Оборудование, используемое при реализации ...
DESCRIPTION
Оборудование, используемое при реализации образовательных программ подготовки магистров в области проектирования и производства СБИС с топологическими нормами 90 нм. САПР компании Synopsys. Sentaurus Lithography. Optical EUV PWA E-beam. - PowerPoint PPT PresentationTRANSCRIPT
![Page 1: Оборудование, используемое при реализации образовательных программ подготовки](https://reader035.vdocuments.site/reader035/viewer/2022062221/5681430f550346895daf6007/html5/thumbnails/1.jpg)
Оборудование, используемое при
реализации
образовательных программ подготовки
магистров в области проектирования и
производства СБИС с топологическими
нормами 90 нм
![Page 2: Оборудование, используемое при реализации образовательных программ подготовки](https://reader035.vdocuments.site/reader035/viewer/2022062221/5681430f550346895daf6007/html5/thumbnails/2.jpg)
УМК - Компьютерное моделирование процессов фотолитографии: Тема 1. Факторы, влияющие на формирование изображения в процессе фотолитографической проекции. Тема 2. Математические модели формирования фотолитографического изображения. Тема 3. Методы оптической коррекции в фотолитографии. Тема 4. Калибровка модели фоторезиста.
САПР компании Synopsys
Sentaurus Lithography
Optical EUV PWA E-beam
![Page 3: Оборудование, используемое при реализации образовательных программ подготовки](https://reader035.vdocuments.site/reader035/viewer/2022062221/5681430f550346895daf6007/html5/thumbnails/3.jpg)
Высокочастотная зондовая установка Cascade
УМК - Особенности контроля технологических операций и межоперационного контроля СБИСЛабораторные работы: 1. «Тестовые структуры для контроля микро- и наноструктур в производстве СБИС».2. «Контроль электрофизических параметров тестовых структур в производстве СБИС, анализ результатов контроля». УМК - Особенности создания тестовых структур СБИСЛабораторные работы: 1. «Методы контроля заряда в МОП-структуре».2. «Исследование МОП-структур с поликремниевым затвором».3. «Исследование МОП-структур с металлическими затворами».4. «Исследование МОП-структур с силицидными затворами».
Измерительное оборудованиеAgilent, Tektronix
![Page 4: Оборудование, используемое при реализации образовательных программ подготовки](https://reader035.vdocuments.site/reader035/viewer/2022062221/5681430f550346895daf6007/html5/thumbnails/4.jpg)
УМК - Технология спецсхемЛабораторные работы: 1. «Расчет напряжения пробоя элементов интегральных схем с использованием системы приборно-технологического моделирования TCAD».2. «Расчет пробивного напряжения p-n-перехода с плавающими кольцами».3. «Исследование латерального двухколлекторного биполярного магниточувствительного транзистора средствами программ TCAD».
Программный пакет приборно-технологического моделирования Synopsys (лицензия A-2007.12), США
![Page 5: Оборудование, используемое при реализации образовательных программ подготовки](https://reader035.vdocuments.site/reader035/viewer/2022062221/5681430f550346895daf6007/html5/thumbnails/5.jpg)
Малогабаритная вакуумная установка МВУ ТМ-ТИС осаждения тонких пленок методом термического
испарения металлов в вакууме, Россия
УМК - Технологические процессы наноэлектроникиЛабораторные работы: 1. «Методы контроля заряда в МОП-структуре».2. «Исследование МОП-структур с поликремниевым затвором».3. «Исследование МОП-структур с металлическими затворами».4. «Исследование МОП-структур с силицидными затворами».
![Page 6: Оборудование, используемое при реализации образовательных программ подготовки](https://reader035.vdocuments.site/reader035/viewer/2022062221/5681430f550346895daf6007/html5/thumbnails/6.jpg)
Установка плазмоактивируемого химического осаждения из газовой фазы «Corial D250»,
Франция
УМК - Методы осаждения диэлектрических материаловЛабораторная работа: «Изучение процесса ПА ХОГФ пленок SiO2 и Si3N4, используемых в качестве пассивирующих покрытий ИС».
![Page 7: Оборудование, используемое при реализации образовательных программ подготовки](https://reader035.vdocuments.site/reader035/viewer/2022062221/5681430f550346895daf6007/html5/thumbnails/7.jpg)
Программно-аппаратный комплекс моделирования в среде TCAD
Платформа TCAD Sentaurus Synopsys, v. E2011.09
УМК - Моделирование технологических процессов и наноразмерных структурЛабораторные работы: 1. «Приборно-технологическое моделирование параметризованных транзисторных структур с проектными нормами 90 нм».2. «Моделирование технологических процессов с применением лазерного отжига». 3. «Приборное моделирование транзистора с плавниковой структурой (FinFET)». 4. «Приборное моделирование запоминающей ячейки».
![Page 8: Оборудование, используемое при реализации образовательных программ подготовки](https://reader035.vdocuments.site/reader035/viewer/2022062221/5681430f550346895daf6007/html5/thumbnails/8.jpg)
УМК - Базовая КМОП-технологияЛабораторные работы: 1. «Базовый маршрут формирования КМОП-транзисторов с проектными нормами 90 нм. Одномерное моделирование». 2. «Базовый маршрут КМОП-транзисторов с проектными нормами 90 нм. Двумерное моделирование».3. «Создание проекта базового маршрута в среде SWB».4. «Моделирование параметризованного базового маршрута формирования КМОП-транзисторов с проектными нормами 90 нм».
Программно-аппаратный комплекс моделирования в среде TCAD
Платформа TCAD Sentaurus Synopsys, v. E2011.09
![Page 9: Оборудование, используемое при реализации образовательных программ подготовки](https://reader035.vdocuments.site/reader035/viewer/2022062221/5681430f550346895daf6007/html5/thumbnails/9.jpg)
Программные пакеты САПР Cadence
УМК – Проектирование низкочастотных аналоговых ИС с топологическими нормами 90 нмУМК – Проектирование блоков цифровых наноразмерных ИСУМК – Проектирование топологии КМОП АИС с наноразмерными элементамиУМК – Проектирование и верификации СФ-блоков
![Page 10: Оборудование, используемое при реализации образовательных программ подготовки](https://reader035.vdocuments.site/reader035/viewer/2022062221/5681430f550346895daf6007/html5/thumbnails/10.jpg)
Малогабаритная вакуумная установка настольного типа МВУ ТМ Плазма-РИТ реактивно-ионного
травления
УМК - Внутриуровневые и межуровневые диэлектрики многоуровневой металлизации СБИС
![Page 11: Оборудование, используемое при реализации образовательных программ подготовки](https://reader035.vdocuments.site/reader035/viewer/2022062221/5681430f550346895daf6007/html5/thumbnails/11.jpg)
Электронно-ионный микроскоп Helios NanoLab 650, Голландия
УМК - Методы диагностики наноразмерных элементов и структур Лабораторные работы: 1. «Исследование и диагностика геометрии наноразмерных структур СБИС методами растровой электронной микроскопии».2. «Химический рентгеноспектральный микроанализ».3. «Анализ и препарирование наноразмерных структур СБИС с применением ионного пучка».
![Page 12: Оборудование, используемое при реализации образовательных программ подготовки](https://reader035.vdocuments.site/reader035/viewer/2022062221/5681430f550346895daf6007/html5/thumbnails/12.jpg)
Зондовая установка Cascade Microtech PM5 Probe System
УМК – Особенности контроля технологических операций и межоперационного контроля СБИС
![Page 13: Оборудование, используемое при реализации образовательных программ подготовки](https://reader035.vdocuments.site/reader035/viewer/2022062221/5681430f550346895daf6007/html5/thumbnails/13.jpg)
Эллипсометр HORIBA Jobin Ivon Auto Se System
УМК – Особенности контроля технологических операций и межоперационного контроля СБИС