TECNOLOGIA DE SEMICONDUCTORES. CONTACTO RECTIFICANTE. - [PPT Powerpoint]

Sign in Register

Hide

TECNOLOGIA DE SEMICONDUCTORES. CONTACTO RECTIFICANTE.

Category: Documents

DownloadReport copyright

Share:

Copy

Description

TECNOLOGIA DE SEMICONDUCTORES. CONTACTO RECTIFICANTE Contacto Rectificante. Adquiere este nombre porque se debe a la union de un metal y un semiconductor, aqu hay un contacto

Related documents

clase 11 contacto rectificante

Interruptor esttico Un interruptor esttico consta de uno o ms elementos semiconductores que constituyen el contacto, y un circuito de mando que determina.

Dopaje de Semiconductores

Practicas Fisica de Semiconductores

Base Fisica de Semiconductores

Semiconductores de Potencia

Presaberes fisica de semiconductores

Equipos fabricacion de semiconductores

Historia de Los Semiconductores

Fabricacin de Semiconductores

Semiconductores de Cristales

Fisica de dispositivos semiconductores

Probador Sonoro de Semiconductores

Semiconductores de Potencia Electronica

Fundamentos de Semiconductores

PREFIJOS de Semiconductores

Catalogo de semiconductores

Teoria de Semiconductores (Diodos)

Gua de Semiconductores

Semiconductores, mejora de procesos

View more

Transcripts

TECNOLOGIA DE SEMICONDUCTORES.CONTACTO RECTIFICANTE

Contacto Rectificante.Adquiere este nombre porque se debe a la union de un metal y un semiconductor, aqu hay un contacto a escala atmica donde los componentes no se mezclan, no absorben impuerzas ni cargas (en la interface metal-semiconducor), tambin se le conoce como Diodo de barrera de Schottky.El mecanismo de corriente en el diodo Schottky es similar que en el caso de los diodos comunes tipo PN, pero el diodo S. se debe al flujo de portadores mayoritarios.

Estructura de un diodo Schottky.

El diodo esta compuesto por un metal y un semiconductor (tipo N)

Los materiales mas utilizados para crear los diodos Schottkyson:metales:Platino.Titanio.Oro.con los semiconductores:Silicio. (Si)Arseniuro de galio. (GaAs)

PARAMETROS.El parmetro q m [eV] es la funcin trabajo del metal.

La cantidad q s [eV] es la funcin trabajo del semiconductor.

Cuando se establece el contacto entre los materiales, las diferencias de energa provoca una transferencia de electrones desde el semiconductor hacia el metal de modo de igualar los niveles de Fermi.

POLARIZACION INVERSA.Para entender el comportamiento del sistema cuando se aplica una tensin externa se considerar que el semiconductor est conectado a tierra. Si se aplica una tensin (V) tal que el semiconductor, que es de tipo N, quede positivo respecto del metal, la cada de tensin a travs de la regin de carga espacial aumenta, y consecuentemente, aumenta el ancho de la regin de agotamiento (x'n)

Diodo de Schottky (en Polarizacin Inversa)

POLARIZACIN DIRECTA.Si ahora se aplica una tensin positiva (V) al metal respecto del semiconductor, la barrera semiconductor-metal, se reduce. En esta situacin, los electrones pueden fluir fcilmente desde el semiconductor hacia el metal, porque la anchura de la barrera se ha reducido.

Diodo de Schottky (en Polarizacin Directa)

FUNCIONAMIENTO IDEAL.El diodo de barrera Schottky tiene una caracterstica tensin-corriente similar a la de un diodo de Silicio comn, excepto que la tensin umbral es ms baja, del orden de 0.2v Como responde mucho ms rpido que un diodo normal tiene gran valor en aplicaciones de conmutacin de alta velocidad.

FUNCIONAMIENTO REAL.La anchura de la barrera vara con la tensin aplicada, mayormente con polarizacin inversa.Pero en polarizacion directa, los electrones de conduccin experimentan una fuerza en el metal que los atrae hacia la superficie del metal disminuyendo la anchura de la barrera y apartando la relacin corriente-tensin de su valor ideal.

CIRCUITO EQUIVALENTE.El circuito equivalente de pequea seal del diodo Schottky cuyo smbolo esquemtico se muestra en la figura a)

La imagen de la figura b) muestra el comportamiento del diodo schottky por medio de componentes electronicos.

COMPARACINES.Los diodos Schottky tienen muchas aplicaciones porque presentan algunas ventajas respecto a los diodos de unin PN. El diodo Schottky presenta una mayor corriente lo que se manifiesta por medio de una menor tensin de umbral, alrededor de 0.2v a 0.3v Mayor velocidad de respuesta temporal.

Schottky vs Diodo PNPara un diodo Schottky un tiempo de conmutacin tpico es de 1 ps, en tanto que un diodo comn est en el orden de 1 ns.Mayor corriente entregada.Voltaje de polarizacion (diodo 0.7v diodo schottky 0.2v a 0.3v)

About us|Terms

TECNOLOGIA DE SEMICONDUCTORES. CONTACTO RECTIFICANTE.

Press escape to exit full screen

1 of 15