
9 M2Comb_0.2_0.3_100mm 19 20 0.2 0.3 1 100 M2 0 2400
10 M2Comb_0.3_0.2_100mm 21 22 0.3 0.2 1 100 M2 0 2400
High Low
10um
5um
引出線の幅 10um引出線の長さ 200um(High側)、1700um(Low側) サイドのダミーパターンなし
(88)
櫛型容量(200mm)
No. 素子名 Pad番号 配線幅
(um)配線間隔
(um)単線長
(mm)全長
(mm)層 X-cord
(um)Y-cord(um)
1 M1Comb_0.2_0.2_200mm 1 2 0.2 0.2 2 200 M1 0 5200
2 M1Comb_0.25_0.25_200mm 3 4 0.25 0.25 2 200 M1 0 5200
3 M1Comb_0.35_0.35_200mm 5 6 0.35 0.35 2 200 M1 0 5200
4 M1Comb_0.2_0.3_200mm 7 8 0.2 0.3 2 200 M1 0 5200
5 M1Comb_0.3_0.2_200mm 9 10 0.3 0.2 2 200 M1 0 5200
6 M2Comb_0.2_0.2_200mm 13 14 0.2 0.2 2 200 M2 0 5200
7 M2Comb_0.25_0.25_200mm 15 16 0.25 0.25 2 200 M2 0 5200
8 M2Comb_0.35_0.35_200mm 17 18 0.35 0.35 2 200 M2 0 5200
9 M2Comb_0.2_0.3_200mm 19 20 0.2 0.3 2 200 M2 0 5200
10 M2Comb_0.3_0.2_200mm 21 22 0.3 0.2 2 200 M2 0 5200
High Low
10um
5um
引出線の幅 10um引出線の長さ 200um(High側)、2700um(Low側) サイドのダミーパターンなし
(89)
層間容量/ビアチェーン配置図
層間櫛10mmL/S=0.2/0.2
層間櫛10mmL/S=0.25/0.25
層間櫛10mmL/S=0.35/0.35
層間櫛10mmL/S=0.2/0.3
層間櫛10mmL/S=0.3/0.2
層間櫛10mmL/S=0.2/0.7
層間櫛ダミー小
層間櫛ダミー大
ViaChainVD0.25um10k
ViaChainVD0.25um10k
赤字は詳細説明無
(90)
ビアチェーン
No. 素子名 Pad番号 ビア径
(um)ビア間隔
(um)ビア数 配線幅
(um)X-cord
(um)Y-cord(um)
1 ViaChain_0.25_10k 19 20 0.25 0.75 10k 0.5 0 7200
2 ViaChain_0.25_10k 21 22 0.2 0.3 1 100 0 7200
High Low
0.5um
0.75
um
接続されているビア部
0.25um
(91)
SEM観察用MOSトランジスタ全体図
0.2x10
0.3x10
0.5x10
0.2x10
0.3x10
0.5x10
異なるゲート長を持つMOSトランジスタ3列1セットをずらしながら配置した構造。適当に
割ってもSEMによるゲートの観察が可能
(92)
SEM観察用FEOL/M1ライン配置図
ActiveL/S=0.5/0.5um
ActiveL/S=1/1um
ActiveL/S=5/5um
Poly-SiL/S=0.2/0.4um
Poly-SiL/S=0.5/0.5um
Poly-SiL/S=1/1um
N-L/S=1/1um
N+L/S=1/1um
P+L/S=1/1um
SPL/S=1/1u m
CNT直径0.4um
CNT直径1um
M1L/S=0.2/0.2um
M1L/S=0.2/1.8um
M1L/S=2/2um
M1L/S=20/20um
M1ラインはFEOLラインの上層に存在
(93)