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Formazione di bande di energia 2 atomi (molecola) 6 atomi N atomi (cristallo) = distanza interatomica grande = atomi sparati e orbitali indipendenti via via più piccolo = atomi vicini = orbitali sovrapposti = Pauli

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Page 1: Formazione di bande di energia 2 atomi (molecola) 6 atomi N atomi (cristallo) r = distanza interatomica r grande = atomi sparati e orbitali indipendenti

Formazione di bande di energia

2 atomi(molecola)

6 atomi N atomi(cristallo)

r = distanza interatomica r grande = atomi sparati e orbitali indipendentir via via più piccolo = atomi vicini = orbitali sovrapposti = Pauli

Page 2: Formazione di bande di energia 2 atomi (molecola) 6 atomi N atomi (cristallo) r = distanza interatomica r grande = atomi sparati e orbitali indipendenti

Overlap tra bande

Classificazione dei solidi in base alla struttura delle bande

Banda di valenzaCi sono elettroni legati agli ioni del reticolo

Banda di conduzioneCi sono elettroni svincolati dagli ioni del reticolo, delocalizzati,liberi di diffondereattraverso il reticolo e diformare corrente elettrica

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drogaggio P5- drogaggio B3-

Portatori maggioritari(e- intrinseci ed estrinseci)

Portatori minoritari(solo lacune intrinseche)

Portatori maggioritari(lacune intrinsecheed estrinseche)

Portatori minoritari(solo e- intrinseci)

Silicio Si4-

Tipo neccesso di cariche negative

SEMICONDUTTORI DROGATI

Tipo peccesso di cariche positive

Piccola energia di ionizzazione:

BdC

BdV

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