Методы кристаллоструктурных исследований Занятие 2
DESCRIPTION
Методы кристаллоструктурных исследований Занятие 2. Общие этапы расшифровки кристаллической структуры. Мои координаты:. Захаров Борис Александрович Кафедра ХТТ ФЕН НГУ Комн. 104, 125 лабораторного корпуса Тел. 363-42-06 [email protected]. Для получения зачета…. - PowerPoint PPT PresentationTRANSCRIPT
Методы кристаллоструктурных исследованийЗанятие 2
Общие этапы расшифровки Общие этапы расшифровки кристаллической структурыкристаллической структуры
2
Для получения зачета…Для получения зачета…
Мои координаты:Мои координаты:
Захаров Борис АлександровичКафедра ХТТ ФЕН НГУКомн. 104, 125 лабораторного корпусаТел. [email protected]
В течении семестра необходимо:1)Посещать занятия.2)Выполнять и своевременно сдавать практические работы.3)Выполнять домашние задания.
На зачетном занятии необходимо:1)Расшифровать структуру (данные выдаются каждому студенту индивидуально) с обоснованием всех применяемых инструкций и ограничений. Составить краткий отчет. Возможна подготовка дома самостоятельно либо в комп. классе в свободное от пар время.2)Ответить на контрольные вопросы.
3
1) Выращивание кристалла.
2) Выбор кристалла и проверка его качества.
3) Предварительный дифракционный эксперимент (расчет матрицы ориентации,
определение ПЭЯ, расчет стратегии дифракционного эксперимента).
4) Измерение интенсивностей дифракционных отражений.
5) Определение наличия центрировки ячейки, операций симметрии и пространственной
группы симметрии кристалла.
6) Поиск максимумов электронной плотности в ячейке.
7) Распознавание атомов, молекулярных фрагментов и уточнение структуры.
4
1) Выращивание кристалла.
2) Выбор кристалла и проверка его качества.
- оптическая микроскопия (визуальная оценка качества кристалла + погасания в поляризованном свете);
- Рентгеновская фотография и рентгеновская дифрактометрия.
5
3) Предварительный дифракционный эксперимент (расчет матрицы ориентации, определение ПЭЯ, расчет стратегии дифракционного эксперимента).
nd hkl sin2
Данное выражение определяет те углы θ, под которыми может происходить отражение рентгеновских лучей от серии сеток (hkl). Зависимость dhkl от параметров элементарной ячейки a, b, c, α, β, γ, в общем случае имеет следующий вид:
coscoscos2sinsinsin11
222
2 ab
hk
c
l
b
k
a
h
sd hkl
coscoscos2coscoscos2
bc
kl
ca
lh
coscoscos2coscoscos1 222 s
Кубическая ячейка Бравэ
2
222
2
2
22
2
22
2
22
2
2
***
1
;4444
2,
2,
2
a
lkh
d
al
ak
ah
d
ac
ab
aa
hkl
hkl
Тетрагональная ячейка Бравэ
2
2
2
22
2
1
c
l
a
kh
dhkl
Ромбическая ячейка Бравэ
2
2
2
2
2
2
2
1
c
l
b
k
a
h
dhkl
Тригональная и гексагональные ячейки Бравэ
Моноклинная ячейка Бравэ
22
222
1
)(3
4l
c
ahkkhdhkl
2
1
hkld
222
2
2
2
22
222
sin
cos2
sinsin4sin
ac
hl
c
l
b
k
a
h
Триклинная ячейка Бравэ
]cos2cos2
cos2[4
sin
******
***2*22*22*22
2
bhkaalhc
cklbclbkah
222
**
**
**
coscoscoscoscoscos21
sinsin
coscoscoscos,sin
1
sinsin
coscoscoscos,sin
1
sinsin
coscoscoscos,sin
1
abcV
abV
c
caV
b
bcV
a
Понятие обратной решеткиПонятие обратной решетки
Из уравнения Вульфа-Брэггов видно, что расстояние от центра дифракционной картины до каждого рефлекса прямо пропорционально sinθ и обратно пропорционально dhkl. Это математически демонстрирует обратную (инвертированную) природу геометрической зависимости между кристаллической решеткой и дифракционной картиной. Обратная решетка определяется векторами a*, b*, c* и связывается с кристаллической решеткой в прямом пространстве следующими соотношениями:
nd hkl sin2
cba
cba
* acb
acb
* bac
bac
*
bacacbcba 1*** ccbbaa
0****** bcaccbabcaba
, причем
2
22 4||,
2||
hklhkl dK
dK
*** clbkahK
******2*22*22*22 222|| cbklcahlbahkclbkahK
Понятие обратной решетки
12 RKiemKRRK
Матрица ориентацииМатрица ориентации
***
***
***
zzz
yyy
xxx
cba
cba
cba
A
ccbcac
cbbbab
cabaaa
AA )(
2sin
tan
tan
2221
22
1
1
zyx
yx
z
y
x
(omega = theta),Бисекториальное положение
На практике, для дифракционного эксперимента, значение имеют два набора осей – это оси обратной решетки a*, b*, c*, в системе которых координатами каждого рефлекса являются индексы Миллера (hkl) и определяются вектором h, и ортогональный набор осей x, y, z, фиксированный по отношению к ориентации кристалла. Ось z при этом совпадает с осью φ дифрактометра, а оси x, y определяются условно и по-разному для каждого типа дифрактометра таким образом, чтобы в итоге получилась правая тройка векторов. При этом связь между координатами любой точки в этих системах определяется соотношением x = Ah
5) Определение наличия центрировки ячейки, операций симметрии и пространственной группы симметрии кристалла.Совокупность всех (открытых и закрытых) операций симметрии,совмещающих саму с собой периодическую структуру, называютпространственной группой симметрии данной структуры (ПГС).
Закрытую и открытую операцию симметрии, в соответствиекоторым поставлена одна и та же матрица, называютсходственными.
Если в пространственной группе симметрии заменить всеоткрытые операции симметрии на сходственные закрытые идобавить их к закрытым операциям симметрии, входившим вПГС изначально, то получим совокупность закрытых операцийсимметрии, которые образуют группу, называемуюкристаллографическим классом данной структуры.
ПГС решетки Бравэ называют группой Бравэ.
Точечные группы симметрии, которые содержат только совместимые с трансляционной симметрией закрытые операции симметрии, называют кристаллографическими точечными группами симметрии.
Существует 7 сингоний, каждая характеризуется минимальной общей группой элементов симметрии.
Таких точечных групп 32.
Группы с общими характерными особенностями симметрииобъединяют в кристаллические системы или сингонии.
• Точечная симметрия обратной решетки совпадает с точечной симметрией решетки Бравэ, которой она соответствует
• Точечная симметрия дифракционной картины отражает симметрию обратной решетки
• Точечная симметрия дифракционной картины (Лауэ-класс) = Кристаллографический класс структуры + инверсия
• Определение кристаллической системы по дифракционным данным проводится путем анализа присутствия поворотов и отражений, совмещающих с собой дифрактограмму
• Для этого анализа важна ориентация кристалла (= обратной решетки) относительно падающего пучка
Симметрически эквивалентные рефлексы (дифракционные максимумы)
Действуем на узел обратной решетки, (hkl), операциями симметрии Лауэ-класса и получаем все эквивалентные рефлексы для данного Лауэ-класса
Фриделевские эквиваленты:(hkl) ↔ (-h,-k,-l)
Симметрически эквивалентные рефлексы (дифракционные максимумы)
Действуем на узел обратной решетки, (hkl), операциями симметрии Лауэ-класса и получаем все эквивалентные рефлексы для данного Лауэ-класса
Моноклинная система:
(hkl) ↔ (-h,-k,-l) ↔ (h,-k,l) ↔ (-h,k,-l)
КК: 2 или m или 2/m ЛК: 2/m
Симметрически эквивалентные рефлексы (дифракционные максимумы)
Действуем на узел обратной решетки, (hkl), операциями симметрии Лауэ-класса и получаем все эквивалентные рефлексы для данного Лауэ-класса
Ромбическая система:
(hkl) ↔ (-h,-k,-l) ↔ (h,-k,l) ↔ (-h,k,-l) ↔ (-h, k, l) ↔ (h, k, -l) ↔ (-h,-k,l) ↔ (h,-k,-l)
КК: 222 или mm2 или mmm ЛК: mmm
Исходя из параметров элементарной ячейки, некоторый кристалл является орторомбическим. Очевидные погасания рефлексов отсутствуют. Для группы рефлексов измерены следующие интенсивности:
h k l I 10 2 4 258.2-10 2 4 187.4 10 -2 4 267.4 10 2 -4 216.4-10 -2 -4 245.2 10 -2 -4 200.9-10 2 -4 264.6 10 -2 4 208.3Корректно ли определена кристаллическая система? Ответ обосновать.
Структурная амплитуда
n
j
n
j
lzkyhxij
jdKijhkl
jjjefefF1 1
)(2
clbkakK
czbyaxd jjjj
2
1
2
1
2
1,000
)1( )()2
1
2
1
2
1(200)0(2 lkhi
a
lkhi
alkhi
ahkl efefefF
Объемно-центрированная ячейка
Систематические погасания рефлексов
Центрировка Условия погасания рефлексов
I h+k+l = 2n+1
F h+k, k+l, h+l = 2n+1
A k+l = 2n+1
B h+l = 2n+1
C h+k = 2n+1
Систематические погасания рефлексов
Слоевые h0l
a Yh = 2n+1
c Yl = 2n+1
n Yh+l = 2n+1
hk0 a Zh = 2n+1
b Z k = 2n+1
n Zh+k=2n+1
0kl b Xk = 2n+1
c X l = 2n+1
n Xk+l=2n+1
Систематические погасания рефлексов
Осевые 21|| X 21|| Y 21|| Z
h00 h = 2n+1
0k0 k = 2n+1
00l l = 2n+1
6) Поиск максимумов электронной плотности в ячейке.
h k l
lzkyhxiehklFV
xyz )(2
0
)(1
)(
I ~ |F(hkl)|2
h k l
lzkyhxihkli eehklFV
xyz )(2)(
0
)(1
)(
h k l
hkllzkyhxhklFV
xyz )(2cos)(1
)(0
7) Уточнение структуры.
||
||||||22
2
1
co
co
FF
FF
.|)||(|
.|)||(|
22222
221
MinFFww
MinFFww
hkl hklco
hkl hklco
||
||
||
||
2
2
21
c
o
c
o
F
Fk
F
Fk Шкальные факторы
hklo
hklco
hklo
hkl
F
FF
FR
||
||||||
||
1
hklo
hkl
wF
w
wR2
21
hklo
chkl
o
hklo
hkl
Fw
FFw
Fw
w
wR22
222
22
22
2)(
)(
)(
< 0.15
< 0.05
0.59 (нецентросимметричные,0.83 (центросимметричные)Со случайным распределением
Вопросы на дом:
1) Почему для различных типов трехмерных решеток Бравэ отсутствуют кубические и тетрагональные базоцентрированные ячейки, а также триклинные ячейки с любой центрировкой?
2) Определить пространственную группу симметрии, если имеются следующие данные: кристаллическая система – орторомбическая; условия для наблюдаемых рефлексов: hkl – все четные либо все нечетные; 0kl, k + l = 4n, k и l четные; h0l, h + l = 4n, h и l четные; hk0, h + k = 4n, h и k четные; h00, h = 4n; 0k0, k = 4n; 00l, l = 4n.. Статистическое распределение интенсивностей рефлексов соответствует центросимметричной структуре. Ответ обосновать.