modèle cristallographique des métaux
DESCRIPTION
Modèle cristallographique des métaux. Métaux purs Solutions solides Combinaisons intermétalliques. Modèle des métaux purs. Energie libre, diagramme d’état. Solide cristallin. Aspects particuliers de la liaison métallique. Subdivision du tableau de Mendeliev. Réseaux cristallins. - PowerPoint PPT PresentationTRANSCRIPT
Modèle des métaux purs.
• Energie libre, diagramme d’état.
• Solide cristallin.
• Aspects particuliers de la liaison métallique.
• Subdivision du tableau de Mendeliev.
• Réseaux cristallins.
Les 7 réseaux de base
• Triclinique (6 paramètres)
• Monoclinique (4)
• Orthorhombique (3)
• Quadratique (2)
• Cubique (1)
• Hexagonal (1)
• Rhomboédrique (2)
Les variantes
Réseau de base bases centrées (BC)
faces centrées (FC)
centrée (C)
+
4 variantes/réseau au total 14 réseaux de Bravais
Variantes
Réseau cubique
48,0)6
(1)³6
³)
88
((1
d
d
•Atomes par maille : 8/8=1
•Paramètre de maille : a=d
maille
atomes
volume
volume
)(
)(1
Réseau cubique centré
•Atomes par maille : 8/8+1=2
•Paramètre de maille a
AB=a AC=a√2 AD=a/√3
AD=2d
A
B
C
D
dd
a 15,13
2
Réseau cubique à faces centrées
•Atomes par maille : 8/8+6/2=4
•Paramètre de maille a
AB=a AC=a√2
AC=2d
A
B C
dda 41,12
Réseau cubique à faces centrées
• Paramètre de maille : √2 d ou 1,41d
26,0)23
(1)³226
³)26
88(
(1
d
d
Propriétés des réseaux cubiques
Réseau Atomes/maille Paramètres Facteurde maille de vide
C 1 d 0,48CC 2 1,15 d 0,32CFC 4 1,41 d 0,26
Réseau hexagonal
•Atomes par maille : 12/6+2/2=3
•Paramètre de maille : a= d
4,0)33
(1)
23
26
6³)
22
612(
(1
ddd
d
Réseau hexagonal compact
• AH²=AB²-BH²=d²-BH²
• BH =2/3 BM
• BM=d*sin(60°)=d√3/2
ddddc 63,1322)²
23
32(²2
•Atomes par maille : 12/12+2/2+3=6
•Paramètre de maille
a = d
c= 2*hauteur tétraèdre=2AH
Les réseaux métalliques
Réseau Atomes/maille Paramètres Facteurde maille de vide
C 1 d 0,48CC 2 1,15 d 0,32CFC 4 1,41 d 0,26H 3 a = c = d 0,4HC 6 a = d c=1,63d 0,26
B
B
B
B
BB
CC
CC
C
C
A
A
Cubique à faces centréesHexagonal compact
HC : ABABAB ou ACACAC
CFC : ABCABC
Détermination du réseau
• Minimisation de l’énergie libre
• Le réseau dépend donc
• du métal
• de la température
• de la pression
Application du modèlePropriétés physiques
• masse volumique• dilatation (dilatabilité)• température de fusion (réfractérité)• élasticité (raideur)
Diamètres atomiques.
• Mesures
(effet de la structure atomique).
• Applicationmasse volumique
)1(
6³
1
0
dN
PA
Masses volumiquesMétaux légersLithium 0,53Potassium 0,86Sodium 0,97Rubidium 1,53Calcium 1,55Magnésium 1,74Berylium 1,82Caesium 1,9Carbone 2,22Bore 2,3Silicium 2,33Strontium 2,6Aluminium 2,699Baryum 3,5Titane 4,54
MétauxZinc 7,13Chrome 7,19Etain 7,3Indium 7,31Manganèse 7,43Fer 7,87Niobium 8,57Cadmium 8,65Cobalt 8,9Nickel 8,9Cuivre 8,96Bismuth 9,8Molybdène 10,2Argent 10,49Plomb 11,34
Métaux densesMercure 13,55Tantale 16,6Uranium 18,7Tungstène 19,3Or 19,32Rhénium 20Platine 21,45Iridium 22,5Osmium 22,5
Application du modèlePropriétés mécaniques
• Anisotropie.
• Coefficient de Poisson.
• Indices de Miller pour la qualification des plans et directions.
• Décohésion (limite de décohésion, plans et directions de clivage).
• Plasticité (limite élastique, plans et directions de glissement)
- Indices de Miller (h,k,l) inverses des intersections du plan avec les trois axes du cristal, en fonction des longueurs a, b et c.
- détermination des indices :
1. déterminer les points d’intersection (l’origine des 3 axes ne doit pas être dans le plan)
2. prendre les inverses1, 1/2, 2/3
1, 2, 1.5
Indices de Miller
Décohésion
• Travail de déformation
2
0
max2
sin2
dxx
SW
)0coscos(2
2 max SW
max2 S
max
02
r
E
)²( max0
r
ES
• Rappel
Résumé des propriétés mécaniques
• Elasticité
Modules de Young.
Coefficient de Poisson.
• Limite de rupture : σ = ES/r0
Plans de clivage
• Limite de plasticité : τ = Gβ/2πα
Plans et directions de glissement
Modèle des solutions à l’état solide.
• Energie libre pour les solutions binaires
BBAABABBAA xxxxRTxxGxGxG lnln
Energie libre de formation de la solution
-3.500
-3.000
-2.500
-2.000
-1.500
-1.000
-500
0
500
1.000
0 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 0,7 0,8 0,9 1
Fraction atomique xB
En
erg
ie li
bre
de
form
atio
n d
e la
so
luti
on
en
J/m
ole
Omega=-5.000 J/mole
Omega=+5.000 J/mole
Omega=+10.000 J/mole
Omega=0 J/mole
Solutions solides de substitution
• Solubilité totale/solubilité partielle Règles de Hume-Rothery– Même réseau– Diamètres atomiques proches– Electro négativités proches– Même valence
• Diamètre atomique moyen (loi de Végard)• Ordre - désordre
Insertion dans les réseaux CC
solvantda3
2
add solvantinséré
solvantsolvantinséré ddd 15,0)13
2(
On peut tout d’abord insérer un atome entre les atomes A et B ou C et D
On constate que l’espace disponible à cet endroit pour l’insertion est fort petit.
A B
D
C a
Insertion dans les réseaux CCLe diamètre de l’atome inséré peut augmenter lorsque l’on le déplace du milieu entre A et B vers le milieu entre C et D. Il augmente jusqu’à toucher les atomes C et D, puis il diminue lorsqu’il doit passer entre C et D, pour revenir à la même valeur qu’entre A et B.A B
D
C
C
AB
Insertion dans les réseaux CC
²4
²x
arr solvantinséré
)²2(² xaadd solvantinseré
Le plus grand atome insérable touche donc les 4 atomes A, B, C et D. Son centre se situe à une distance x du milieu entre A et B. On a les relations suivantes
²4² xadd solvantinséré
Coupe horizontale
BA
C/D
x
)²2
(4
²x
aarr solvantinséré
Coupe verticale
A/B
C
D
xA B
D
C
Insertion dans les réseaux CC
²4² xadd solvantinseré )²2(² xaadd solvantinseré
)²2(²4 xax 4
ax
²4
5add solvantinseré
C
AB
Les 2 équations s’écrivent
Elles permettent de déterminer x et surtout le d inséré. On a
solvantsolvantinseré ddd 29,0)13
5( C’est plus grand que 0,15d
mais cela reste fort petit.
Comme a=2dsolvant/√3, on a ²3
5solvantsolvantinseré ddd
x
Insertion dans les réseaux CFC
2dadd solvantinséré
solvantinseré dd 41,0
solvantinseré dd )12(
Malgré un facteur de vide plus petit, le réseau CFC est plus favorable à l’insertion que le réseau CC.
a
Insertion dans les réseaux HC
AH
AN
AD
AO
2
3
2
32
2 d
d
d
dAO
solvantinseré dd )12
3(
AOdd insérésolvant 2
solvantinseré dd 225,0
AOrr insérésolvant
N
OC’est le réseau le plus défavorable à l’insertion.
Réseaux favorables à l’insertion
)12( solvantinseré dd
Le réseau CFC est le plus favorable à l’insertion et le HC le moins favorable. Le type d’empilement ABC ou ABAB a donc beaucoup d’importance.
En théorie
En pratique
solvantinseré dd 6,0Distorsion du réseau
Insertion maximum d’un atome/maille